博雅存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：MX25L1606EM2I-12G 编号：C415878

封装：SOP-8-208mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：保持功能。低功耗。自动擦除和自动编程算法。额外的512位安全一次性可编程（OTP）用于唯一标识符。单电源操作。读取、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏

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￥8.48
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￥7.13
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￥6.39
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￥5.55
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￥5.05
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￥4.88

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型号：FM24CL04B-GTR 编号：C914924

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

4-Kbit非易失性存储器采用先进的铁电工艺。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，其读写操作类似于RAM。它可提供151年的可靠数据保留，同时消除了EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与EEPROM不同，FM24CL04B以总线速度执行写操作，不会产生写延迟。每个字节成功传输到设备后，数据会立即写入存储阵列，下一个总线周期无需数据轮询即可开始。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有更高的写入耐久性

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￥9.07
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￥7.67
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￥6.9
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￥6.03
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￥5.42
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型号：HG25Q128M/TR 编号：C5310797

封装：SOP-8-208mil

品牌：HGSEMI(华冠)

串行闪存，带有双/四元SPI

数据手册

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￥9.14
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￥7.68
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￥5.96
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￥5.31
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型号：XT25F128FWOIGT-W 编号：C3202839

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：XTX(芯天下)

XT25F128F-W（128M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）、双/四路SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）和I/O3（HOLD#/RESET#）。

数据手册

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￥9.94
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￥8.32
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￥7.43
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型号：MX25U6432FZNI02 编号：C2802906

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口-模式0和模式3。单电源操作-读取、擦除和编程操作电压范围为1.65至2.0伏。 67,108,864 x 1位结构或33,554,432 x 2位（双I/O模式）结构或16,777,216 x 4位（四I/O模式）结构。协议支持-单I/O、双I/O和四I/O。从 -1V到Vcc + 1V的闩锁保护至100mA。 SPI模式的快速读取-所有协议支持高达133MHz的时钟频率

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￥11.67
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型号：MX25R6435FZAIL0 编号：C2802847

封装：WSON-8-EP(4x4)

品牌：MXIC(旺宏电子)

64Mb 串行 NOR 闪存，内部配置为 8,388,608 x 8。

数据手册

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￥12.69
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￥11.04
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型号：24LC515T-I/SM 编号：C616117

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

512K位I2C CMOS串行EEPROM，支持1.7V到5.5V的工作电压，具有低功耗CMOS技术，支持100kHz和400kHz时钟频率，具有硬件写保护功能。

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￥22.31
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￥17.18
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型号：GD25WQ128ESIGR 编号：C5749721

封装：SOIC-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

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￥22.76
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型号：MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1 编号：C189908

封装：SOP-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

是一款铁电随机存取存储器 (FRAM) 芯片，采用 262,144 字 × 8 位配置，使用铁电工艺和硅栅 CMOS 工艺技术形成非易失性存储单元。采用串行外设接口 (SPI)，无需使用备用电池即可保留数据，存储单元可进行 10¹³ 次读/写操作，写入数据无需像闪存或 EPROM 那样等待。

数据手册

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￥30.93
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￥26.46
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￥20.3
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￥18.5

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型号：MT25QL128ABA1EW7-0SIT 编号：C2887898

封装：DFN-8(5x6)

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率（STR/DTR）。时钟频率：STR中所有协议的最大频率为133 MHz。DTR中所有协议的最大频率为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量最高可达90 MB/s。 STR和DTR均支持的协议：扩展I/O协议

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￥50.25
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￥44.22
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￥40.55
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型号：IS42S16160J-7BLI 编号：C1348766

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容

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￥50.26
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￥45.07
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￥39.9
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￥37.24

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型号：XT61M4G8D2TA-B8BEA 编号：C558832

封装：BGA-162(8x10.5)

品牌：XTX(芯天下)

XT61M4G8D2TA-B8BxX 是一种多芯片封装 (MCP) 存储器，结合了 4Gb (512M x 8) NAND Flash 和 2Gb (64M x 32) 低功耗 DDR2 SDRAM。NAND Flash 提供高密度非易失性存储解决方案，而 LPDDR2 SDRAM 适用于需要大容量快速存储的应用，如临时数据访问。

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￥53.576 ￥66.97
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￥52.896 ￥66.12
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￥51.712 ￥64.64
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￥45.16 ￥56.45

