博雅存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：MT28EW01GABA1LJS-0SIT 编号：C2064354

封装：TSOP-56-14.0mm

特性：单级单元（SLC）工艺技术。密度：1Gb。电源电压：VCC(overline) = 2.7–3.6V（编程、擦除、读取）；VCCQ(overline) = 1.65-VCC（I/O 缓冲器）。异步随机/页面读取。页面大小：16 字或 32 字节。页面访问：20ns

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￥94.47
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￥90.92
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￥84.78

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型号：MKDV08GCL-STP 编号：C19192126

封装：LGA-8(6.6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:MLC,商业级选型推荐;广泛适配在各大MCU平台上；尺寸6.6x8mm。支持SD2.0,-25°C to +85°C，C10, U1, V10, A2；SDNAND别名贴片式TF卡、贴片式SD卡、T卡等, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

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￥100.719 ￥106.02
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￥96.197 ￥101.26
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￥88.3595 ￥93.01
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￥81.529 ￥85.82

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型号：H5AN8G6NCJR-VKC 编号：C2803261

封装：FBGA-96

品牌：HYNIX(海力士)

是 8Gb CMOS 双数据速率 IV (DDR4) 同步动态随机存取存储器 (SDRAM)，非常适合需要大存储密度和高带宽的主存储器应用。提供完全同步操作，参考时钟的上升沿和下降沿。所有地址和控制输入在 CK 的上升沿锁存，数据、数据选通和写数据掩码输入在其上升沿和下降沿采样。数据路径内部流水线化并进行 8 位预取，以实现非常高的带宽。

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￥98.24

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型号：MT47H128M16RT-25E:C 编号：C46795

封装：FBGA-84(9x12.5)

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = 1.8V±0.1V，VDDQ = 1.8V±0.1V。 JEDEC标准1.8V I/O（SSTL_18兼容）。差分数据选通（DQS，DQS#）选项。 4n位预取架构。 x8的重复输出选通（RDQS）选项。 DLL使DQ和DQS转换与CK对齐。 8个内部存储体用于并发操作。可编程CAS延迟（CL）。后置CAS附加延迟（AL）。写入延迟 = 读取延迟-1 tCK。可编程突发长度：4或8。可调数据输出驱动强度。 64ms，8192周期刷新。片上终端（ODT）。工业温度（IT）选项。符合RoHS标准。支持JEDEC时钟抖动规范

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￥130.67
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￥125.03
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型号：CY14B256LA-SZ45XIT 编号：C2951972

封装：SOIC-32

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

的CY14B256LA是一款高速静态随机存取存储器（SRAM），每个存储单元都包含一个非易失性元件。该存储器组织形式为32K字节，每字节8位。嵌入式非易失性元件采用了量子阱（QuantumTrap）技术

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型号：FEMDRW008G-88A39 编号：C3249966

封装：BGA-153

品牌：FORESEE(江波龙)

应用领域：工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装。EMMC,工业EMMC，工业宽温EMMC、FORESEE, LONGSYS,工规宽温EMMC，工规宽温存储芯片，工业宽温存储芯片，工规芯片，工业芯片、国产EMMC、国产工规宽温EMMC、国产工业宽温EMMC、江波龙、工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装、工业级、汽车级、工规级

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型号：KLMBG2JETD-B041 编号：C5821038

封装：FBGA-153

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

三星eMMC是一种采用BGA封装形式设计的嵌入式MMC解决方案。eMMC的操作与MMC设备相同，因此只需使用行业标准的MMC协议v5.1对存储器进行简单的读写操作。eMMC由NAND闪存和MMC控制器组成。NAND区域（VDDF或VCC）需要3V的电源电压，而MMC控制器支持1.8V或3V双电源电压（VDD或VCCQ）

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型号：CY7C1381KV33-133AXI 编号：C914902

封装：TQFP-100

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1381KV33-133AXI 是一款支持133 MHz总线操作的3.3V 512K x 36 和 1M x 18 流通SRAM，具有ECC功能，用于减少软错误率。

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￥276.78
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￥256.29

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型号：K4AAG165WA-BCTD 编号：C2920139

封装：FBGA-96

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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型号：SL24C08D 编号：C5155393

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

SL24C08D是一款1024x8位电可擦除PROM，采用两线串行接口，工作电压范围为1.8V~5.5V，具有页写能力，每页16字节。支持多种封装形式，包括SOP-8、DIP-8和SOT-23-5。具有低功耗待机模式，擦写寿命为100万次，数据保持时间为100年。

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￥0.3256
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型号：ZD25WD20BKIGR 编号：C3646779

封装：USON-6(1.2x1.2)

品牌：Zetta(澜智)

