兆易创新存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：GD25LQ80ETIGR 编号：C22421787

封装：SOP-8

品牌：GigaDevice(兆易创新)

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￥3.67
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型号：GD25Q127CSIGR 编号：C395513

封装：SOP-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25Q127C（128M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI），并支持双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）和I/O3（HOLD#/ RESET#）。双I/O数据传输速度为208Mbit/s，四I/O和四输出数据传输速度为416Mbit/s。

数据手册

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型号：GD25B256DFIGR 编号：C2904423

封装：SOP-16-300mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25B256D（256M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI），并支持双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2和I/O3。双I/O数据传输速度为208Mbit/s，四I/O和四输出数据传输速度为416Mbit/s。

数据手册

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￥14.08
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型号：GD25Q80ESIG 编号：C2832999

封装：SOP-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25Q80E（8M 位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）以及双/四路 SPI：串行时钟、片选、串行数据 I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（HOLD#）。双 I/O 数据传输速度为 266Mbit/s，四路 I/O 数据传输速度为 532Mbit/s。

数据手册

1+
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型号：GD25Q16CEIGR 编号：C2973793

封装：USON-8(2x3)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25Q16C（16M位）串行闪存支持标准串行外围接口（SPI），并支持双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）和I/O3（HOLD#）。双I/O数据传输速度为240Mbit/s，四I/O和四输出数据传输速度为480Mbit/s。

数据手册

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型号：GD25B64ESIGR 编号：C6954184

封装：SOIC-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

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￥4.18
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￥2.98
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￥2.59
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型号：GD25B32ES2GR 编号：C25960595

封装：SOP-8

品牌：GigaDevice(兆易创新)

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型号：GD25LQ128EWIGR 编号：C2928889

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25LQ128E（128M 位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）以及双/四路 SPI：串行时钟、片选、串行数据 I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（HOLD#）。双 I/O 数据传输速度为 240Mbit/s，四路 I/O 数据传输速度为 480Mbit/s。

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型号：GD25Q80ETIG 编号：C2937366

封装：SOP-8-150mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25Q80E（8M 位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）以及双/四路 SPI：串行时钟、片选、串行数据 I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（HOLD#）。双 I/O 数据传输速度为 266Mbit/s，四路 I/O 数据传输速度为 532Mbit/s。

数据手册

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￥4.57
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￥3.49
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型号：MD25Q128SIGR 编号：C48533655

封装：SOP-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

MD25Q128（128M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI），并支持双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）和I/O3（HOLD#/RESET#）。双I/O数据传输速度为208Mbit/s，四I/O和四输出数据传输速度为416Mbit/s。

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型号：GD5F4GQ6UEYIGR 编号：C5253627

封装：USON-8-EP(6x8)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

SPI（串行外设接口）NAND闪存基于行业标准的NAND闪存存储内核，为嵌入式系统提供了一种极具成本效益且高密度的非易失性存储解决方案。它是SPI-NOR和标准并行NAND闪存的理想替代方案，具备以下先进特性：引脚总数为8个，包括VCC和GND。

数据手册

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￥53.07
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￥45.46
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￥40.82

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型号：MD25Q32CSIG 编号：C19723292

封装：SOP-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

MD25Q32C（32M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI），并支持双/四路SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）和I/O3（HOLD#）。双I/O数据传输速度为240Mbit/s，四路I/O和四路输出数据传输速度为480Mbit/s。

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型号：GD25LQ16CNIGR 编号：C395509

封装：USON-8-EP(3x4)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25LQ16C（16M 位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI），并支持双/四 SPI：串行时钟、片选、串行数据 I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）和 I/O3（HOLD#）。双 I/O 数据传输速度为 208Mbit/s，四 I/O 和四输出数据传输速度为 416Mbit/s。

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￥6.09
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型号：GD25Q32CSIG 编号：C79075

封装：SOP-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

32Mbit,SPIFLASH

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￥7.25
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型号：GD5F1GQ5REYIGR 编号：C2927042

