华冠存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：BL24C512A-SFRC 编号：C169114

封装：TSSOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C512A是一款512Kbits的串行EEPROM，支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能，适用于多种工业和商业应用。提供页写操作，可在3ms内完成写操作，具有100年的数据保留时间和400万次写周期寿命。

数据手册

5+
￥1.729
50+
￥1.4014
150+
￥1.261
500+
￥1.0858

有货

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型号：AT24C256CP073 编号：C51026307

封装：DIP-8

品牌：GMIC(绿微)

24C256是一款256K位I2C兼容串行EEPROM，设计用于1.7V至5.5V的供电电压范围，最高传输速率为1MHz。工作温度范围为-40°C至+105°C。该设备具有硬件写保护功能，可永久锁定整个存储阵列。

5+
￥1.94921 ￥2.0518
50+
￥1.527885 ￥1.6083
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￥1.34729 ￥1.4182
500+
￥1.12195 ￥1.181
2000+
￥1.02163 ￥1.0754
4000+
￥0.9614 ￥1.012

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型号：25Q32DR-TD 编号：C49211306

封装：SOP-8-150mil

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

通信模式：支持标准 SPI 接口，也支持双输出 / 四输出的 SPI 模式。在双输出 SPI 模式下，数据传输速度可达 266Mbit/s；四输出 SPI 模式下，数据传输速度可达 532Mbit/s

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￥1.9944
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￥1.5744
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￥1.3945
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￥1.1699

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型号：24AA01T-I/OT 编号：C122877

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA01/24LC01B（24xxx01*）是一款1Kbit电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，将128×8位存储器组织为一个存储块。低电压设计允许其在低至1V的电压下工作

数据手册

5+
￥2.0213
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￥1.6074
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￥1.4301
500+
￥1.2088

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型号：AT24C512C-SSHD-T-TUDI 编号：C36533649

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24C512/CAT24C512 是兼容工业标准2线接口的EEPROM设备，具有65,536 x 8位的存储阵列，支持页写模式，自定时写周期，工作电压范围为1.7V到5.5V，最高工作速度可达1MHz。

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￥2.05637 ￥2.1646
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￥1.64939 ￥1.7362
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￥1.47497 ￥1.5526
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￥1.257325 ￥1.3235
2500+
￥0.998925 ￥1.0515
5000+
￥0.940785 ￥0.9903

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型号：M24256-BWMN6TP 编号：C118279

封装：SOIC-8-150mil

品牌：ST(意法半导体)

256 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

5+
￥2.4029
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￥1.9276
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￥1.724
500+
￥1.3816

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型号：24AA128T-I/SN-TUDI 编号：C41410997

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

24AA128/24LC128/ (24xx128*) 是一款 16K×8（128 Kbit）串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），能够在较宽的电压范围（1.7V 至 5.5V）内工作。

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￥2.5935 ￥2.73
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￥2.299 ￥2.42
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￥2.1565 ￥2.27
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￥2.0045 ￥2.11
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￥1.919 ￥2.02
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￥1.881 ￥1.98

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型号：AT24C32E-SSHM-T 编号：C116670

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

的AT24C32E提供32,768位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为4,096个8位字。该器件的可级联特性允许最多8个器件共享一条通用的两线总线。该器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化

数据手册

1+
￥2.83
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￥2.19
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￥1.92
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￥1.58
500+
￥1.43
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￥1.34

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型号：BL24CM1A-PARC 编号：C414060

封装：SOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL24CM1A是一款1Mbit (131072 x 8)的串行EEPROM，支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能，提供高达4百万次的写周期寿命和100年的数据保留时间。

数据手册

1+
￥3.16
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￥2.5
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￥2.22
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￥1.87
500+
￥1.65
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￥1.56

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型号：HX24LC512BDRG 编号：C2987264

封装：SOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

HX24LC512B提供524,288位的串行EEPROM，组织为65,536个8位字。支持1.8V至5.5V的工作电压，具有硬件数据保护功能。工作温度范围为-40°C至+85°C，支持部分页写入，自定时写周期时间为5ms。写周期寿命为1百万次，数据保留时间为100年。支持I2C两线串行接口。

数据手册

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￥3.26
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￥2.55
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￥2.25
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￥1.87
500+
￥1.65
1000+
￥1.54

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型号：24AA256T-I/SN-TUDI 编号：C41410998

