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封装：LGA-8(7x8.5)

SD NAND 64Gb MLC.标准SD 2.0协议.内嵌Flash管理算法,通过10K次随机掉电,MSL3湿敏等级测试.具备远程升级FW功能,支持EXT4/FAT系列文件系统.待机/工作功耗低.自动stand by模式,高性价比.符合RoHS/REACH标准.别称:贴片式TF卡/mini eMMC

1+
￥94.9
10+
￥91.03
30+
￥71.24

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型号：MT25QU02GCBB8E12-0SIT 编号：C6916912

封装：TPBGA-24(6x8)

品牌：micron(镁光)

特性：堆叠设备（四个512Mb裸片）。SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率（STR/DTR）。所有STR协议的时钟频率最高为166 MHz

1+
￥169.91
30+
￥162.93

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型号：SDINBDG4-16G-XI1 编号：C2830398

封装：BGA-153(11.5x13)

品牌：SANDISK(闪迪)

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1+
￥181.38
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￥172

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型号：KLUFG8RHGB-B0E1 编号：C45261440

封装：-

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

1+
￥554.38
30+
￥526.91

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型号：AD24C02 编号：C5125033

封装：SOP-8

品牌：IDCHIP(英锐芯)

AD24C02是一款串行电可擦除编程只读存储器(EEPROM)。存储器可存储256个字节数据，分为32页每页8字节，随机字寻址需要8位数据字地址，具有低功耗CMOS技术，自定时编程周期。AD24C02为SOT23-5、SOP-8、PDIP-8三种封装。

数据手册

10+
￥0.20916 ￥0.2324
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￥0.16596 ￥0.1844
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￥0.14436 ￥0.1604
1000+
￥0.12816 ￥0.1424
4000+
￥0.11214 ￥0.1246
8000+
￥0.10566 ￥0.1174

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型号：ZD24C02B-SSGMB 编号：C5374786

封装：SOP8-150

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C02B 提供 2048 位的串行电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)，组织为 256 个 8 位字。该设备适用于许多工业和商业应用，其中低功耗和低电压操作至关重要。

20+
￥0.2424
200+
￥0.1885
600+
￥0.1585
2000+
￥0.1405
10000+
￥0.1249
20000+
￥0.1166

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型号：SL24C02D 编号：C5155390

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

SL24C02D是2K位电可擦除PROM，采用I2C总线接口，支持1.8V~5.5V的工作电压，具有低功耗待机模式，擦写寿命为100万次，数据保持时间为100年。

数据手册

10+
￥0.2587
100+
￥0.2059
300+
￥0.1795
1000+
￥0.1597
4000+
￥0.1372
8000+
￥0.1293

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型号：AD24C02 编号：C7507360

封装：SOT-23-5L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

AD24C02是一款低电压、低功耗的两线串行EEPROM，支持1.8V至5.5V的工作电压范围，工业温度范围为-40°C至85°C。该器件具有16字节页写模式，部分页写操作允许，内部组织为256×8（2K）。标准2线双向串行接口，具有噪声保护的施密特触发输入，自定时编程周期（最大5ms），1MHz（2.5-5V）和400kHz（1.8V）兼容，自动擦除前写操作，硬件数据保护的写保护引脚，高可靠性：通常1,000,000次耐久性，100年数据保留时间。标准8引脚DIP/SOP/MSOP/TSSOP/DFN和5引脚SOT-23/TSOT-23无铅封装。

10+
￥0.2745
100+
￥0.2197
300+
￥0.1923
3000+
￥0.1456
6000+
￥0.1292
9000+
￥0.121

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型号：24C08BN(XBLW) 编号：C18723544

封装：SOP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

24C08是一款8192位的串行EEPROM，分为1024个字（8位）的存储单元。采用先进的CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用。支持标准2线双向串行接口，工作电压范围为1.8V到5.5V，工业温度范围为-40°C到85°C。

10+
￥0.2983 ￥0.314
100+
￥0.23446 ￥0.2468
300+
￥0.20254 ￥0.2132
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￥0.1786 ￥0.188
4000+
￥0.15941 ￥0.1678
8000+
￥0.149815 ￥0.1577

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型号：AT24C02-TD 编号：C42421822

封装：SOP-8

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

是电可擦除PROM，采用256/512/1024/2048/4096/8192×8-bit的组织结构以及两线串行接口。电压可允许低至1.8V，待机电流和工作电流分别为1μA和1mA。具有页写能力，每页分别为8/16/16/16/32/32字节。具有8-pin PDIP和8-pin SOP和5-pin SOT三种封装形式。

10+
￥0.405
100+
￥0.3228
300+
￥0.2818
1000+
￥0.251
4000+
￥0.2263
8000+
￥0.214

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型号：24C32S(XBLW) 编号：C41408504