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GigaDevice SPI-NAND GD5F1GQ5REYIGR 是一款1Gb SLC NAND Flash，支持标准、双、四线SPI及DTR模式。具有低功耗、高可靠性、内部ECC等功能，适用于嵌入式系统。

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型号：GD5F1GQ5UEYIGY 编号：C2886520

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GigaDevice GD5F1GQ5UEYIGY 是一款1Gb SLC NAND Flash，支持标准、双线、四线SPI和双传输率模式。具备高级安全特性，如8K字节OTP区域、内部ECC校验等。适用于嵌入式系统，提供低功耗和高可靠性。

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￥27.23
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￥24.19
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型号：GD25LE128ELIGR 编号：C22431879

封装：WLCSP-16(1.5x1.5)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25LE128E（128M 位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）以及双/四通道 SPI：串行时钟、片选、串行数据 I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（HOLD#/RESET#）。双 I/O 数据传输速率为 266Mbit/s，四 I/O 数据传输速率为 532Mbit/s。

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型号：GD25WQ128ESIGR 编号：C5749721

封装：SOIC-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

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￥21.23
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型号：GD25LQ40CTIGR 编号：C2904422

封装：SOP-8-150mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25LQ40C/20C/10C/05C（4M/2M/1M/512K位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI），并支持双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）和I/O3（HOLD#）。双I/O数据传输速度为208Mbit/s，四I/O和四输出数据传输速度为416Mbit/s。

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￥1.77
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型号：GD25LQ16ESIGR 编号：C5718251

封装：SOIC-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

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￥2.1
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型号：GD5F1GQ5REYFGR 编号：C2976330

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25Q32E（32M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）以及双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（HOLD#）。双I/O数据传输速度为266Mbit/s，四I/O数据传输速度为532Mbit/s。

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型号：GD5F2GQ5UEYIGR 编号：C2880463

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

SPI（串行外设接口）NAND闪存基于行业标准的NAND闪存存储核心，为嵌入式系统提供了一种超高性价比且高密度的非易失性存储解决方案。凭借其先进特性，它是SPI-NOR和标准并行NAND闪存的理想替代方案。引脚总数为8个，包括VCC和GND

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￥53.4
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型号：GD5F1GQ5REWIGR 编号：C26248805

封装：WSON8(6x8)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

SPI (Serial Peripheral Interface) NAND Flash provides an ultra-cost effective while high density non-volatile memory storage solution for embedded systems, based on an industry-standard NAND Flash memory core. It is an attractive alternative to SPI-NOR and standard parallel NAND Flash, with advanced features. Total pin count is 8, including VCC and GND. Density is 1Gb. Superior write performance and cost per bit over SPI-NOR. Significant low cost than parallel NAND. This low-pin-count NAND Flash memory follows the industry-standard serial peripheral interface, and always remains the same pin out from one density to another. The command sets resemble common SPI-NOR command sets, modified to handle NAND specific functions and added new features. It is an easy-to-integrate NAND Flash memory, with specified designed features to ease host management:。User-selectable internal ECC. ECC parity is generated internally during a page program operation. When a page is read to the cache register, the ECC parity is detected and corrects the errors when necessary. The 64-bytes spare area is available even when internal ECC enabled. The device outputs corrected data and returns an ECC error status.。Internal data move or copy back with internal ECC. The device can be easily refreshed and manage garbage collection task, without need of shift in and out of data.。Power on Read with internal ECC. The device will automatically read first page of first block to cache after power on, then host can directly read data from cache for easy boot. Also the data is promised correct by internal ECC when ECC enabled. It is programmed and read in page-based operations, and erased in block-based operations. Data is transferred to or from the NAND Flash memory array, page by page, to a data register and a cache register. The cache register is closest to I/O control circuits and acts as a data buffer for the I/O data; the data register is closest to the memory array and acts as a data buffer for the NAND Flash memory array operation. The cache register functions as the buffer memory to enable page and random data READ/WRITE and copy back operations. These devices also use a SPI status register that reports the status of device operation.