Adesto存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：XT25W02EDTIGT 编号：C596315

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：XTX(芯天下)

XT25W02E（2M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI），并支持双SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）。双I/O数据传输速度为80Mbit/s。

数据手册

5+
￥1.52656 ￥1.9082
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￥1.21888 ￥1.5236
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￥1.08704 ￥1.3588
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￥0.92248 ￥1.1531
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￥0.7772 ￥0.9715
6000+
￥0.7332 ￥0.9165

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型号：AT24C16C-XHM-T 编号：C112954

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

的AT24C16C提供16384位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为2048个8位字。该器件针对低功耗和低电压运行至关重要的众多工业和商业应用进行了优化。AT24C16C有节省空间的8引脚PDIP、8引脚JEDEC SOIC、8引脚TSSOP、8焊盘UDFN、8焊盘XDFN、5引脚SOT23和8球VFBGA封装可供选择，并可通过两线串行接口访问

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5+
￥1.6442
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￥1.3103
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￥1.1671

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型号：BR24G128FJ-3GTE2 编号：C2061633

封装：SOIC-8

品牌：ROHM(罗姆)

BR24G128 - 3系列是一款采用I²C总线接口方式的串行EEPROM。

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5+
￥1.67
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￥1.46
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￥1.37
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型号：P25D32SH-SSH-IT 编号：C50201867

封装：SOP-8-150mil

品牌：PUYA(普冉)

是一种串行接口闪存设备，适用于各种高容量消费类应用，其中程序代码从闪存复制到嵌入式或外部 RAM 中执行。灵活的擦除架构，具有页面擦除粒度，也适用于数据存储，无需额外的数据存储设备。擦除块大小经过优化，可满足当今代码和数据存储应用的需求，能更有效地利用内存空间，减少浪费和未使用的内存空间。包含额外的 3*1024 字节安全寄存器，具有一次性可编程 (OTP) 锁，可用于唯一设备序列化、系统级电子序列号 (ESN) 存储、锁定密钥存储等目的。支持在 1.65V 至 3.6V 的宽电源电压范围内进行读取、编程和擦除操作，编程和擦除无需单独的电压。

1+
￥1.67
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￥1.63
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型号：XT25F02EDTIGT 编号：C596313

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：XTX(芯天下)

XT25F02E 串行闪存支持标准串行外设接口（SPI），并支持双 SPI：串行时钟、片选、串行数据 I/O0（SI）、I/O1（SO）。双 I/O 数据传输速度为 160Mbits/s。

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5+
￥1.7723
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￥1.414
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￥1.2604
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型号：M95020-WMN6P 编号：C2802543

封装：SO-8N-150mil

品牌：ST(意法半导体)

M95010/M95020/M95040 器件（M950x0）是电可擦除可编程存储器（EEPROM），分别组织为 128×8 位、256×8 位和 512×8 位，通过 SPI 总线访问。M950x0*W 的工作电源电压范围为 2.5 V 至 5.5 V，M950x0-R 的工作电源电压范围为 1.8 V 至 5.5 V，M950x0-DF 的工作电源电压范围为 1.7 V 至 5.5 V，环境温度范围为 -40℃ 至 +85℃。

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￥1.9575
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￥1.5251
200+
￥1.3398
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￥1.1086

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型号：CAT24C08TDI-GT3 编号：C5207910

封装：TSOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C08TDI-GT3是一款16Kb I2C串行EEPROM，支持标准和快速I2C协议，具有1.7V到5.5V的工作电压范围，16字节页写缓冲区，硬件写保护，低功耗CMOS技术，超过1,000,000次擦写周期，100年的数据保留时间和工业及扩展温度范围。

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5+
￥2.1856
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￥1.8072
150+
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型号：24AA64T-I/OT-TUDI 编号：C41411016

封装：SOT-23-5

品牌：TD(钍地半导体)

24AA64/24LC64/ (24××64*) 是一款 64 Kbit 的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），专为个人通信或数据采集等先进的低功耗应用而设计。24XX64 还具备高达 32 字节数据的页写入能力。

5+
￥2.2159
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￥1.7623
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￥1.5679
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￥1.3254

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型号：24LC08B-I/SN 编号：C461558

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Microchip Technology Inc. 24LC08B是一款8Kbit I2C串行EEPROM，分为四个256x8位的存储块。其低电压设计允许在2.5V至5.5V范围内工作，具有低功耗CMOS技术，支持高达400kHz的时钟频率。

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5+
￥2.25
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￥1.74
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￥1.53

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型号：M24C64-RMN6P 编号：C1349364

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

特性：兼容所有I²C总线模式：1 MHz、400 kHz、100 kHz。内存阵列：64 Kbit（8 Kbyte）的EEPROM，页面大小为32 byte，有额外的可写锁定页面（M24C64-D订购代码）。单电源电压：-40℃至+85℃时为1.7 V至5.5 V；0℃至+85℃时为1.6 V至5.5 V。写入：字节写入在5 ms内完成，页面写入在5 ms内完成。随机和顺序读取模式。整个内存阵列的写保护。增强的ESD/闩锁保护。超过400万次写入周期。超过200年的数据保留

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5+
￥2.2598
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￥1.5467

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型号：HG24C512CN 编号：C19193467

封装：DIP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

串行电可擦写可编程读存储器(EEPROM)

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￥2.47
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￥1.3
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型号：AT24C512C-SSHM-T-TUDI 编号：C41355582

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24C512是一款兼容I2C标准的EEPROM设备，具有128字节页面写入模式，支持1.7V到5.5V宽电压范围，提供多种封装选项，适用于工业应用。

