BL贝岭存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：W25Q256JWEIQ 编号：C2940048

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

数据手册

1+
￥24.43
10+
￥21.25
30+
￥19.36
100+
￥15.543 ￥15.7
480+
￥14.6718 ￥14.82
960+
￥14.2758 ￥14.42

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型号：IS42S16160J-7BLI 编号：C1348766

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容

数据手册

1+
￥27.88
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￥23.83
30+
￥20.08
100+
￥17.64
348+
￥16.52

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型号：MKPV4G08IT-AFX 编号：C42433424

封装：TSOP-48

品牌：MK(米客方德)

4Gbit nand，Flash类型:SLC，并行接口, -40°C to +85°C，TSOP-48

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￥33.0352 ￥37.54
10+
￥28.468 ￥32.35
30+
￥25.6784 ￥29.18
96+
￥23.3464 ￥26.53

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型号：IS66WVO32M8DALL-200BLI 编号：C17535354

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS66WVO32M8DALL是一款256Mb Octal RAM串行PSRAM存储器，支持200MHz DTR协议。该存储器具有行业标准的串行接口，支持Octal Peripheral Interface (OPI)协议，适用于工业温度范围（-40°C到+85°C）。

1+
￥33.42
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￥28.35
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￥25.34
100+
￥22.29

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型号：MT25QU256ABA8ESF-0SIT 编号：C2061781

封装：SOP-16-300mil

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议的最大频率为166 MHz。DTR中所有协议的最大频率为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s。支持的协议：扩展、双和四I/O的STR和DTR

1+
￥34.51
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￥29.36
30+
￥26.3
100+
￥23.21

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型号：MT41K256M8DA-125 IT:K 编号：C2063887

封装：FBGA-78(8x10.5)

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V。 1.5V 中心端接推挽式 I/O。差分双向数据选通。 8n 位预取架构

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1+
￥41.4
10+
￥36.79
30+
￥33.98
100+
￥31.62

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型号：FM28V100-TGTR 编号：C66026

封装：TSOP-32-12.5mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM28V100是一款128K x 8的非易失性F-RAM存储器，支持高速读写操作，具有100万亿次读写寿命和151年的数据保留时间。它采用32引脚TSOP封装，工作电压为2.0V至3.6V，工作温度范围为-40°C至+85°C。

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1+
￥51.65
10+
￥44.16
30+
￥39.59
100+
￥35.76

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型号：FM28V020-SGTR 编号：C54935

封装：SOIC-28-300mil

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM28V020 是一款 256-Kbit (32K x 8) 铁电随机存取存储器 (F-RAM)，具有高耐久性和长数据保留时间。它支持快速写入和读取操作，适用于需要频繁或快速写入的非易失性存储应用。该器件提供行业标准的 32K x 8 SRAM 引脚排列，可在标准 SRAM 系统中作为即插即用的替代品。

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1+
￥78.45
10+
￥68.32
30+
￥55.65
100+
￥50.47

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型号：MT41K256M16TW-107 AAT:P 编号：C524865

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

存储器类型:易失存储器格式:DRAM 存储器接口:并联访问时间:20ns 安装类型:表面贴装型供应商器件封装:96-FBGA(8x14)

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1+
￥81.01
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￥71.37
30+
￥65.5
102+
￥60.57

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型号：IS61WV102416BLL-10MLI 编号：C1348798

封装：TFBGA-48

品牌：ISSI(美国芯成)

高速16M位静态随机存取存储器，组织为1024K字x16位。采用高性能CMOS技术制造，此高可靠性工艺结合创新电路设计技术，可实现高性能和低功耗。当CE为高电平时（未选中），设备进入待机模式，可通过CMOS输入电平降低功耗。通过使用片选和输出使能输入（CE和OE）可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能（WE）控制存储器的读写操作。数据字节支持高字节（UB）和低字节（LB）访问。器件封装采用JEDEC标准的48引脚TSOP I型和48引脚迷你BGA（9mm x 11mm）。

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1+
￥108.57
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￥104.28
30+
￥96.84
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￥90.36

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型号：RS70B08G3S03F 编号：C22364054

封装：TFBGA-153(11.5x13)

品牌：Rayson(晶存)

