BL贝岭存储器_厂家_价格_品牌_库存

封装：WSON-8-EP(5x6)

串行闪存存储器为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。该系列产品提供了超越普通串行闪存设备的灵活性和性能，适用于将代码映射到RAM、直接从双/四SPI执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据。器件在1.7V至1.95V电源下工作，掉电时电流消耗低至0.1μA。阵列由16384个可编程页面组成，每页256字节，一次最多可编程256字节

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型号：MX25U6435FM2I-10G 编号：C382733

封装：SOP-8-208mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

64Mb串行闪存存储器，内部配置为8,388,608×8。当处于双I/O或四I/O模式时...

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型号：DS2460S+T&R 编号：C879652

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

是硬件实现的ISO/IEC 10118-3安全哈希算法（SHA-1），无需开发软件来执行验证SHA设备和验证数字签名服务数据所需的复杂SHA计算。通过流行的I²C接口与微控制器通信。应用包括用于令牌认证和服务数据验证的访问控制和电子支付系统主机，以及用于不超过SHA-1结果长度（20字节）的短消息加密和解密的一次性加密密钥生成。

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型号：IS25LP128-JBLE-TR 编号：C521290

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP032/064/128 串行闪存为用户提供了一种通用存储解决方案，该方案在引脚数量精简的封装中实现了高度的灵活性和出色的性能。IS25LP032/064/128 通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多 I/O 模式。该器件支持双 I/O 和四 I/O 模式，以及标准、双输出和四输出 SPI 模式

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型号：47L16T-I/SN 编号：C2062434

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

带有EEPROM备份的4/16 Kbit SRAM的存储结构为512×8位或2,048×8位，并采用I²C串行接口。它为SRAM提供无限的读写周期，而EEPROM单元则提供高耐久性的数据非易失性存储。通过外接电容，掉电时SRAM数据会自动传输到EEPROM中

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型号：MKPV1G08CT-AF 编号：C433162

封装：TSOPI-48

品牌：MK(米客方德)

MKPV1G08CT-AF是一款1Gb的NAND Flash存储器，支持3.3V供电，具有2.7V至3.6V的工作电压范围，典型擦除时间为4.5ms，典型编程时间为400μs。

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型号：FM24V02A-GTR 编号：C382041

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM24V02A是一款256-Kbit非易失性铁电随机存取存储器（F-RAM），采用先进的铁电工艺，具有高耐久性和低功耗。支持快速两线串行接口（I2C），最高频率可达3.4 MHz。适用于频繁写入的应用场景，如数据记录和工业控制。

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型号：25LC1024T-E/SM 编号：C2060945

封装：SOIJ-8-5.28mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC1024是一款1024 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具有通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。字节或页写入操作不需要这些功能

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型号：24LC1025T-E/SN 编号：C2061812

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC1025是一款128K x 8位的I2C串行EEPROM，支持1.8V至5.5V的工作电压范围，具有100,000次擦写寿命，数据保持时间为200年。该器件支持1 MHz的时钟频率，适用于工业温度范围（-40°C至+85°C）。

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型号：SST26VF032BT-104I/SM 编号：C69337

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

串行四线I/O™（SQI™）系列闪存设备采用六线4位I/O接口，可在引脚数较少的封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF032B/032BA还支持与传统串行外设接口（SPI）协议的全命令集兼容。使用SQI闪存设备的系统设计占用的电路板空间更小，最终可降低系统成本

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型号：IS62WV5128EBLL-45HLI 编号：C1348955

封装：STSOP-32-11.8mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62/65WV5128EALL/BLL/CLL是高速4M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×8位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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型号：IS45S32200L-7BLA2 编号：C1352248

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS45S32200L 是一款 64Mb 的同步动态随机存取内存 (SDRAM)，支持多种时钟频率，包括 200 MHz、166 MHz 和 143 MHz。该芯片具有 3.3V 单电源供电，支持 LVTTL 接口，适用于商业、工业和汽车级应用。

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型号：MB85RS1MTPNF-G-JNERE1 编号：C126733

封装：SOP-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

MB85RS1MT是一款铁电随机存取存储器（FRAM）芯片，配置为131,072字×8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。MB85RS1MT采用串行外设接口（SPI）。

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型号：IS62WV5128BLL-55HLI-TR 编号：C2065138

封装：STSOP-32-11.8mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62WV5128ALL / IS62WV5128BLL是高速4M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×8位。它采用高性能CMOS工艺制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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型号：XT61M1G8C2TM-B8BEA 编号：C29781628

封装：BGA-162(10.5x8)

品牌：XTX(芯天下)

1G NAND (8bit. ECC;x8) +1G LP DDR2 (x32)

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型号：MT29F4G08ABADAWP:D 编号：C78135

封装：TSOPI-48

品牌：micron(镁光)

Flash 4GBIT

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型号：XT61M4G8D2TA-B8BEA 编号：C558832

封装：BGA-162(8x10.5)

品牌：XTX(芯天下)

XT61M4G8D2TA-B8BxX 是一种多芯片封装 (MCP) 存储器，结合了 4Gb (512M x 8) NAND Flash 和 2Gb (64M x 32) 低功耗 DDR2 SDRAM。NAND Flash 提供高密度非易失性存储解决方案，而 LPDDR2 SDRAM 适用于需要大容量快速存储的应用，如临时数据访问。

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型号：IS42S16320F-7TLI 编号：C1348819

封装：TSOP-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

512Mb SDRAM 是一种高速 CMOS 动态随机存取存储器，根据 DRAM 选项，可在 3.3V VDD/VDDQ 或 2.5V VDD/VDDQ 存储系统中运行。内部配置为具有同步接口的四体 DRAM。512Mb SDRAM（536,870,912 位）包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号 CLK 的正边沿寄存。所有输入和输出与 UV TTL 兼容。512Mb SDRAM 能够以高数据速率同步突发数据，并自动生成列地址，能够在内部存储体之间交错以隐藏预充电时间，并且能够在突发访问期间在每个时钟周期随机更改列地址

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型号：CY14B101LA-SZ25XIT 编号：C2953458

封装：SOIC-32

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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型号：MT47H128M16RT-25E:C 编号：C46795

封装：FBGA-84(9x12.5)

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = 1.8V±0.1V，VDDQ = 1.8V±0.1V。 JEDEC标准1.8V I/O（SSTL_18兼容）。差分数据选通（DQS，DQS#）选项。 4n位预取架构。 x8的重复输出选通（RDQS）选项。 DLL使DQ和DQS转换与CK对齐。 8个内部存储体用于并发操作。可编程CAS延迟（CL）。后置CAS附加延迟（AL）。写入延迟 = 读取延迟-1 tCK。可编程突发长度：4或8。可调数据输出驱动强度。 64ms，8192周期刷新。片上终端（ODT）。工业温度（IT）选项。符合RoHS标准。支持JEDEC时钟抖动规范

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