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型号：W958D8NBYA5I 编号：C7420405

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

特性：接口：HyperBus。电源：1.7V~2.0V。最大时钟频率：250MHz。双倍数据速率（DDR）高达500MB/s

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￥58.9
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￥53.44
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￥51.38
480+
￥50.43

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型号：MT25QL512ABB8ESF-0SIT 编号：C1350089

封装：SO-16-300mil

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议最高133 MHz。DTR中所有协议最高90 MHz

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1+
￥120.95
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￥116.47
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￥108.71
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￥101.94

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型号：MKDN064GCL-AD 编号：C52754173

封装：LGA-16(9x12.5)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND 64Gbit(8GByte),MLC，商业级 -25°C to +85°C，支持1.8v/3.3v IO电压,别名SDNAND、贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

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￥174.0115 ￥183.17
30+
￥165.9175 ￥174.65

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型号：K4F8E3S4HD-MGCL 编号：C2920231

封装：FBGA-200

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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￥202.28
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￥191.82

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型号：H5AN8G6NCJR-XNI 编号：C18213114

封装：FBGA-96(7.5x13)

品牌：HYNIX(海力士)

1+
￥227.56
30+
￥220

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型号：MKDN128GIL-ZAA 编号：C42415721

封装：LGA-16(9x12.5)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:pSLC,工业级宽温，擦写3万次 -40°C to +85°C,支持1.8v/3.3v IO电压内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。SD NAND别名贴片式TF卡, 贴片式SD卡，SD Flash，工业级SD卡,工业级TF卡，嵌入式SD卡，焊接式SD卡、SDNAND等

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￥560.1865 ￥589.67
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￥531.715 ￥559.7

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型号：AD24C02 编号：C5125033

封装：SOP-8

品牌：IDCHIP(英锐芯)

AD24C02是一款串行电可擦除编程只读存储器(EEPROM)。存储器可存储256个字节数据，分为32页每页8字节，随机字寻址需要8位数据字地址，具有低功耗CMOS技术，自定时编程周期。AD24C02为SOT23-5、SOP-8、PDIP-8三种封装。

数据手册

10+
￥0.2324
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￥0.1844
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￥0.1604
1000+
￥0.1424
4000+
￥0.1246
8000+
￥0.1174

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型号：24C02-HXY 编号：C7427344

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

24C02是一款低电压低功耗的两线串行EEPROM，支持1.8V到5.5V的工作电压，工业温度范围为-40°C到85°C。具有16字节页写模式，部分页写操作允许，内部组织为256×8 (2K)，标准2线双向串行接口，自定时编程周期（最大5ms），1 MHz (2.5-5V)，400 kHz (1.8V)兼容，自动擦除前写操作，硬件数据保护，高可靠性（通常1,000,000次耐久性），100年数据保留。

10+
￥0.2337 ￥0.246
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￥0.191045 ￥0.2011
300+
￥0.16967 ￥0.1786
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￥0.153615 ￥0.1617
4000+
￥0.123975 ￥0.1305
8000+
￥0.117515 ￥0.1237

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型号：AT24C08CDR310 编号：C51026302

封装：SOP-8

品牌：GMIC(绿微)

24C08是一款8192位的串行EEPROM，分为1024个字（8位）的存储单元。采用先进的CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用。支持标准2线双向串行接口，工作电压范围为1.8V到5.5V，工业温度范围为-40°C到85°C。

10+
￥0.284022 ￥0.3054
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￥0.224688 ￥0.2416
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￥0.195021 ￥0.2097
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￥0.172701 ￥0.1857
4000+
￥0.154938 ￥0.1666
8000+
￥0.14601 ￥0.157

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型号：AT24C16CDR179 编号：C51026305

封装：SOP-8

品牌：GMIC(绿微)

24C16是一款16-Kbit串行EEPROM设备，包含2048 × 8bits的存储阵列，每页16字节。适用于低电压和低功耗系统。

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￥0.308367 ￥0.3807
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￥0.243081 ￥0.3001
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￥0.210438 ￥0.2598
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￥0.185895 ￥0.2295
4000+
￥0.166293 ￥0.2053
8000+
￥0.156492 ￥0.1932

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型号：FT24C02A-KLR-T 编号：C5189122

封装：SOT-23-5

品牌：FMD(辉芒微)

