FM复旦存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：XTSDG08GWSIGA 编号：C25836657

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：XTX(芯天下)

XTX SD NAND是一种嵌入式存储解决方案，设计为WSON8或LGA8封装。支持1.8V和3.3V供电电压，符合SD 2.0接口标准，适用于大多数嵌入式应用，具有高可靠性和低功耗。

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型号：MKDV64GCL-STP 编号：C7500180

封装：LGA-8(6.6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:MLC,商业级选型推荐,广泛适配在各大MCU平台上；MKDV64GCL-STH/STL升级款;尺寸6.6x8mm。 P/E Cycles 6万次，C10, U1, V10, A2；SDNAND别名贴片式TF卡、贴片式SD卡、T卡等, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

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型号：CY7C1061GN30-10ZSXI 编号：C1353032

封装：TSOPII-54

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1061GN30-10ZSXI是一款高性能CMOS静态随机存取存储器，组织为1,048,576字节×16-Bit。最高访问时间为10ns/15ns，工作电压范围为2.2V至3.6V。

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型号：IS43TR16512BL-125KBLI 编号：C2940542

封装：BGA-96

品牌：ISSI(美国芯成)

特性：标准电压：VDD和VDDO = 1.5V ± 0.075V。低电压（L）：VDD和VDDO = 1.35V + 0.1V，-0.067V。向后兼容1.5V。高速数据传输速率，系统频率高达933 MHz。 8个内部存储体，可并发操作。 8n位预取架构

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型号：MT47H128M16RT-25E IT:C 编号：C477948

封装：FBGA-84

品牌：micron(镁光)

存储器类型:易失存储器格式:DRAM 存储器接口:并联写周期时间-字,页:15ns 访问时间:400ps 安装类型:表面贴装型封装/外壳: 84-TFBGA 供应商器件封装: 84-FBGA（9x12.5）

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型号：IS61WV10248EDBLL-10TLI 编号：C1349228

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：RMWV6416AGSD-5S2#AA0 编号：C5884752

封装：TSOPII-52

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

RMWV6416A系列是一组64 Mbit的静态随机存取存储器（SRAM），采用高性能高级低功耗静态随机存取存储器（LPSRAM）技术制造，其存储结构为4,194,304字×16位。RMWV6416A系列实现了更高的密度、更高的性能和更低的功耗。该系列具有低功耗待机模式，因此适用于电池备份系统

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型号：K3LKBKB0BM-MGCP 编号：C45255477

封装：-

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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型号：HK24C02HA-USR-B 编号：C33576247

封装：SOP-8

品牌：HK(航顺)

HK24C02HA-USR-B是一款2Kbit的I2C兼容串行EEPROM，具有低功耗、宽电压范围（1.8V到5.5V）、8字节页写模式、自定时写周期、高可靠性和长数据保留时间等特性。

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型号：BL24C08F-SFRC 编号：C2763859

封装：TSSOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C08F 提供 8192 位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为 1024 个 8 位字。该器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化。

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型号：HX24C02CDRG 编号：C49451907

封装：SOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

2-Kbit(256 x 8bit)，I2C接口，工作电压：1.7V to 5.5V

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型号：FEP24C08YTSSOP8G/TR 编号：C49425004

封装：TSSOP-8

品牌：Full-Way(四方杰芯)

8Kbit与I2C兼容的EEPROM，TSSOP8封装

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￥0.398145 ￥0.4191
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￥0.316065 ￥0.3327
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￥0.244245 ￥0.2571
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型号：P24C128D-TSH-MIR 编号：C2977252

封装：TSSOP-8

品牌：PUYA(普冉)

P24C128D是一款128-Kbit I2C兼容串行EEPROM，包含16384x8位的存储阵列，每页64字节。支持低功耗CMOS技术，读写电流分别为400uA和1.6mA。具有噪声抑制功能，支持顺序和随机读取，页写模式，部分页写允许，写保护，自定时写周期（最大5ms），高可靠性，擦写寿命超过1百万次，数据保留时间超过100年。

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型号：FEP24C32YSOP8G/TR 编号：C49425006

封装：SOP-8

品牌：Full-Way(四方杰芯)

32Kbit与I2C兼容的EEPROM，SOP8封装

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￥0.464455 ￥0.4889
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￥0.368695 ￥0.3881
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￥0.320815 ￥0.3377
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￥0.284905 ￥0.2999
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型号：FEP24C16YTSSOP8G/TR 编号：C48994851

封装：TSSOP-8

品牌：Full-Way(四方杰芯)

