华冠存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：H5AN4G6NBJR-VKC 编号：C2849414

封装：FBGA-96

品牌：HYNIX(海力士)

H5AN4G6NBJR-XXC 是一款4Gb DDR4 SDRAM，适用于主内存，支持高带宽操作。该器件具有1.2V供电电压，支持多种时钟频率，包括1600, 1866, 2133, 2400, 2666, 2933, 3200 MHz。

数据手册

1+
￥53.9
10+
￥52.4
30+
￥51.48
100+
￥50.72

有货

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型号：GD25Q256EYIGR 编号：C2927043

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

串行闪存支持标准串行外设接口 (SPI) 以及双/四 SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP#)、I/O3 (HOLD#/RESET#)。双 I/O 数据传输速度为 266Mbit/s，四 I/O 数据传输速度为 532Mbit/s。

数据手册

1+
￥21.85
10+
￥19.67
30+
￥18.3
100+
￥9.65
500+
￥9.02

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型号：W25Q256JWFIQ 编号：C2940196

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Winbond(华邦)

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1+
￥26.22
10+
￥25.95
30+
￥25.77
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￥24

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型号：IS66WVE4M16EBLL-70BLI 编号：C1350157

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

PSRAM产品是为低功耗便携式应用开发的高速CMOS伪静态随机存取存储器。64Mb DRAM核心器件组织形式为4M×16位。这些器件具备行业标准的异步存储器接口，与其他低功耗SRAM或伪SRAM（PSRAM）产品相同

数据手册

1+
￥28.38
10+
￥24.48
30+
￥22.17
100+
￥18.42

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型号：MT41K128M16JT-125 IT:K 编号：C115792

封装：TFBGA-96

品牌：micron(镁光)

1.35V DDR3L SDRAM设备是1.5V DDR3 SDRAM设备的低压版本。在1.5V兼容模式下运行时，请参考DDR3 (1.5V) SDRAM数据手册规格。

数据手册

1+
￥37.13
10+
￥32.27
30+
￥29.38
100+
￥26.46
500+
￥25.11
1000+
￥24.5

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型号：MT48LC16M16A2P-6A IT:G 编号：C26393

封装：TSOP-54-10.2mm

品牌：micron(镁光)

256-Mbit(16M x 16bit)，工作电压：3.3V

数据手册

1+
￥37.43
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￥32.91
30+
￥27.85
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￥25.13

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型号：H5TC4G63EFR-RDA 编号：C2849413

封装：FBGA-96

品牌：HYNIX(海力士)

是一款4Gb低功耗双数据速率III（DDR3L）同步DRAM，非常适合需要大存储密度、高带宽和1.35V低功耗运行的主内存应用。提供与1.5V DDR3环境的向后兼容性，无需任何更改。提供完全同步操作，参考时钟的上升沿和下降沿。所有地址和控制输入在时钟的上升沿（时钟的下降沿）锁存，数据、数据选通和写数据掩码输入在时钟的上升沿和下降沿采样。数据路径内部流水线化并进行8位预取，以实现非常高的带宽。

数据手册

1+
￥39.73
10+
￥34.65
30+
￥31.56
100+
￥28.97

有货

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型号：W634GU6RB-11 编号：C29801372

封装：-

品牌：Winbond(华邦)

1+
￥44.28
10+
￥38.96
30+
￥35.72
100+
￥32.67 ￥33

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型号：W632GU6NB-11 编号：C3034991

封装：VFBGA-96

品牌：Winbond(华邦)

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1+
￥53.88
10+
￥47.63
30+
￥43.82
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￥40.2237 ￥40.63

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型号：W25N04KVZEIR TR 编号：C6750381

封装：WSON-8(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

W25N04KV是一款4G-bit的SLC QspiNAND闪存，支持SPI、Dual SPI和Quad SPI接口。它提供灵活的架构，每个块大小为128KB，总共有2048个可擦除块。该设备支持104MHz的标准、双和四SPI时钟，提供高效的数据访问和快速的编程/擦除性能。