SPI NOR FLASH,2Mbit,1.65~3.6V,USON-6(1.2x1.2),Tape&Reel

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型号：AT24C16-TD 编号：C42421828

封装：SOP-8

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

电可擦除PROM，采用256/512/1024/2048/4096/8192×8-bit的组织结构以及两线串行接口。电压可允许低至1.8V，待机电流和工作电流分别为1μA和1mA。具有页写能力，每页分别为8/16/16/16/32/32字节。具有8-pin PDIP和8-pin SOP和5-pin SOT三种封装形式。

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￥0.3712
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型号：HG24C02M/TR 编号：C7432098

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

HG24C02M/TR提供2048位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），内部组织为256个8位字。该设备适用于许多工业和商业应用，支持低功耗和低电压操作。支持I2C（2-wire）接口，工作电压范围为1.7V至5.5V，工作温度范围为-40°C至+85°C。

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￥0.3725
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型号：HK24C16HA-USR-B 编号：C33576252

封装：SOP-8

品牌：HK(航顺)

HK24C16HA-USR-B是一款16Kbit (2048 x 8)的I2C兼容串行EEPROM，具有低功耗特性，工作电压范围为1.8V至5.5V，支持16字节页写模式，具有自定时写周期（最大5ms），1MHz (5V)和400kHz (1.8V, 2.5V, 2.7V)兼容性，工业温度范围（-40°C至85°C），100年数据保留时间，1,000,000次写周期寿命。

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型号：HG24C02CM/TR 编号：C7432361

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

HG24C02M/TR升级替代料，建议试样，HG24C02C是一款2-Kbit I2C兼容串行EEPROM，工作电压范围为1.7V至5.5V，最高传输速率为1MHz，工作温度范围为-40°C至+105°C。该设备具有硬件和软件写保护功能，可提供高达2,000,000次写周期寿命和200年的数据保留时间。

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型号：HX24LC02BDRG 编号：C2987256

封装：SOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

HX24LC02B/04B/08B/16B 提供 2K/4K/8K/16K 位的串行 EEPROM，支持 1.7V 到 5.5V 的宽电压操作，工作温度范围为 -40°C 到 +85°C。内部组织为 256/512/1024/2048 个 8 位字。支持 I2C 接口，最大时钟频率为 1MHz（5V），400kHz（1.8V, 2.5V, 2.7V）。具有硬件写保护功能，写周期寿命为 1 百万次，数据保留时间为 100 年。

数据手册

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型号：HK24C64HA-USR-B 编号：C33576254

封装：SOP-8

品牌：HK(航顺)

HK24C64是一款64Kbit的I2C兼容串行EEPROM，具有低功耗、宽工作电压范围（1.8V至5.5V）、32字节页写模式、标准2线双向串行接口、自定时写周期（最大5ms）、1MHz（5V）和400kHz（1.8V、2.5V、2.7V）兼容性、硬件数据保护等功能。工作温度范围为-40℃至85℃，数据保留时间为100年。

5+
￥0.4748
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￥0.3785
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￥0.3304
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型号：HG24C04M/TR 编号：C2688457

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

HG24C04提供4096位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为512个8位字。该器件针对低功耗和低电压运行至关重要的众多工业和商业应用进行了优化。HG24C04有节省空间的8引脚PDIP、8引脚SOP、8引脚TSSOP、8引脚MSOP、8焊盘DFN和SOT23 - 5封装可供选择，并可通过两线串行接口进行访问

数据手册

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￥0.4806
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型号：AT24C16DGKRG 编号：C19723711

封装：MSOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

AT24C16是一款16K位串行EEPROM，具有宽电压操作范围（1.7V至5.5V），工作温度范围为-40°C至+85°C。它支持两线串行接口，最大时钟频率为1MHz（5V），400kHz（1.8V, 2.5V, 2.7V）。该器件具有写保护引脚，支持16字节页写模式，自定时写周期时间最大为5ms，数据保留时间为100年，写周期寿命为100万次。

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￥0.5041
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￥0.3985
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￥0.2744
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￥0.2585

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型号：HX24C08DRG 编号：C5145455

封装：SOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

HX24C08提供8K位（1024字节）的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），适用于低功耗和低电压操作。支持1.7V至5.5V的工作电压范围，工作温度范围为-40°C至+85°C，具有硬件写保护功能，自定时写周期时间为5ms，高可靠性，写周期寿命为100万次，数据保留时间为100年。

数据手册

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￥0.5173
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￥0.4117
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￥0.3589
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￥0.3193
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￥0.2744
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￥0.2585

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型号：HG24C08M/TR 编号：C2688459

封装：SOIC-8

品牌：HGSEMI(华冠)

HG24C08提供8K位的串行EEPROM，支持1.8V至5.5V宽电压操作，工作温度范围为-40°C至+85°C。具有硬件写保护功能，支持部分页写入，自定时写周期，高可靠性，数据保留时间为100年。

数据手册

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￥0.5219
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￥0.3579
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￥0.3169
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￥0.2841
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￥0.2677

