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8M-bit SPI FLASH ,支持2线Dual、4线Quad SPI接口

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型号：GD25Q80ESIG 编号：C2832999

封装：SOP-8-208mil

GD25Q80E（8M 位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）以及双/四路 SPI：串行时钟、片选、串行数据 I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（HOLD#）。双 I/O 数据传输速度为 266Mbit/s，四路 I/O 数据传输速度为 532Mbit/s。

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型号：93LC66BT-I/SN 编号：C46698

封装：SOP-8

是 4Kbit 低电压串行电可擦除 PROM（EEPROM）。字可选设备（如 93AA66C、93LC66C 或 93C66C）依赖于驱动 ORG 引脚的外部逻辑电平来设置字大小。对于专用 8 位通信，有 93XX66A 设备，而 93XX66B 设备提供专用 16 位通信。先进的 CMOS 技术使这些设备适用于低功耗、非易失性存储应用。整个 93XX 系列有标准封装（包括 8 引脚 PDIP 和 SOIC）和先进封装（包括 8 引脚 MSOP、6 引脚 SOT-23、8 引脚 2x3 DFN/TDFN 和 8 引脚 TSSOP）。所有封装均为无铅（哑光锡）表面处理。

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型号：MX25L4006EM1I-12GTR 编号：C2803013

封装：SOP-8

该设备具有串行外设接口和软件协议，允许在简单的三线总线上运行。四个总线信号分别是时钟输入 (SCLK)、串行数据输入 (SI)、串行数据输出 (SO) 和片选 (CS#)。通过 CS# 输入可启用对设备的串行访问。

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型号：MX25L3236FM2I-08Q 编号：C504701

封装：SOP-8-208mil

32Mb 串行 NOR 闪存，内部配置为 4,194,304 x 8。在四 I/O 模式下，结构变为 8,388,608 位 x 4；在两 I/O 模式下，结构变为 16,777,216 位 x 2。具有串行外设接口和软件特性。

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型号：AT24C16D-MAHM-T 编号：C2061409

封装：UDFN-8-EP(2x3)

AT24C16D提供16384位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织形式为2048个8位字。该器件针对低功耗和低电压运行至关重要的众多工业和商业应用进行了优化。该器件提供节省空间的8引脚SOIC、8引脚TSSOP、8焊盘UDFN、8引脚PDIP、5引脚SOT23和8球VFBGA封装

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型号：MX25L8006EM1I-12G 编号：C106262

封装：SOP-8

8-Mbit( 8 x 1bit/4 x 2bit)，工作电压：2.7V to 3.6V

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型号：GD25B64ESIGR 编号：C6954184

封装：SOIC-8-208mil

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型号：MX25L4006EM1I-12G 编号：C56001

封装：SOP-8

4-Mbit(4M x 1bit/2M x 2bit)，SPI接口，工作电压：2.7V to 3.6V

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型号：24AA32AT-I/SN 编号：C2061215

封装：SOP-8

是一款32 Kbit电可擦除PROM。该设备被组织为一个4K x 8位内存的单块，具有两线串行接口。低电压设计允许低至1.7V的操作，待机和工作电流分别仅为1 μA和1 mA。它专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信或数据采集。还具备高达32字节数据的页面写入能力。功能地址线允许在同一总线上最多连接八个设备，提供高达256 Kbits的地址空间。有标准8引脚PDIP、表面贴装SOIC、SOIJ、TSSOP、DFN、TDFN和MSOP封装。也有5引脚SOT-23和芯片级封装。

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型号：GX2431P 编号：C472477

封装：MSOP-8

品牌：GXCAS(中科银河芯)

GX2431是一款1024位1-Wire EEPROM芯片，由四个存储器页组成，每页256位。数据先被写入一个8字节暂存器中，经校验无误后复制到EEPROM存储器。其特点在于，四个存储器页相互独立，可以单独设置写保护或EPROM仿真模式。通过一根1-Wire总线进行通信，通信采用标准的1-Wire协议。

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型号：M24C64-DRMN3TP/K 编号：C377947

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

汽车级64 Kbit串行I2C总线EEPROM

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型号：CAT24M01HU5I-GT3 编号：C233775

封装：UDFN-8(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

CAT24M01是一款1Mb I2C接口的串行EEPROM，内部组织为131,072个8位字。支持标准（100 kHz）、快速（400 kHz）和快速加（1 MHz）I2C协议。具有256字节页写缓冲区和硬件写保护功能。

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型号：M95M02-DRMN6TP-TUDI 编号：C41355575

