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封装：SOP-8

M95M02是一款2Mbit（256K字节）的串行SPI总线EEPROM，具有页大小为256字节，支持字节写入和页写入操作。工作电压为2.8V至5.5V，时钟频率最高可达5MHz，具有超过400万次的写周期寿命和超过200年的数据保留时间。提供多种封装选项，包括SO8和WLCSP8。

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￥6.9255 ￥7.29
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￥6.2415 ￥6.57
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￥5.168 ￥5.44

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型号：IS62C256AL-45TLI 编号：C47143

封装：TSOPI-28

品牌：ISSI(美国芯成)

256-Kbit(32K x 8bit)，并行接口，工作电压：5V

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型号：GD25LQ128EWIGR 编号：C2928889

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25LQ128E（128M 位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）以及双/四路 SPI：串行时钟、片选、串行数据 I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（HOLD#）。双 I/O 数据传输速度为 240Mbit/s，四路 I/O 数据传输速度为 480Mbit/s。

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￥7.87
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型号：FM24C16B-GTR 编号：C66016

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM24C16B是一款16-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用先进的铁电工艺，具有高耐久性和低功耗。支持100万亿次读写操作，数据保留时间长达151年。支持最高1 MHz的I2C接口。

数据手册

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￥7.98
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￥5.74
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￥4.26

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型号：MX25R6435FZNIL0 编号：C2802849

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：MXIC(旺宏电子)

64Mb 串行 NOR 闪存，内部配置为 8,388,608 x 8。

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￥9.58
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￥7.96
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￥7.07

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型号：24AA128T-I/MNY 编号：C2653498

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24XXX128是一款16K x 8（128 Kbit）串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。

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￥9.64
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型号：MX25L25645GMI-10G 编号：C527818

封装：SOIC-16-300mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口。模式0和模式3单电源操作。读、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏。 268,435,456 x 1位结构或134,217,728 x 2位（双I/O模式）结构或67,108,864 x 4位（四I/O模式）结构。支持单I/O、双I/O和四I/O协议。从 -1V到Vcc +1V的闩锁保护至100mA

数据手册

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￥11.6366 ￥14.02
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￥8.5176 ￥13.52

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型号：XT25Q128FSSIGU-W 编号：C42162955

封装：SOP-8-208mil

品牌：XTX(芯天下)

128Mb，1.8V，SOP8 208mil封装，工业级温度

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￥12.14
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￥10.26
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￥9.08
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型号：ZD35Q1GC-IB 编号：C2928927

封装：WSON-8(6x8)

品牌：Zetta(澜智)

1Gb,SPI NAND FLASH,2.7-3.6V,WSON6*8,VerC

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￥11.69
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型号：IS42S32200L-6TLI 编号：C521294

封装：TSOP-86-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

64Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，专为在3.3V内存系统中运行而设计，包含67,108,864位。其内部配置为具有同步接口的四存储体DRAM。每个16,777,216位存储体被组织为2,048行×256列×32位

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型号：XT25F256BWSIGT 编号：C2759959

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：XTX(芯天下)

串行闪存支持标准串行外设接口 (SPI)、双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP#)、I/O3 (HOLD#/RESET#)。

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￥17.62
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￥14.92
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型号：MT29F1G08ABAEAWP:E 编号：C524870

封装：TSOPI-48

品牌：micron(镁光)

特性：符合开放NAND闪存接口 (ONFI) 1.0标准。单级单元 (SLC) 技术。页面大小x8：2112字节 (2048 + 64字节)。页面大小x16：1056字 (1024 + 32字)。块大小：64页 (128K + 4K字节)。平面大小：2个平面，每个平面512个块

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￥17.65
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￥17.25
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型号：K4B2G1646F-BYMA 编号：C22362395

封装：FBGA-96(7.5x13.3)

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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￥18.01
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￥15.18
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型号：24LC256T-I/MS 编号：C613348

封装：MSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款32K x 8（256 Kbit）串行电可擦除PROM，能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信或数据采集。该设备还具备高达64字节数据的页写入能力。能够在256K边界内进行随机和顺序读取。功能地址线允许在同一总线上连接多达八个设备，以实现高达2 Mbit的地址空间。

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￥18.58
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￥15.76
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￥14.08
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型号：CY7C1041GN30-10ZSXIT 编号：C462529

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1041GN 是高性能 CMOS 快速静态随机存取存储器，组织形式为 256K 字×16 位。数据写入操作通过将片选信号（CE(overline)）和写使能信号（WE(overline)）输入置为低电平来执行，同时在 I/O₀ 至 I/O₁₅ 引脚上提供数据，并在 A₀ 至 A₁₇ 引脚上提供地址。高位字节使能（BHE）和低位字节使能（BLE）输入控制对指定存储单元的高字节和低字节的写操作