FT24C02A-KLR-T是一款2K位的串行EEPROM，具有低电压和低功耗操作，支持1.8V至5.5V的工作电压，工业温度范围为-40°C至85°C。该器件具有16字节的页写模式，部分页写操作允许，内部组织为256×8（2K）。标准2线双向串行接口，具有噪声保护输入，自定时编程周期（最大5ms），1,000,000次写周期寿命，100年的数据保留时间。

10+
￥0.3193
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￥0.2524
300+
￥0.2189
1000+
￥0.1938
5000+
￥0.1737

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型号：HX24LC02BDBVRG 编号：C2987265

封装：SOT-23-5

品牌：HGC(深圳汉芯)

HX24LC02B是一款2K位I2C兼容串行EEPROM设备，设计用于1.7V至5.5V的工作电压范围，最高传输速率为1MHz，工作温度范围为-40°C至+105°C。该设备包括一个写保护引脚，用于硬件写保护整个存储器阵列。此外，还提供了软件写保护功能，用户可以写保护整个存储器阵列。

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10+
￥0.38196 ￥0.4244
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￥0.29772 ￥0.3308
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￥0.2556 ￥0.284
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￥0.22401 ￥0.2489
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￥0.19872 ￥0.2208
9000+
￥0.18603 ￥0.2067

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型号：AT24C02-TD 编号：C42421822

封装：SOP-8

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

是电可擦除PROM，采用256/512/1024/2048/4096/8192×8-bit的组织结构以及两线串行接口。电压可允许低至1.8V，待机电流和工作电流分别为1μA和1mA。具有页写能力，每页分别为8/16/16/16/32/32字节。具有8-pin PDIP和8-pin SOP和5-pin SOT三种封装形式。

10+
￥0.3922
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￥0.31
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￥0.2689
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￥0.2381
4000+
￥0.2135
8000+
￥0.2012

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型号：AT24C04CDGKRG 编号：C19723708

封装：MSOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

AT24C04C 是一款 4Kbit 的 I²C 兼容串行 EEPROM 器件。该器件设计工作的电源电压范围为 1.7V 至 5.5V，最高传输速率为 1MHz，工作温度范围为 -40°C 至 +105°C。该器件集成了一个写保护引脚，用于对整个存储阵列进行硬件写保护

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￥0.4034
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￥0.317
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￥0.2738
3000+
￥0.2414
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￥0.2155
9000+
￥0.2025

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型号：AT24C16C-SSHM-T 编号：C41411481

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

AT24C16C-SSHM-T是一款2K至16K位的串行EEPROM，支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能，写保护引脚可防止误写入，支持部分页面写入，具有高可靠性和增强的ESD/闩锁保护。

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￥0.4359
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￥0.3399
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￥0.2919
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￥0.2559
4000+
￥0.2331
8000+
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型号：HX24LC02BDRG 编号：C2987256

封装：SOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

HX24LC02B/04B/08B/16B 提供 2K/4K/8K/16K 位的串行 EEPROM，支持 1.7V 到 5.5V 的宽电压操作，工作温度范围为 -40°C 到 +85°C。内部组织为 256/512/1024/2048 个 8 位字。支持 I2C 接口，最大时钟频率为 1MHz（5V），400kHz（1.8V, 2.5V, 2.7V）。具有硬件写保护功能，写周期寿命为 1 百万次，数据保留时间为 100 年。

数据手册

10+
￥0.4384
100+
￥0.3448
300+
￥0.298

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型号：AT24C64CDR332 编号：C51026298

封装：SOP-8

品牌：GMIC(绿微)

24C64提供64K位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件支持1.8V至5.5V的工作电压，工作温度范围为-40°C至+85°C。具有两线串行接口，支持32字节页写模式，自定时写周期时间为5ms，高可靠性，耐久性为1百万次写周期，数据保留时间为100年。

5+
￥0.44783 ￥0.4714
50+
￥0.352925 ￥0.3715
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￥0.30552 ￥0.3216
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￥0.26999 ￥0.2842
2500+
￥0.24149 ￥0.2542
4000+
￥0.22724 ￥0.2392

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型号：ZD24C16A-STGMT 编号：C20622850

封装：SOT-23-5L

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C16A 提供16384位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为2048个8位字。该设备适用于许多工业和商业应用，其中低功耗和低电压操作至关重要。

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￥0.3274
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