40+
￥60.99
400+
￥55.34
1200+
￥51.89

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型号：MT25QL512ABB1EW9-0SIT 编号：C2063401

封装：WPDFN-8(6x8)

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议最高133 MHz。DTR中所有协议最高90 MHz

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1+
￥64.11
10+
￥55.35
30+
￥50.02
100+
￥45.54

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型号：CSNP16GCR01-AOW 编号：C7527488

封装：LGA-8(6.2x8)

品牌：CS(创世)

SD NAND二代16Gb pSLC.标准SD 2.0协议,支持SPI/SD接口.高可靠性,>3万次擦写寿命,通过10K次随机掉电,MSL3湿敏等级测试.具备远程升级FW功能,小文件/随机读写速度快.支持EXT4/FAT系列文件系统.超小尺寸.长期供货承诺.符合RoHS/REACH标准.

1+
￥87.53
10+
￥83.79
30+
￥69.08
100+
￥63.43

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型号：CSNP32GCR01-BOW 编号：C5440134

封装：LGA-8(6.2x8)

品牌：CS(创世)

SD NAND 32Gb MLC.标准SD 2.0协议.即插即用.通过10K次随机掉电,MSL3湿敏等级测试.具备远程升级FW功能,小文件/随机读写速度快.支持EXT4/FAT系列文件系统.自动stand by,降低功耗.高性价比.符合RoHS/REACH标准.别称:贴片式TF卡/mini eMMC

数据手册

1+
￥89.41
10+
￥85.54
30+
￥71.98
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￥66.12

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型号：MKDN512GCL-ZC 编号：C52753986

封装：LGA-16(9x13)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:TLC, 512Gbit(64GByte),工作温度 -25°C to +85°C，广泛适配在各大MCU平台上；支持1.8v/3.3v IO电压，别名SDNAND、贴片式TF卡,内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能;

1+
￥123.318 ￥132.6
30+
￥117.0498 ￥125.86

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型号：MKDN128GIL-ZAA 编号：C42415721

封装：LGA-16(9x12.5)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:pSLC,工业级宽温，擦写3万次 -40°C to +85°C,支持1.8v/3.3v IO电压内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。SD NAND别名贴片式TF卡, 贴片式SD卡，SD Flash，工业级SD卡,工业级TF卡，嵌入式SD卡，焊接式SD卡、SDNAND等

1+
￥199.538 ￥210.04
30+
￥189.392 ￥199.36

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型号：MKDN512GCL-ZAA 编号：C17700147

封装：LGA-16(9x12.5)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:TLC,SD NAND LDPC纠错;商业级，广泛适配在各大MCU平台上；支持1.8v/3.3v IO电压，速度等级：C10,U1,V10,A1,SDNAND别名贴片式TF卡,内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

1+
￥221.1125 ￥232.75
30+
￥209.874 ￥220.92

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型号：K4A8G165WC-BITD 编号：C2920133

封装：FBGA-96

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

特性：无

1+
￥282.05
30+
￥270.75

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型号：24C01BN(XBLW) 编号：C18723541

封装：SOP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

24C01是一款1024位（1K位）的串行EEPROM，组织为256个8位字。采用先进的CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用。支持1.8V至5.5V的工作电压范围，工作温度范围为-40°C至85°C。具有标准的2线双向串行接口。

20+
￥0.20159 ￥0.2122
200+
￥0.15542 ￥0.1636
600+
￥0.12977 ￥0.1366
4000+
￥0.11438 ￥0.1204
8000+
￥0.100985 ￥0.1063
20000+
￥0.09386 ￥0.0988

有货

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型号：AT24C02CDBVRG 编号：C19723706

封装：SOT-23-5

品牌：HGC(深圳汉芯)

AT24C02C是一款2 Kbit、兼容I²C的串行EEPROM器件。该器件设计工作的电源电压范围为1.7V至5.5V，最高传输速率为1MHz，工作温度范围为-40°C至+105°C。该器件集成了一个写保护引脚，用于对整个存储阵列进行硬件写保护