封装：SOT-23-5

品牌：XBLW(芯伯乐)

24C32系列是32,768位串行EEPROM，每个字节为8位，共4096字节。支持低电压和低功耗操作，工作电压范围为1.8V至5.5V，具有32字节页写模式，标准2线双向串行接口，自定时写周期（最大5ms），100万次擦写寿命，100年数据保留，工业温度范围（-40℃至85℃）。

10+
￥0.426835 ￥0.4493
100+
￥0.335635 ￥0.3533
300+
￥0.290035 ￥0.3053
3000+
￥0.255835 ￥0.2693
6000+
￥0.228475 ￥0.2405
9000+
￥0.214795 ￥0.2261

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型号：HX24C32DGKRG 编号：C42396716

封装：MSOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

32K串行电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)

5+
￥0.427
50+
￥0.371
150+
￥0.343
500+
￥0.322
3000+
￥0.3052

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型号：M24C08-RMN6TP 编号：C141777

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

8 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

5+
￥0.4514
50+
￥0.3506
150+
￥0.3002

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型号：AT24C16D 编号：C7432022

封装：SOP-8

品牌：IDCHIP(英锐芯)

AT24C16D是一款串行电可擦除编程只读存储器(EEPROM)，存储容量为2048字节，分为128页，每页16字节。具有低功耗CMOS技术，自定时编程周期，适用于智能仪器仪表、笔记本电脑、计算机、家用电器、汽车电子、通信设备和工业控制等领域。

5+
￥0.45577 ￥0.6511
50+
￥0.36183 ￥0.5169
150+
￥0.31486 ￥0.4498
500+
￥0.27958 ￥0.3994
2500+
￥0.25137 ￥0.3591
4000+
￥0.2373 ￥0.339

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型号：ZD24C08AE1-STGMT 编号：C3007877

封装：SOT-23-5

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C08A是一款8K位的I2C兼容串行EEPROM，具有16字节的页大小，支持单电源电压和高速操作，写操作在3毫秒内完成，具备硬件数据保护功能，高可靠性和增强的ESD/闩锁保护。

数据手册

5+
￥0.4886
50+
￥0.4292
150+
￥0.3996
500+
￥0.3773
3000+
￥0.3595
6000+
￥0.3506

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型号：24C64S(XBLW) 编号：C41408505

封装：SOT-23-5

品牌：XBLW(芯伯乐)

24C64系列是65,536位的串行EEPROM，组织为8192个8位字。支持标准2线双向串行接口，适用于1.8V至5.5V的宽电压范围。

5+
￥0.526395 ￥0.5541
50+
￥0.412395 ￥0.4341
150+
￥0.355395 ￥0.3741
500+
￥0.312645 ￥0.3291
3000+
￥0.278445 ￥0.2931
6000+
￥0.261345 ￥0.2751

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型号：BL24C32F-RRRC 编号：C5185883

封装：TSOT-23-5L

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C32F是一款32Kbits的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能，支持部分页写入，工作电压为1.7V至5.5V，时钟频率为400kHz至1MHz，数据保留时间为100年，写周期寿命为1百万次。

数据手册

5+
￥0.6202
50+
￥0.505
150+
￥0.4474
500+
￥0.4042
3000+
￥0.3552

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型号：P24C128D-SSH-MIR 编号：C2925576

封装：SOP-8

品牌：PUYA(普冉)

P24C128D是一款128-Kbit I2C兼容串行EEPROM，包含16384x8位的存储阵列，每页64字节。支持低功耗CMOS技术，读写电流分别为400uA和1.6mA。具有噪声抑制功能，支持顺序和随机读取，页写模式，部分页写允许，写保护，自定时写周期（最大5ms），高可靠性，擦写寿命超过1百万次，数据保留时间超过100年。

数据手册

5+
￥0.7104
50+
￥0.5664
150+
￥0.4944
500+
￥0.4404
2500+
￥0.3853
4000+
￥0.3637

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型号：HT1307BRMZ 编号：C50338903

封装：MSOP-8

品牌：HTCSEMI(海天芯)

低功耗，512位静态CMOS RAM，按64字×8位组织。内置32,768 Hz振荡器（由外部晶体控制），RAM的前8字节用于时钟/日历功能，并以二进制编码十进制（BCD）格式配置。地址和数据通过两线双向总线串行传输。内置地址寄存器在每次写入或读取数据字节后自动递增。时钟具有内置电源检测电路，可检测电源故障，并在电源故障时自动切换到电池供电。维持RAM和时钟操作所需的能量可由小型锂硬币电池提供。使用50mAh、3V锂电池时，典型数据保留时间超过10年。