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

24AA256/24LC256/(24××256*) 是一款 32K X 8（256 Kbit）串行电可擦除 PROM，能够在较宽的电压范围（1.8V 至 5.5V）内工作。

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￥3.3535 ￥3.53
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￥2.9735 ￥3.13
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￥2.7835 ￥2.93
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￥2.603 ￥2.74
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￥2.489 ￥2.62
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￥2.432 ￥2.56

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型号：24LC02BT-E/SN 编号：C615682

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xxx02是一款2 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织形式为一个256×8位的存储块。其低电压设计允许在低至1 V的电压下工作

数据手册

1+
￥3.88
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￥3.15
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￥2.78
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￥2.42
500+
￥2.2
1000+
￥2.09

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型号：MX25R8035FZUIL0 编号：C152596

封装：USON-8-EP(2x3)

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口。支持模式0和模式3。 8,388,608 x 1位结构或4,194,304 x 2位（双I/O模式）结构。每个扇区为4K字节，或每个块为32K/64K字节。任何块都可以单独擦除。单电源供电

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1+
￥4.38
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￥3.57
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￥3.16
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￥2.75

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型号：93LC46B-I/P 编号：C511275

封装：DIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

该产品是 1Kbit 低电压串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。字可选设备（如 93AA46C、93LC46C 或 93C46C）依赖于驱动 ORG 引脚的外部逻辑电平来设置字大小。对于专用 8 位通信，有 93AA46A、93LC46A 或 93C46A 设备；对于专用 16 位通信，有 93AA46B、93LC46B 和 93C46B 设备。先进的 CMOS 技术使这些设备适用于低功耗、非易失性存储应用

数据手册

1+
￥4.42
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￥3.62
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￥3.22
100+
￥2.83
500+
￥2.59
1000+
￥2.47

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型号：M24C02-DRMF3TG/K 编号：C880085

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：ST(意法半导体)

汽车级2 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

1+
￥4.6
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￥3.67
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￥3.2
100+
￥2.74
500+
￥2.47
1000+
￥2.33

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型号：BL25CM2A-PARC 编号：C2932516

封装：SOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL25CM2A 是一款2M位（256K字节）的串行EEPROM，支持SPI接口，具有写保护功能和高可靠性。工作电压范围为2.8V至5.5V，工作温度范围为-40°C至85°C，写周期寿命为1百万次，数据保留时间为100年。

数据手册

1+
￥6.26
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￥5.17
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￥4.57
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￥3.89
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￥3.58
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￥3.45

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型号：GX2431SP2 编号：C22435412

封装：SMD,5x3mm

品牌：GXCAS(中科银河芯)

GX2431是一款1024位的EEPROM存储器，采用单总线接口，每颗芯片具有全球唯一的64位序列号，分为四页，每页256位。支持永久写保护或EPROM仿真模式，无需外围元器件，工作电压范围为2.5V~5.5V，读写数据温度范围为-55℃~+125℃。

1+
￥6.27
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￥4.99
30+
￥4.35
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￥3.72
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￥3.34
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￥3.15

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型号：MB85RS64PNF-G-JNERE1 编号：C8741

封装：SOP-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

64-Kbit(8K × 8bit)，SPI接口，工作电压：3.0V to 3.6V

数据手册

1+
￥6.47
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￥5.37
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￥4.77
100+
￥4.08
500+
￥3.54
1500+
￥3.41

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型号：AT24CM01-XHM-T 编号：C2653508

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24CM01提供1,048,576位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为131,072个8位字。该器件的级联功能最多允许连接四个。

数据手册

1+
￥9.81
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￥8.23
30+
￥7.24
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￥6.23
500+
￥5.77
1000+
￥5.57

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型号：APS1604M-3SQR-SN 编号：C18214056

封装：SOP-8

品牌：Apmemory

这款伪静态随机存取存储器（Pseudo - SRAM）器件具有高速、低引脚数接口的特点。它有 4 个输入/输出（I/O）引脚，可在串行外设接口（SPI）或四路外设接口（QP）模式下工作，频率高达 133 MHz。存储器的数据输入（A/DQ）依靠时钟（CLK）来锁存所有指令、地址和数据

1+
￥9.96
10+
￥8.3
30+
￥7.39
100+
￥6.36

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型号：M95M02-DRMN6TP 编号：C915963

封装：SOP-8

品牌：ST(意法半导体)

2 Mbit串行SPI总线EEPROM

数据手册

1+
￥12.25
10+
￥10.4
30+
￥9.25
100+
￥7.5

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型号：IS42S16400J-7TLI 编号：C2979137