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￥18.89
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￥16.04
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型号：DS2505+T&R 编号：C2061969

封装：TO-92-2.54mm

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

DS2505 16Kb 只写存储器可识别并存储与其关联产品的相关信息。这些批次或产品特定信息可通过最少的接口进行访问，例如微控制器的单个端口引脚。DS2505 包含一个工厂激光刻录的注册号，其中包括一个唯一的 48 位序列号、一个 8 位循环冗余校验码（CRC）和一个 8 位家族代码（0BH），外加 16Kb 用户可编程的 EPROM

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￥19.33
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￥14.89
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￥12.2853 ￥13.21
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￥11.5692 ￥12.44
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￥11.2437 ￥12.09

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型号：MX29LV640EBTI-70GTR 编号：C2802726

封装：TSOP-48

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：8,388,608 x 8 / 4,194,304 x 16 可切换扇区结构。8KB(4KW) x 8 和 64KB(32KW) x 127。额外 128 字扇区用于安全。扇区组保护/芯片解锁：具有工厂锁定、可识别和客户可锁定功能。提供扇区组保护功能，防止在受保护扇区组中进行编程或擦除操作。提供芯片解锁功能，允许更改代码

1+
￥20.25
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￥17.43
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￥15.76

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型号：MKDV2GCL-AB 编号：C2686056

封装：LGA-8(6x8)

品牌：MK(米客方德)

MK SD NAND 是一款设计为 LGA 封装形式的嵌入式存储解决方案。其操作类似于商业标准的 SD 卡，由 NAND 闪存和高性能控制器组成，支持高达 50 MHz 的时钟频率，支持 SPI 模式，写入速度最高可达 Class 6，封装尺寸为 6x8mm。工作电压为 3.3V，工作温度范围为 -25°C 至 85°C。

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￥21.071 ￥22.18
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￥18.012 ￥18.96
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￥16.1975 ￥17.05
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￥14.364 ￥15.12
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￥13.509 ￥14.22
960+
￥13.129 ￥13.82

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型号：IS42S16800F-7TLI 编号：C69411

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

128-Mbit(16M × 8bit)，并行接口，工作电压：3.3V

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70+
￥25.266779
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￥23.355846
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￥21.497994

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型号：ZD25Q512AYIGY 编号：C39840904

封装：DFN-8L(6x8)

品牌：Zetta(澜智)

SPI NOR FLASH,512Mbit,2.7~3.6V,DFN-8L(6x8),WSON-8-EP(6x8),Tube

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￥24.88
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￥16.41
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￥15.44
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￥15

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型号：IS25LP256D-JLLE 编号：C1350139

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP256D和IS25WP256D串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，该方案在简化引脚封装的情况下仍具备高度的灵活性和出色的性能。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多I/O模式。该器件支持双I/O和四I/O模式，以及标准、双输出和四输出SPI模式

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1+
￥27.32
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￥23.27
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￥20.86
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￥17.66

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型号：XT26G01DLAIGA 编号：C29781623

封装：LGA-8(6x5)

品牌：XTX(芯天下)

XT26G01D 是一款 1G-bit (128M-byte) 的 SPI NAND Flash 存储器，支持标准 SPI 接口，双/四线 I/O 选项，具有高级写保护机制。

1+
￥27.46
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￥23.46
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￥21.07
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￥18.66

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型号：IS46TR16640C-125JBLA1 编号：C7598607

封装：TWBGA-96(9x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS46TR16640C-125JBLA1是一款64Mx16 DDR3 SDRAM，支持1.5V供电，数据传输速率为1600MT/s，时序为10-10-10。适用于汽车A1等级，具有低功耗模式、自刷新模式和写入恢复时间等功能。

1+
￥27.75
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￥23.52
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￥21
190+
￥18.46
570+
￥17.28
950+
￥16.75

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型号：NT5CC128M16JR-EK 编号：C428583

封装：TFBGA-96

品牌：Nanya(南亚科技)

数据手册

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￥30.29
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￥26.16
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￥23.7

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型号：IS62WV25616BLL-55TLI-TR 编号：C76487

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

4-Mbit(256K × 16bit)，并行接口，工作电压：2.5V to 3.6V

数据手册

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￥30.31
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￥25.94
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￥23.34

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型号：S25FL256SAGNFI000 编号：C914933

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

特性：CMOS 3.0 伏核心，具备通用 I/O。 SPI 支持多 I/O。 SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3，具备 DDR 选项。扩展寻址：24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容。多 I/O 命令集和引脚布局与 S25FL-P SPI 系列兼容

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