是高质量且具成本优势的嵌入式存储解决方案，兼容JEDEC标准eMMC5.1规范。其强大的ECC引擎显著提高纠错能力，延长设备使用寿命，并增强处理更高原始误码率的能力。由NAND闪存和eMMC控制器组成。eMMC控制器和软件直接管理NAND闪存，包括ECC、损耗均衡、坏块管理、垃圾回收和性能优化，并管理接口协议。这种架构使NAND闪存的任何修订与eMMC主机隔离，使eMMC设备易于集成并加快上市时间。

1+
￥144.82
10+
￥138.31
30+
￥127.04
100+
￥117.21

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型号：FEMDRW064G-88A19 编号：C719927

封装：BGA-153

品牌：FORESEE(江波龙)

应用领域：工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装。EMMC,工业EMMC，工业宽温EMMC、FORESEE, LONGSYS,工规宽温EMMC，工规宽温存储芯片，工业宽温存储芯片，工规芯片，工业芯片、国产EMMC、国产工规宽温EMMC、国产工业宽温EMMC、江波龙、工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装

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1+
￥275.45
10+
￥259.25

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型号：FEMDRW128G-88A19 编号：C719928

封装：BGA-153

品牌：FORESEE(江波龙)

应用领域：工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装。EMMC,工业EMMC，工业宽温EMMC、FORESEE, LONGSYS,工规宽温EMMC，工规宽温存储芯片，工业宽温存储芯片，工规芯片，工业芯片、国产EMMC、国产工规宽温EMMC、国产工业宽温EMMC、江波龙、工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装、工业级、汽车级、工规级

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1+
￥453.76
10+
￥426.86

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型号：KLMCG4JETD-B041 编号：C2915276

封装：-

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

1+
￥572.83
30+
￥557.52

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型号：ZD24C02B-STGMT 编号：C5374815

封装：SOT23-5L

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C02B 提供 2048 位的串行电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)，组织为 256 个 8 位字。该设备适用于许多工业和商业应用，其中低功耗和低电压操作至关重要。

10+
￥0.2562
100+
￥0.2035
300+
￥0.1772
3000+
￥0.1552
6000+
￥0.1394
9000+
￥0.1315

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型号：ZD24C16A-SSGMT 编号：C2896785

封装：SOIC-8

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C16A是一款兼容I2C协议的16K位串行EEPROM，具有16字节的页面大小，支持单电源供电，最高时钟频率为1MHz，写入时间为3ms。

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10+
￥0.4007
100+
￥0.3119
300+
￥0.2675
3000+
￥0.2416
6000+
￥0.215
9000+
￥0.2017

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型号：AT24C08C-SSHM-T-CN 编号：C45369186

封装：SOP-8

品牌：ChipNobo(无边界)

串行电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)。

10+
￥0.414485 ￥0.4363
100+
￥0.323285 ￥0.3403
300+
￥0.277685 ￥0.2923
1000+
￥0.243485 ￥0.2563
4000+
￥0.226575 ￥0.2385
8000+
￥0.2128 ￥0.224

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型号：24C32-HXY 编号：C7427348

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

24C32系列是32,768位串行电气可擦除和可编程只读存储器（EEPROM）。这些设备内部组织为4096字节，每个字节8位。支持标准2线双向串行接口，工作电压范围为1.8V至5.5V，适用于多种应用。具有32字节页写模式，部分页写操作允许，自定时写周期（最大5ms），100万次写周期寿命，100年数据保留，工业温度范围（-40°C至85°C）。

5+
￥0.48321 ￥0.5369
50+
￥0.38124 ￥0.4236
150+
￥0.33021 ￥0.3669
500+
￥0.29196 ￥0.3244
2500+
￥0.25668 ￥0.2852
4000+
￥0.24138 ￥0.2682

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型号：AT24C16CP179 编号：C51026296

封装：DIP-8

品牌：GMIC(绿微)

24C16是一款16-Kbit串行EEPROM设备，包含2048 × 8bits的存储阵列，每页16字节。适用于低电压和低功耗系统。

5+
￥0.490865 ￥0.5167
50+
￥0.386935 ￥0.4073
150+
￥0.334875 ￥0.3525
500+
￥0.295925 ￥0.3115
2000+
￥0.264765 ￥0.2787
4000+
￥0.24909 ￥0.2622