1+
￥2.55
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￥1.99
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￥1.76
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型号：AT24C16D-PUM-TUDI 编号：C22469408

封装：DIP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24C16提供16,384位串行电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)，内部组织为2,048个8位字。该设备适用于许多工业和商业应用，其中低功耗和低电压操作至关重要。

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￥2.59
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￥2.03
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￥1.79
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￥1.5

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型号：M95160-RMN6TP 编号：C2970232

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

16 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

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￥2.61
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￥2.03
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型号：24LC01BT-I/SN 编号：C5452

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA01/24LC01B（24xx01*）是一款 1Kbit 电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，由一个 128×8 位的存储块构成。低电压设计使其可在低至 1V 的电压下工作

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1+
￥3.05
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￥2.42
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￥2.15
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￥1.81

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型号：M24C16-DRMN3TP/K 编号：C2061039

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

汽车级16 Kbit串行I2C总线EEPROM

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￥3.15
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￥2.6
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型号：MX25L8006EM2I-12GTR 编号：C2802804

封装：SOP-8-208mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：保持功能。低功耗。单电源操作。读、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏。支持串行外设接口模式0和模式3。 8,388,608 x 1位结构或4,194,304 x 2位（双输出模式）结构

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￥3.16
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￥2.52
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￥2.24
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￥1.9
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￥1.75
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型号：AT24C64D-MAHM-T 编号：C2653494

封装：UDFN-8L-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压工作：VCC = 1.7V 至 5.5V。内部组织为 8,192 x 8（64K）。工业温度范围：-40℃ 至 +85℃。 I2C 兼容（两线）串行接口: -100 kHz 标准模式，1.7V 至 5.5V

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￥3.19
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￥3.11
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￥3.07

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型号：AT24C64D-SSHM-B 编号：C116707

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C64D 提供 65,536 位串行电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)，每个字包含 8,192 个 8 位字。该器件的级联功能允许最多八个器件共享一条双线总线。该器件针对许多需要低功耗和低电压运行的工业和商业应用进行了优化。

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￥3.37
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￥2.61
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￥2.29
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￥1.88

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型号：BR25H080FJ-2CE2 编号：C2061902

封装：SOIC-8

品牌：ROHM(罗姆)

BR25H080FJ-2CE2是一款8Kbit SPI接口的EEPROM，支持2.5V到5.5V的工作电压，具有超过1百万次的写周期寿命和超过100年的数据保留时间。

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￥3.53
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￥2.82
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￥2.46
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￥2.11

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型号：AT25160B-SSHL-T 编号：C6489

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

的AT25080B/160B提供8192/16384位的串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为1024/2048个字，每个字8位。该器件针对许多对低功耗和低电压运行有要求的工业和商业应用进行了优化。AT25080B/160B有节省空间的8引脚JEDEC SOIC、8引脚TSSOP、8焊盘UDFN、8焊盘XDFN、8球VFBGA和8球WLCSP封装可供选择

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1+
￥3.7
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￥3.04
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￥2.71
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￥2.38

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型号：IS25LP080D-JULE-TR 编号：C2837009

封装：USON-8-EP(2x3)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP080D和IS25WP080D/040D/020D串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，该方案在简化引脚封装的情况下仍具备高度的灵活性和出色的性能。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多I/O模式。该器件支持双I/O和四I/O，以及标准、双输出和四输出SPI

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1+
￥3.74
10+
￥3.01
30+
￥2.7

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型号：XT25F16FDTIGT-S 编号：C29781641

封装：DFN-8(2x3)

品牌：XTX(芯天下)

16Mbit 3.3V SPI NOR Quad I/O

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￥3.98
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￥3.15
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￥2.73
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￥2.32

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型号：CAT25080VI-GT3 编号：C890368

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25080 是 EEPROM 串行 8-Kb SPI 器件，内部组织为 1024x8 位。其具有 32 字节页写入缓存，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。保持输入可用于暂停与 CAT25080 器件的任何串行通信。此类器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。

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1+
￥4.13
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￥3.36
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￥2.98
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￥2.59

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型号：MX25V1006FM1ITR 编号：C2802921

封装：SOP-8

品牌：MXIC(旺宏电子)

MX25V1006F是一款CMOS 1,048,576位串行NOR闪存，其内部配置为131,072×8。MX25V1006F具备串行外设接口和软件协议，可在简单的三线总线上运行。三条总线信号分别为时钟输入（SCLK）、串行数据输入（SI）和串行数据输出（SO）

1+
￥4.55
10+
￥3.82
30+
￥3.45

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型号：24LC128-I/SN 编号：C92359

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA128/24LC128/24FC128（24××128*）是一款16K x 8（128 Kbit）串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。

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￥4.58
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￥3.76
30+
￥3.35
100+
￥2.85

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型号：24LC64FT-I/OT 编号：C616247

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA64F/24LC64F/ 24FC64F (24XX64F*) 是 64 Kbit 电可擦除 PROM。该器件被组织为一个具有 2 线串行接口的 8Kx8 位内存单块。低电压设计允许低至 1.7V 的操作，待机和读取电流分别仅为 1 μA 和 400 μAᵢ。

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￥4.63
10+
￥3.77
30+
￥3.34
100+
￥2.8

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型号：IS25LP016D-JNLA3 编号：C1236813

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP016D和IS25WP016D串行闪存存储器以精简引脚封装形式，提供了一种兼具高度灵活性与高性能的通用存储解决方案。该闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成的4线SPI接口进行访问，这些引脚也可配置为多I/O模式

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