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的AT25010B/020B/040B提供1024/2048/4096位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为128/256/512个字，每个字8位。该器件针对许多对低功耗和低电压运行有要求的工业和商业应用进行了优化。AT25010B/020B/040B采用节省空间的JEDEC SOIC、UDFN、TSSOP、XDFN和VFBGA封装

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型号：M24512-DFMC6TG 编号：C222237

封装：DFN-8(2x3)

品牌：ST(意法半导体)

512 Kbit串行I2C总线EEPROM，具有三条芯片使能线

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型号：GD25Q80CSIG 编号：C79073

封装：SOP-8-208mil

8M-bit SPI FLASH ,支持2线Dual、4线Quad SPI接口

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型号：GD25Q80ESIG 编号：C2832999

封装：SOP-8-208mil

GD25Q80E（8M 位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）以及双/四路 SPI：串行时钟、片选、串行数据 I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（HOLD#）。双 I/O 数据传输速度为 266Mbit/s，四路 I/O 数据传输速度为 532Mbit/s。

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型号：93LC66BT-I/SN 编号：C46698

封装：SOP-8

是 4Kbit 低电压串行电可擦除 PROM（EEPROM）。字可选设备（如 93AA66C、93LC66C 或 93C66C）依赖于驱动 ORG 引脚的外部逻辑电平来设置字大小。对于专用 8 位通信，有 93XX66A 设备，而 93XX66B 设备提供专用 16 位通信。先进的 CMOS 技术使这些设备适用于低功耗、非易失性存储应用。整个 93XX 系列有标准封装（包括 8 引脚 PDIP 和 SOIC）和先进封装（包括 8 引脚 MSOP、6 引脚 SOT-23、8 引脚 2x3 DFN/TDFN 和 8 引脚 TSSOP）。所有封装均为无铅（哑光锡）表面处理。

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型号：MX25L4006EM1I-12GTR 编号：C2803013

封装：SOP-8

该设备具有串行外设接口和软件协议，允许在简单的三线总线上运行。四个总线信号分别是时钟输入 (SCLK)、串行数据输入 (SI)、串行数据输出 (SO) 和片选 (CS#)。通过 CS# 输入可启用对设备的串行访问。

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型号：MX25L3236FM2I-08Q 编号：C504701

封装：SOP-8-208mil

32Mb 串行 NOR 闪存，内部配置为 4,194,304 x 8。在四 I/O 模式下，结构变为 8,388,608 位 x 4；在两 I/O 模式下，结构变为 16,777,216 位 x 2。具有串行外设接口和软件特性。

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型号：BY25Q64ASSIG(R) 编号：C2686191

封装：SOP-8-208mil

品牌：BOYAMICRO(博雅)

是64M位串行外设接口（SPI）闪存，支持双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP）和I/O3（/HOLD）。双I/O数据传输速度为240Mbits/s，四I/O和四输出数据传输速度为480Mbits/s。该器件使用单一低压电源，范围从2.7V到3.6V。此外，该器件支持JEDEC标准制造商和设备ID以及三个256字节的安全寄存器。

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型号：MX25V1635FM2ITR 编号：C2802926

封装：SOP-8-208mil

特性：2.3V-3.6V用于读取、擦除和编程操作。支持唯一ID和安全一次性可编程（OTP）。支持多I/O。支持单I/O、双I/O和四I/O。支持编程暂停/恢复和擦除暂停/恢复。支持串行外设接口。模式0和模式3。 16,777,216 x 1位结构或8,388,608 x 2位（双I/O模式）结构或4,194,304 x 4位（四I/O模式）结构。每个扇区为4K字节，每个块为32K字节或每个块为64K字节

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型号：AT24C16D-MAHM-T 编号：C2061409

封装：UDFN-8-EP(2x3)

AT24C16D提供16384位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织形式为2048个8位字。该器件针对低功耗和低电压运行至关重要的众多工业和商业应用进行了优化。该器件提供节省空间的8引脚SOIC、8引脚TSSOP、8焊盘UDFN、8引脚PDIP、5引脚SOT23和8球VFBGA封装

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型号：MX25L3233FM1I-08G 编号：C2802994

封装：SOP-8

特性：Hold功能。多I/O支持。单I/O、双I/O和四I/O。自动擦除和自动编程算法。编程暂停/恢复和擦除暂停/恢复

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型号：MX25L8006EM1I-12G 编号：C106262

封装：SOP-8

8-Mbit( 8 x 1bit/4 x 2bit)，工作电压：2.7V to 3.6V

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型号：GD25B64ESIGR 编号：C6954184

封装：SOIC-8-208mil

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型号：MX25L4006EM1I-12G 编号：C56001

封装：SOP-8

4-Mbit(4M x 1bit/2M x 2bit)，SPI接口，工作电压：2.7V to 3.6V

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型号：24AA32AT-I/SN 编号：C2061215

封装：SOP-8

是一款32 Kbit电可擦除PROM。该设备被组织为一个4K x 8位内存的单块，具有两线串行接口。低电压设计允许低至1.7V的操作，待机和工作电流分别仅为1 μA和1 mA。它专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信或数据采集。还具备高达32字节数据的页面写入能力。功能地址线允许在同一总线上最多连接八个设备，提供高达256 Kbits的地址空间。有标准8引脚PDIP、表面贴装SOIC、SOIJ、TSSOP、DFN、TDFN和MSOP封装。也有5引脚SOT-23和芯片级封装。

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型号：GX2431P 编号：C472477

封装：MSOP-8

品牌：GXCAS(中科银河芯)

GX2431是一款1024位1-Wire EEPROM芯片，由四个存储器页组成，每页256位。数据先被写入一个8字节暂存器中，经校验无误后复制到EEPROM存储器。其特点在于，四个存储器页相互独立，可以单独设置写保护或EPROM仿真模式。通过一根1-Wire总线进行通信，通信采用标准的1-Wire协议。

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型号：24LC64T-E/OT 编号：C616248

封装：SOT-23-5

24Xx64是一款64 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织为一个8K×8位的单块存储器。其低电压设计允许最低1 V的工作电压

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型号：M24C64-DRMN3TP/K 编号：C377947

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

汽车级64 Kbit串行I2C总线EEPROM

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型号：CAT24M01HU5I-GT3 编号：C233775

封装：UDFN-8(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

CAT24M01是一款1Mb I2C接口的串行EEPROM，内部组织为131,072个8位字。支持标准（100 kHz）、快速（400 kHz）和快速加（1 MHz）I2C协议。具有256字节页写缓冲区和硬件写保护功能。

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型号：GD25B32ES2GR 编号：C25960595

封装：SOP-8

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型号：M95M02-DRMN6TP-TUDI 编号：C41355575

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

M95M02是一款2Mbit（256K字节）的串行SPI总线EEPROM，具有页大小为256字节，支持字节写入和页写入操作。工作电压为2.8V至5.5V，时钟频率最高可达5MHz，具有超过400万次的写周期寿命和超过200年的数据保留时间。提供多种封装选项，包括SO8和WLCSP8。

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型号：IS62C256AL-45TLI 编号：C47143

封装：TSOPI-28

品牌：ISSI(美国芯成)

256-Kbit(32K x 8bit)，并行接口，工作电压：5V

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型号：GD25LQ128EWIGR 编号：C2928889

封装：WSON-8-EP(5x6)