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  • GD25B256D(256M位)串行闪存支持标准串行外设接口(SPI),并支持双/四SPI:串行时钟、片选、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2和I/O3。双I/O数据传输速度为208Mbit/s,四I/O和四输出数据传输速度为416Mbit/s。
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  • GD25LQ80C(8M位)串行闪存支持标准串行外设接口(SPI),并支持双/四SPI:串行时钟、片选、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)和I/O3(HOLD#)。双I/O数据传输速度为208Mbit/s,四I/O和四输出数据传输速度为416Mbit/s。
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  • GD25VQ80C是一款8M-bit的双模式和四模式串行闪存,支持标准SPI、双SPI和四SPI操作。具备高速读取能力,最高时钟频率可达104MHz。提供多种封装选项,包括SOP8、DIP8和USON8等。具有低功耗特性,典型待机电流为1μA,深度休眠电流为1μA。支持灵活的架构,每个扇区大小为4K字节,每个块大小为32K/64K字节。
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  • 串行闪存支持标准串行外设接口 (SPI),并支持双输出:串行时钟、片选、串行数据 I/O0 (SI)、O1 (SO)。双输出数据传输速度为 160Mbits/s。
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  • GD9FU1G8F2A是一款1Gb SLC NAND Flash存储器,支持单级单元技术,具有1004个有效块,支持ONFI 1.0协议,工作电压为2.7V至3.6V,适用于工业温度范围(-40°C至85°C)。
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  • 特性:电源:VDD = VDDQ = 1.2V(1.14V 至 1.26V);VPP = 2.5V(2.375V 至 2.75V)。 JEDEC 标准封装:x16 96 球 FBGA。 阵列配置:8 个存储体(x16),2 组 4 个存储体。 8n 位预取架构。 突发长度(BL):8 和 4 带突发截断(BC)。 可编程 CAS 延迟(CL)
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