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GD25LQ16C(16M 位)串行闪存支持标准串行外设接口(SPI),并支持双/四 SPI:串行时钟、片选、串行数据 I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)和 I/O3(HOLD#)。双 I/O 数据传输速度为 208Mbit/s,四 I/O 和四输出数据传输速度为 416Mbit/s。
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  • SPI(串行外设接口)NAND闪存基于行业标准的NAND闪存存储核心,为嵌入式系统提供了一种超高性价比且高密度的非易失性存储解决方案。它具备先进特性,是SPI-NOR和标准并行NAND闪存的理想替代方案。引脚总数为8个,包括VCC和GND
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  • MD25Q64C(64M位)串行闪存支持标准串行外设接口(SPI),并支持双/四路SPI:串行时钟、片选、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)和I/O3(HOLD#)。双I/O数据传输速率为240Mbit/s,四路I/O和四路输出数据传输速率为480Mbit/s。
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  • GD25Q16C(16M位)串行闪存支持标准串行外设接口(SPI),并支持双/四SPI:串行时钟、片选、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)和I/O3(HOLD#)。双I/O数据传输速率为240Mbit/s,四I/O和四输出数据传输速率为480Mbit/s。
    数据手册
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  • GD25LQ128D(128M位)串行闪存支持标准串行外设接口(SPI),并支持双/四SPI和QPI模式:串行时钟、片选、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)和I/O3(HOLD#)。双I/O数据传输速度为240Mbit/s,四I/O和四输出数据传输速度为480Mbit/s。
    数据手册
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  • GD9Ax4GxF3A/GD9Ax8GxE3A/GD9AxAGxD3A的容量为4Gbit/8Gbit/16Gbit。可在整个页面上以典型编程时间tPROG执行编程操作,在每个块上以典型块擦除时间tBERS执行擦除操作。页面中的数据可以每个字节tRC周期时间读出
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  • GD25LE64E(64M位)串行闪存支持标准串行外设接口(SPI)以及双/四路SPI:串行时钟、片选、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)、I/O3(HOLD#)。双I/O数据传输速度为266Mbit/s,四路I/O数据传输速度为532Mbit/s。
    数据手册
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    • 1000+

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  • GD25LQ80C(8M位)串行闪存支持标准串行外设接口(SPI),并支持双/四SPI:串行时钟、片选、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)和I/O3(HOLD#)。双I/O数据传输速度为208Mbit/s,四I/O和四输出数据传输速度为416Mbit/s。
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  • GD25VQ80C是一款8M-bit的双模式和四模式串行闪存,支持标准SPI、双SPI和四SPI操作。具备高速读取能力,最高时钟频率可达104MHz。提供多种封装选项,包括SOP8、DIP8和USON8等。具有低功耗特性,典型待机电流为1μA,深度休眠电流为1μA。支持灵活的架构,每个扇区大小为4K字节,每个块大小为32K/64K字节。
    数据手册
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