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型号：AT24C02MT/TR-HG 编号：C53200138

封装：TSSOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

I2C-Compatible Serial E2PROM

5+
￥0.5122
50+
￥0.4066
150+
￥0.3538
500+
￥0.3142
2500+
￥0.2825
5000+
￥0.2667

有货

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型号：HG24C02MT/TR 编号：C53200139

封装：TSSOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

I2C-Compatible Serial E2PROM

5+
￥0.5122
50+
￥0.4066
150+
￥0.3538
500+
￥0.3142
2500+
￥0.2825
5000+
￥0.2667

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型号：P25D40SH-SSH-IT 编号：C5263832

封装：SOP-8-150mil

品牌：PUYA(普冉)

P25D40sH 是一款串行接口闪存存储器件，专为各种大批量消费类应用而设计。在这些应用中，程序代码会从闪存复制到嵌入式或外部 RAM 中执行。该器件具有灵活的擦除架构，其页擦除粒度使其也非常适合用于数据存储，无需额外的数据存储设备

5+
￥0.5176
50+
￥0.4065
200+
￥0.3371
500+
￥0.2954

有货

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型号：HG24C08CM/TR 编号：C22396892

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

HG24C08M/TR升级替代料，建议试样

5+
￥0.5289
50+
￥0.4181
150+
￥0.3627
500+
￥0.3212
2500+
￥0.2879
5000+
￥0.2713

有货

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型号：HT24C02ARZ 编号：C2976647

封装：SOP-8

品牌：HTCSEMI(海天芯)

HT24C02是一款2K位串行读写非易失性存储器，采用CMOS浮栅工艺。其2048位内存组织为256个8位字。该设备适用于低功耗和低电压操作的工业和商业应用。最多可连接八个HT24C02设备到同一2线总线上。保证100万次擦写周期和40年的数据保留。

数据手册

10+
￥0.5339
100+
￥0.4379
300+
￥0.3899
2500+
￥0.2783
5000+
￥0.2495
10000+
￥0.235

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型号：SL24C04D 编号：C5155392

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

SL24C04D是一款512 Kbit的电可擦除PROM，采用两线串行接口（I2C），存储器组织结构为512 x 8 bit，具有页写能力和硬件数据写保护，工作电压范围为1.8V~5.5V，典型工作电流为1mA，典型待机电流为1uA，擦写寿命为100万次，数据保持时间为100年。

数据手册

5+
￥0.5499
50+
￥0.4347
150+
￥0.3771
500+
￥0.3339
2500+
￥0.2993
4000+
￥0.282

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型号：ZD24C64A-SSGMT 编号：C2896793

封装：SOP-8

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C64A是一款低电压I2C兼容串行EEPROM，内部组织为8,192 x 8 (64Kb)，支持100kHz至1MHz的时钟频率，具有超低功耗和高可靠性。

数据手册

5+
￥0.6137
50+
￥0.4793
150+
￥0.4121
500+
￥0.3617
3000+
￥0.3213
6000+
￥0.3012

有货

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型号：HG24LC04M/TR 编号：C3007879

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

提供 2048/4096/8192/16384 位的串行电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)，组织为 256/512/1024/2048 个 8 位字。该设备针对许多工业和商业应用进行了优化，其中低功耗和低电压操作至关重要。采用节省空间的 8 引脚 DIP、8 引脚 SOP、8 引脚 MSOP 和 5 引脚 SOT23 封装，可通过两线串行接口访问。

数据手册

5+
￥0.6142
50+
￥0.4894
150+
￥0.427
500+
￥0.3802
2500+
￥0.3243
5000+
￥0.3055

有货

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型号：AT24C02N 编号：C434606

封装：DIP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

提供 2048/4096/8192/16384 位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为 256/512/1024/2048 个 8 位字。该设备针对许多工业和商业应用进行了优化，其中低功耗和低电压操作至关重要。采用节省空间的 8 引脚 DIP、8 引脚 SOP、8 引脚 MSOP 和 5 引脚 SOT-23 封装，并通过两线串行接口访问。

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