16Kbit与I2C兼容的EEPROM，TSSOP8封装

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￥0.48659 ￥0.5122
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￥0.38627 ￥0.4066
150+
￥0.33611 ￥0.3538
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￥0.268375 ￥0.2825
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型号：FEP24C64YSOP8G/TR 编号：C49425007

封装：SOP-8

品牌：Full-Way(四方杰芯)

64Kbit与I2C兼容的EEPROM，SOP8封装

5+
￥0.48659 ￥0.5122
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￥0.38627 ￥0.4066
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￥0.33611 ￥0.3538
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型号：24C08(LX) 编号：C45384747

封装：SOP-8

品牌：LX(灵星芯微)

8K比特位I2C接口EEPROM

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￥0.5077
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￥0.3997
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￥0.3457
500+
￥0.3052

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型号：24LC64(LX) 编号：C45384746

封装：SOP-8

品牌：LX(灵星芯微)

64K比特位I2C接口EEPROM

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￥0.5122
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￥0.5004
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￥0.4925

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型号：P25D16SH-SSH-IT 编号：C5263839

封装：SOP-8-150mil

品牌：PUYA(普冉)

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￥0.5169
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型号：BL24C16F-NTRC 编号：C2999163

封装：UDFN-8L(2x3)

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C16F提供16384位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为2048个字的8位。适用于低功耗和低电压操作的工业和商业应用。

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型号：FT24C128A-TSR-T 编号：C5263781

封装：SOP-8

品牌：FMD(辉芒微)

FT24C128A系列是131,072位的串行电可擦可编程只读存储器，采用先进的CMOS工艺制造，适用于低电压和低功耗应用。该设备具有标准的2线双向串行接口，支持部分页面写操作，具有自定时写周期和硬件数据保护功能。工作电压范围为1.7V至5.5V，工作温度范围为-40°C至85°C，数据保留时间为100年，写周期寿命为1,000,000次。

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型号：AT24C02C-SSHM-T-TUDI 编号：C22469219

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24C02C-SSHM-T-TUDI是一款2Kbit (256x8)的I2C兼容串行EEPROM，工作电压范围为1.7V至5.5V，具有硬件数据保护功能。

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￥0.624245 ￥0.6571
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￥0.487445 ￥0.5131
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￥0.419045 ￥0.4411
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型号：P25Q32SL-SUH-IT 编号：C50201866

封装：SOP-8-208mil

品牌：PUYA(普冉)

串行接口闪存存储设备，适用于大量基于消费的应用程序，其中程序代码从闪存复制到嵌入式或外部RAM中执行。灵活的擦除架构，其页面擦除粒度也非常适合数据存储，无需额外的数据存储设备。擦除块大小经过优化，可满足当今代码和数据存储应用的需求，提高了内存空间的使用效率。包含3*1024字节的安全寄存器，具有一次性可编程（OTP）锁，可用于设备序列化、系统级电子序列号（ESN）存储、锁定密钥存储等。支持在1.65V至2.0V的宽电源电压范围内进行读取、编程和擦除操作，编程和擦除无需单独的电压。

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型号：24C64(LX) 编号：C45384745

封装：SOP-8

品牌：LX(灵星芯微)

64K比特位I2C接口EEPROM

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￥0.5317
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￥0.4597
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￥0.4057

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型号：P24C32C-SSH-MIR 编号：C2977254

封装：SOP-8

品牌：PUYA(普冉)

P24C32C是一款I2C兼容的32K位串行EEPROM，具有32字节的页面写入模式，支持部分页面写入，写保护整个内存阵列，以及可锁定的附加页面。它还具有自定时写周期（最大5毫秒）和高可靠性，数据保留时间超过100年，耐受超过1百万次写周期。

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型号：M24C04-FDW6TP 编号：C2061106

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

4 Kbit串行I2C总线EEPROM

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型号：PY25Q32HB-SSH-IT 编号：C50201611

封装：SOP-8-150mil

品牌：PUYA(普冉)

串行接口闪存设备，适用于各种基于消费级的高容量应用，程序代码可从闪存映射到嵌入式或外部 RAM 中执行。灵活的擦除架构，其扇区擦除粒度也适用于数据存储，无需额外的数据存储设备。擦除块大小经过优化，可满足当今代码和数据存储应用的需求，能更有效地利用内存空间，减少大扇区和大块擦除闪存设备中出现的浪费和未使用的内存空间。内存空间效率的提高允许在保持相同整体设备密度的同时添加额外的代码例程和数据存储段