10+
￥0.2881
100+
￥0.2257
300+
￥0.1945
3000+
￥0.1711
6000+
￥0.1524
9000+
￥0.143

有货

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型号：AT24C04CDBVRG 编号：C19723709

封装：SOT-23-5

品牌：HGC(深圳汉芯)

AT24C04C 是一款 4Kbit 的 I²C 兼容串行 EEPROM 器件。该器件设计工作的电源电压范围为 1.7V 至 5.5V，最高传输速率为 1MHz，工作温度范围为 -40°C 至 +105°C。该器件集成了一个写保护引脚，用于对整个存储阵列进行硬件写保护

10+
￥0.3437
100+
￥0.2717
300+
￥0.2357
3000+
￥0.2087
6000+
￥0.1871
9000+
￥0.1763

有货

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型号：24C32BN(XBLW) 编号：C18723546

封装：SOP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

24C32系列是32,768位的串行可擦除可编程只读存储器，采用先进的CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用。支持标准2线双向串行接口，工作电压范围为1.8V至5.5V。

10+
￥0.37772 ￥0.3976
100+
￥0.295925 ￥0.3115
300+
￥0.25498 ￥0.2684
1000+
￥0.224295 ￥0.2361
4000+
￥0.199785 ￥0.2103
8000+
￥0.18753 ￥0.1974

有货

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型号：BL24C16F-PARC 编号：C2828223

封装：SOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C16F提供16384位串行电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)，组织为2048个字节。支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能。写保护引脚允许在接地时进行正常读写操作，连接到Vcc时启用写保护。

数据手册

10+
￥0.4529
100+
￥0.3665
300+
￥0.3233
2500+
￥0.2819
5000+
￥0.256

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型号：BL24C02F-NTRC 编号：C2828222

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C02F是一款2K位串行EEPROM，具有I2C双向数据传输协议，支持硬件数据保护，高可靠性，1百万次写周期寿命，100年的数据保留时间。

数据手册

10+
￥0.5278
100+
￥0.4339
300+
￥0.3869
3000+
￥0.3419
6000+
￥0.3137

有货

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型号：24C64N(XBLW) 编号：C18723553

封装：DIP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

24C64系列是65,536位的串行电气可擦除和可编程只读存储器，使用标准2线串行接口进行所有读写操作。

5+
￥0.59014 ￥0.6212
50+
￥0.459895 ￥0.4841
150+
￥0.39482 ￥0.4156
500+
￥0.346085 ￥0.3643
2000+
￥0.30704 ￥0.3232
4000+
￥0.28747 ￥0.3026

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型号：P24C256B-SSH-MIR 编号：C5263811

封装：SOP-8

品牌：PUYA(普冉)

P24C256B是一款I2C兼容的串行EEPROM，具有低功耗CMOS技术，支持单电源电压和高速模式。其最低工作电压可低至1.7V，时钟频率在2.5V到5.5V之间可达1MHz，在1.7V到5.5V之间可达400kHz。该设备具有64字节页写模式，自定时写周期（最大5ms），高可靠性，1百万次写周期寿命和100年的数据保留时间。

数据手册

5+
￥0.855
50+
￥0.6774
150+
￥0.5886
500+
￥0.522
2500+
￥0.4465
4000+
￥0.4199

有货

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型号：HX24C64DRG 编号：C5145460

封装：SOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

HX24C64提供64K位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件支持1.8V至5.5V的工作电压，工作温度范围为-40°C至+85°C。具有两线串行接口，支持32字节页写模式，自定时写周期时间为5ms，高可靠性，耐久性为1百万次写周期，数据保留时间为100年。

数据手册

5+
￥1.083
50+
￥0.8562
150+
￥0.759
500+
￥0.6377
2500+
￥0.5567

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型号：FM24C128D-SO-T-G-AX 编号：C908400

封装：SOP-8

品牌：FM(复旦微)

FM24C128D提供131,072位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为16,384个8位字，并带有128位唯一标识符（UID）和64字节安全区。该器件的可级联特性允许最多8个器件共享一条通用两线总线。该器件针对许多工业和商业应用进行了优化，在这些应用中，低功耗和低电压操作至关重要

数据手册