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

M95M02是一款2Mbit（256K字节）的串行SPI总线EEPROM，具有页大小为256字节，支持字节写入和页写入操作。工作电压为2.8V至5.5V，时钟频率最高可达5MHz，具有超过400万次的写周期寿命和超过200年的数据保留时间。提供多种封装选项，包括SO8和WLCSP8。

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型号：GD25LQ128EWIGR 编号：C2928889

封装：WSON-8-EP(5x6)

GD25LQ128E（128M 位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）以及双/四路 SPI：串行时钟、片选、串行数据 I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（HOLD#）。双 I/O 数据传输速度为 240Mbit/s，四路 I/O 数据传输速度为 480Mbit/s。

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型号：MX25R6435FZNIL0 编号：C2802849

封装：WSON-8-EP(5x6)

64Mb 串行 NOR 闪存，内部配置为 8,388,608 x 8。

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型号：24AA128T-I/MNY 编号：C2653498

封装：TDFN-8-EP(2x3)

24XXX128是一款16K x 8（128 Kbit）串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。

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型号：XT25Q128FSSIGU-W 编号：C42162955

封装：SOP-8-208mil

品牌：XTX(芯天下)

128Mb，1.8V，SOP8 208mil封装，工业级温度

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型号：ZD35Q1GC-IB 编号：C2928927

封装：WSON-8(6x8)

品牌：Zetta(澜智)

1Gb,SPI NAND FLASH,2.7-3.6V,WSON6*8,VerC

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型号：25LC320-I/SN 编号：C47093

封装：SOP-8

32-Kbit(4K x 8bit)，SPI接口，工作电压：2.5V to 5.5V

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型号：IS42S32200L-6TLI 编号：C521294

封装：TSOP-86-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

64Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，专为在3.3V内存系统中运行而设计，包含67,108,864位。其内部配置为具有同步接口的四存储体DRAM。每个16,777,216位存储体被组织为2,048行×256列×32位

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型号：24AA256UID-I/ST 编号：C619605

封装：TSSOP-8

24AA256UID是一款32K×8（256 Kbit）串行电可擦除PROM，预编程有EUI - 48和EUI - 64节点地址以及一个32位唯一ID，能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。

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型号：MT29F1G08ABAEAWP:E 编号：C524870

封装：TSOPI-48

品牌：micron(镁光)

特性：符合开放NAND闪存接口 (ONFI) 1.0标准。单级单元 (SLC) 技术。页面大小x8：2112字节 (2048 + 64字节)。页面大小x16：1056字 (1024 + 32字)。块大小：64页 (128K + 4K字节)。平面大小：2个平面，每个平面512个块

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型号：XT25F256BWSIGT 编号：C2759959

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：XTX(芯天下)

串行闪存支持标准串行外设接口 (SPI)、双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP#)、I/O3 (HOLD#/RESET#)。

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型号：K4B2G1646F-BYMA 编号：C22362395

封装：FBGA-96(7.5x13.3)

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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型号：CY7C1041GN30-10ZSXIT 编号：C462529

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1041GN 是高性能 CMOS 快速静态随机存取存储器，组织形式为 256K 字×16 位。数据写入操作通过将片选信号（CE(overline)）和写使能信号（WE(overline)）输入置为低电平来执行，同时在 I/O₀ 至 I/O₁₅ 引脚上提供数据，并在 A₀ 至 A₁₇ 引脚上提供地址。高位字节使能（BHE）和低位字节使能（BLE）输入控制对指定存储单元的高字节和低字节的写操作

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型号：DS2505+T&R 编号：C2061969

封装：TO-92-2.54mm

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

DS2505 16Kb 只写存储器可识别并存储与其关联产品的相关信息。这些批次或产品特定信息可通过最少的接口进行访问，例如微控制器的单个端口引脚。DS2505 包含一个工厂激光刻录的注册号，其中包括一个唯一的 48 位序列号、一个 8 位循环冗余校验码（CRC）和一个 8 位家族代码（0BH），外加 16Kb 用户可编程的 EPROM

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型号：MKDV2GCL-AB 编号：C2686056

封装：LGA-8(6x8)

品牌：MK(米客方德)

MK SD NAND 是一款设计为 LGA 封装形式的嵌入式存储解决方案。其操作类似于商业标准的 SD 卡，由 NAND 闪存和高性能控制器组成，支持高达 50 MHz 的时钟频率，支持 SPI 模式，写入速度最高可达 Class 6，封装尺寸为 6x8mm。工作电压为 3.3V，工作温度范围为 -25°C 至 85°C。

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型号：25LC1024-I/SM 编号：C40938

封装：SOIJ-8-5.28mm