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42S16400J是一款64Mb同步动态随机存取内存(SDRAM)，具有1兆位x16位x4个bank的组织结构，支持全同步操作，所有信号都参考正时钟边缘。工作频率为143MHz，单3.3V电源供电，LVTTL接口。可编程突发长度，内部bank用于隐藏行访问/预充电时间，具备自动刷新模式和低功耗模式。

数据手册

1+
￥17.55
10+
￥14.96
30+
￥13.35
100+
￥10.83
500+
￥10.08
1000+
￥9.76

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型号：DS2505+ 编号：C1523881

封装：TO-92-3

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

DS2505 16Kb 只写存储器可识别并存储与其关联产品的相关信息。这些批次或产品特定信息可通过最少的接口进行访问，例如微控制器的单个端口引脚。DS2505 包含一个工厂激光刻录的注册号，其中包括一个唯一的 48 位序列号、一个 8 位循环冗余校验码（CRC）和一个 8 位家族代码（0BH），外加 16Kb 用户可编程的 EPROM

数据手册

1+
￥24.08
10+
￥20.75
30+
￥17.89
100+
￥15.89

有货

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型号：MT41K64M16TW-107 AIT:J TR 编号：C2060943

封装：FBGA-96(8x14)

品牌：micron(镁光)

1.35V DDR3L SDRAM 设备是 1.5V DDR3 SDRAM 设备的低电压版本。在 1.5V 兼容模式下运行时，请参考 DDR3 (1.5V) SDRAM 数据表规格。

1+
￥33.06
10+
￥28.78
30+
￥26.23
100+
￥23.65
500+
￥22.46
1000+
￥21.92

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型号：MT29F2G08ABAEAWP:E 编号：C110895

封装：TSOPI-48

品牌：micron(镁光)

Flash 2GBIT

数据手册

1+
￥36.37
10+
￥31.6
30+
￥28.77
100+
￥25.91

有货

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型号：W631GU6NB-11 编号：C3034990

封装：VFBGA-96

品牌：Winbond(华邦)

数据手册

1+
￥46.53
10+
￥42.73
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￥39.09
198+
￥36.4419 ￥36.81
594+
￥35.3925 ￥35.75
990+
￥34.9272 ￥35.28

有货

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型号：CY7C1051DV33-10ZSXIT 编号：C475876

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1051DV33是一款高性能CMOS静态随机存取存储器(SRAM)，具有8-Mbit (512 K x 16)的存储容量。支持高速读写操作，工作电压为3.3V ± 0.3V，工作温度范围为-40℃至85℃。该器件支持低功耗模式，具有自动断电功能。

数据手册

1+
￥51.95
10+
￥47.86
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￥46.39
100+
￥45.16

有货

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型号：MT48LC16M16A2B4-6A:G 编号：C1351430

封装：VFBGA-54(8x8)

品牌：micron(镁光)

256Mb SDRAM是一种高速CMOS动态随机访问存储器，包含268,435,456位。它内部配置为四bankDRAM，具有同步接口（所有信号在时钟信号CLK的正沿注册）。每个x4的67,108,864位bank组织为8192行x2048列x4位。每个x8的67,108,864位bank组织为8192行x1024列x8位。每个x16的67,108,864位bank组织为8192行x512列x16位。

数据手册

1+
￥52.0478 ￥53.11
10+
￥41.2632 ￥46.89
30+
￥33.618 ￥43.1
100+
￥31.1376 ￥39.92

有货

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型号：MT29F8G08ABACAH4-IT:C TR 编号：C7001225

封装：VFBGA-63(9x11)

品牌：micron(镁光)

特性：组织架构: -页面大小: -x8：2,112 字节（2,048 + 64 字节）。 -x16：1,056 字（1,024 + 32 字）。块大小：64 页（128K + 4K 字节）。设备容量：2Gb：2,048 块；4Gb：4,096 块；8Gb：8,192 块。读取性能: -随机读取：25μs。顺序读取：30ns（仅 3V x8）

1+
￥55.78
10+
￥54.75
30+
￥54.06
100+
￥53.36

有货

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型号：MT25QU512ABB8ESF-0SIT 编号：C2061983

封装：SO-16-300mil

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率：STR所有协议下最大166 MHz；DTR所有协议下最大90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s

数据手册

1+
￥76.19
10+
￥67.17
30+
￥61.67
100+
￥57.07

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