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型号：24C16(LX) 编号：C22397201

封装：SOP-8

品牌：LX(灵星芯微)

24C16是一款16-Kbit串行EEPROM设备，包含2048 × 8bits的存储阵列，每页16字节。适用于低电压和低功耗系统。

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￥0.5586
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￥0.4434
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￥0.3858
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￥0.3426
2500+
￥0.2993
4000+
￥0.282

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型号：HX24LC04BDRG 编号：C2987257

封装：SOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

HX24LC02B/04B/08B/16B 提供 2K/4K/8K/16K 位的串行 EEPROM，支持 1.7V 到 5.5V 的宽电压操作，工作温度范围为 -40°C 到 +85°C。内部组织为 256/512/1024/2048 个 8 位字。支持 I2C 接口，最大时钟频率为 1MHz（5V），400kHz（1.8V, 2.5V, 2.7V）。具有硬件写保护功能，写周期寿命为 1 百万次，数据保留时间为 100 年。

数据手册

5+
￥0.5657
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￥0.4481
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￥0.2942
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￥0.2765

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型号：ZD25WD20BEIGR 编号：C2759919

封装：USON-8-EP(2x3)

品牌：Zetta(澜智)

新版本ZD25WD20CEIGR

数据手册

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￥0.6122
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￥0.4772
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￥0.4097
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￥0.359
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￥0.3185
6000+
￥0.2983

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型号：HX24LC08BDRG 编号：C2987258

封装：SOIC-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

HX24LC02B/04B/08B/16B 提供 2K/4K/8K/16K 位的串行 EEPROM，支持 1.7V 到 5.5V 的宽电压操作，工作温度范围为 -40°C 到 +85°C。内部组织为 256/512/1024/2048 个 8 位字。支持 I2C 接口，最大时钟频率为 1MHz（5V），400kHz（1.8V, 2.5V, 2.7V）。具有硬件写保护功能，写周期寿命为 1 百万次，数据保留时间为 100 年。

数据手册

5+
￥0.6268
50+
￥0.502
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￥0.4396
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￥0.3928
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￥0.3243
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￥0.3055

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型号：AT24C32-TD 编号：C42421829

封装：SOP-8

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

电可擦除PROM，采用256/512/1024/2048/4096/8192×8-bit的组织结构以及两线串行接口。电压可允许低至1.8V，待机电流和工作电流分别为1μA和1mA。具有页写能力，每页分别为8/16/16/16/32/32字节。具有8-pin PDIP和8-pin SOP和5-pin SOT三种封装形式。

5+
￥0.6354
50+
￥0.6211
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￥0.6115

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型号：HG24C08CMM/TR 编号：C22396889

封装：MSOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

HG24C08MM/TR升级替代料，建议试样，HG24C08C是一款8K位I2C兼容串行EEPROM，支持1.7V至5.5V的工作电压，最高传输速率为1MHz，具有硬件和软件写保护功能，提供多种封装选项，包括DIP-8、SOP-8、MSOP-8、TSSOP-8、DFN-8和SOT-23-5。

5+
￥0.6685
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型号：HG24C04MM/TR 编号：C5310846

封装：MSOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

HG24C04提供4096位的串行可擦除可编程只读存储器（EEPROM），内部组织为512个8位字。该设备适用于多种工业和商业应用，支持低功耗和低电压操作。工作电压范围为1.7V至5.5V，工作温度范围为-40°C至+85°C。通过两线串行接口访问。

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￥0.6701
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型号：HG24C32M/TR 编号：C2688467

封装：SOIC-8

品牌：HGSEMI(华冠)

HG24C32 / HG24C64 提供 32,768 / 65,536 位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织形式为 4096 / 8192 个字，每个字 8 位。该器件针对许多对低功耗和低电压操作有要求的工业和商业应用进行了优化。HG24C32 / HG24C64 采用节省空间的 8 引脚 DIP、8 引脚 SOP 和 8 引脚 TSSOP 封装，可通过两线串行接口访问

数据手册

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￥0.6716
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￥0.5282
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￥0.4027
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￥0.3384
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￥0.3168

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型号：AT24C08CM5/TR 编号：C22396891

封装：SOT-23-5

品牌：HGSEMI(华冠)

AT24C08M5/TR升级替代料，建议试样，AT24C08C是一款8-Kbit I2C-compatible串行EEPROM设备。该设备设计用于-40°C至+105°C的工作温度范围。设备集成了写保护引脚，用于硬件写保护整个存储器阵列。设备还提供了软件写保护功能，用户可以写保护整个存储器阵列。存储器阵列组织为64页，每页16字节，总计1024*8位。设备提供了一个额外的16字节标识页，用于存储敏感的应用参数。该页包含一个工厂编程的128位唯一ID，可以通过发送特定的读命令访问。

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￥0.678
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