BL贝岭存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：AT24C32D-XHM-T 编号：C2685757

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压和标准电压操作：VCC = 1.7V至5.5V。内部结构为4,096 x 8（32K）。工业温度范围：-40°C至+85°C。I²C兼容（两线）串行接口

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型号：W25X10CLSNIG 编号：C56210

封装：SOIC-8

品牌：Winbond(华邦)

1-Mbit(128K x 8bit)，SPI接口，工作电压：2.3V to 3.6V

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型号：11LC010T-E/TT 编号：C2062073

封装：SOT-23

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

11AAXXX/11LCXXX（11xx*）系列器件是一组容量范围从 1 Kbit 到 16 Kbit 的串行电可擦除 PROM。这些器件以 8 位存储器块的形式组织，并支持获得专利的单输入/输出 UNI/O⊕ 串行总线。通过使用曼彻斯特编码技术，时钟和数据被合并为一个单串行比特流（SClO），接收器从中提取时钟信号，以正确解码每个比特的时序和值

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型号：AT45DB081E-SSHN-T 编号：C81940

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

8Mbit 133MHz 1.7V-3.6V SPI

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型号：25AA040AT-I/OT 编号：C144218

封装：SOT-23-6

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25XX040A是一款4 Kbit串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。可通过一个与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括一个时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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型号：M24M01-RDW6TP 编号：C283500

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

1 Mbit串行I2C总线EEPROM

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型号：AT24CS02-STUM-T 编号：C2060969

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压工作：VCC = 1.7V至5.5V。内部组织为128×8（1K）或256×8（2K）。 128位唯一工厂编程序列号。永久只读值

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型号：24CW640T-I/OT 编号：C616215

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24CW16X/24CW32X/24CW64X/24CW128X（24CW系列）器件采用I²C（两线制）串行接口，提供16 - 128 Kbit的串行EEPROM。24CW系列按每字节8位组织，容量为2048/4096/8192/16384字节（2 - 16 Kbyte）。24CW系列针对消费和工业应用进行了优化，在这些应用中，可靠的非易失性存储至关重要

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型号：24LC64-I/P 编号：C16472

封装：DIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA64/24LC64/24FC64（24xx64*）是一款64 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织形式为单个8K×8位存储块。低电压设计允许其在低至1 V的电压下工作

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型号：GT22L16M1Y 编号：C126758

封装：SOP-16

品牌：GENITOP(高通)

GT22L16M1Y是一款16x16点阵字库芯片，支持GB18030国标汉字（同时支持UNICODE编码）。排列格式为竖置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的点阵信息。

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型号：GT24L24A2Y16 编号：C515657

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：GENITOP(高通)

GT24L24A2Y16是一款16、24点阵字库芯片，支持GB18030国标简体汉字、BIG5繁体、JIS0208日文字符集、KSC5601韩文字符集及其它多国字符集并均兼容Unicode。排列格式为竖置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的点阵信息。

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型号：GD25B32ES2GR 编号：C25960595

封装：SOP-8

品牌：GigaDevice(兆易创新)

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型号：W25Q16JVZPIQ 编号：C377853

封装：WSON-8(5x6)

品牌：Winbond(华邦)

16兆 3.3V spi nor flash

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型号：AT24C16C-STUM-T 编号：C2061175

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C16C提供16384位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织形式为2048个8位字。该器件针对低功耗和低电压运行至关重要的众多工业和商业应用进行了优化。该器件提供节省空间的8引脚SOIC、8引脚TSSOP、8焊盘UDFN、8引脚PDIP、5引脚SOT23、8球VFBGA和8焊盘XDFN封装

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型号：CAT24C512HU5IGT3 编号：C153773

封装：UDFN-8(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C512 是一款 EEPROM 串行 512-Kb I2C，内部组织为 65,536 个词，每个词 8 位。它具有 128 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。写入操作可通过将 WP 引脚置于高电平类禁止（这样会保护整个内存）。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAT24C512 器件。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。

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型号：24LC16BT-E/OT 编号：C616242

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC16BT是一款16Kbit I2C串行EEPROM，支持2.5V至5.5V的工作电压，具有低功耗CMOS技术，两线串行接口，可编程硬件写保护，支持100kHz、400kHz和1MHz的时钟频率。

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型号：AT24CM01-SHD-T 编号：C36057

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24CM01是一款1,048,576位的串行EEPROM，组织为131,072个8位字。该设备支持1.7V至5.5V的工作电压，具有2线串行接口，支持页写模式和随机/顺序读取模式。它还具有硬件数据保护功能和自定时写周期（最大5毫秒）。

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型号：MX25U12832FM2I02 编号：C5800864

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

MX25U12832F是一款128Mb的串行NOR闪存，其内部配置为16,777,216 x 8。

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型号：AT24C02C-PUM 编号：C8810

封装：DIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C01C/02C提供1024/2048位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为128/256个字，每个字8位。两款器件均具备级联功能，最多允许8个器件共享一条通用两线总线。这些器件针对众多工业和商业应用进行了优化，在这些应用中，低功耗和低电压运行至关重要

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型号：FM24C64B-GTR 编号：C914923

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM24C64B是一款64Kbit非易失性存储器，采用先进的铁电工艺，具有高耐久性和低功耗。支持快速2线串行接口（I2C），最高时钟频率可达1MHz。适用于频繁写入的应用，如数据记录和工业控制。

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型号：M95M01-RMN6P 编号：C1349274

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

特性：封装形式：SO8 (MN) 150 mil宽度、TSSOP8 (DW) 169 mil宽度、WLCSP (CS和CU)、未切割晶圆。与串行外设接口 (SPI) 总线兼容。内存阵列：1 Mbit (128 Kbytes) EEPROM，页面大小为256字节。写入速度：字节写入在5 ms内，页面写入在5 ms内

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型号：MX25L12845EMI-10G 编号：C128677

封装：SOP-16-300mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

128Mb (16M x 8)

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型号：AT24C1024BN-SH25-T 编号：C36533655

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24C1024是一款1M位（131,072 x 8）的I2C兼容串行EEPROM，支持低电压和标准电压操作，具有硬件数据保护功能，适用于工业和商业应用。

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型号：GD25Q127CSIGR 编号：C395513

封装：SOP-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25Q127C（128M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI），并支持双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）和I/O3（HOLD#/ RESET#）。双I/O数据传输速度为208Mbit/s，四I/O和四输出数据传输速度为416Mbit/s。

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