Adesto存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：24AA64T-I/MNY 编号：C2065123

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA64/24LC64/24FC64 (24xx64) 是一款 64 Kb 电可擦除 PROM。该器件由一个 8K×8 位单块存储器组成，并带有双线串行接口。低电压设计允许低至 1V 的电压运行。

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型号：24LC256-I/SN 编号：C411625

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xxx256是32Kx8（256 Kbit）串行电可擦除PROM，能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内运行。它是为先进的低功耗应用而开发的，如个人通信或数据采集。该设备还具有高达64字节数据的页面写入能力。

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型号：IS25WP016D-JULE-TR 编号：C2976734

封装：USON-8-EP(2x3)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP016D和IS25WP016D串行闪存存储器以精简引脚封装形式，提供了一种兼具高度灵活性与高性能的通用存储解决方案。该闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成的4线SPI接口进行访问，这些引脚也可配置为多I/O模式

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型号：M95080-DRMN8TP/K 编号：C2061229

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

M95080-DRMN8TP/K 是一款8 Kbit (1 Kbyte) 的EEPROM，支持串行SPI总线接口，可在高达105°C的温度下工作。具有高速时钟频率（最高20 MHz），短写周期时间（4 ms），以及4百万次写周期寿命。

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型号：M24128-BFMH6TG 编号：C222091

封装：UFDFPN-5(1.4x1.7)

品牌：ST(意法半导体)

M24128是一款128Kbit I2C兼容的EEPROM，组织为16K x 8位。它支持1.7V到5.5V的供电电压，工作温度范围为-40°C至+85°C。该器件支持高达1MHz的时钟频率，并具有超过4百万次的写周期寿命和超过200年的数据保留时间。

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型号：24LC128-I/SN 编号：C92359

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA128/24LC128/24FC128（24××128*）是一款16K x 8（128 Kbit）串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。

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型号：ZD25Q128CSIGT 编号：C19626875

封装：SOP-8-208mil

品牌：Zetta(澜智)

SPI NOR FLASH,128Mbit,2.7~3.6V,SOP-8-208mil,Tube

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型号：PY25Q128HA-SUH-IT 编号：C7419750

封装：SOP-8

品牌：PUYA(普冉)

PY25Q128HA是一款串行接口闪存设备，专为各种大批量消费类应用而设计。在这些应用中，程序代码会从闪存映射到嵌入式或外部RAM中执行。该设备的灵活擦除架构及其页擦除粒度也非常适合数据存储，无需额外的数据存储设备

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型号：AT24CM01-SSHD-T-TUDI 编号：C36533660

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24CM01是一款1Mbit的I2C兼容串行EEPROM，具有1.7V和2.5V两种工作电压选项，支持400kHz和1MHz的时钟频率，具备硬件数据保护功能。

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型号：PY25Q128HA-WXH-IR 编号：C18208279

封装：WSON-8

品牌：PUYA(普冉)

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型号：25Q128-TD 编号：C47108715

封装：SOP-8-208mil

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

是128M-bit串行外设接口（SPI）闪存，支持双/四SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP）和I/O3(/HOLD)。双I/O数据传输速度为216Mbits/s，四I/O和四输出数据传输速度为432Mbits/s。该器件使用单一低压电源，范围为2.7V至3.6V。此外，该器件支持JEDEC标准制造商和设备ID以及三个1024字节的安全寄存器。

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型号：M24256-DFMC6TG 编号：C495257

封装：DFN-8(2x3)

品牌：ST(意法半导体)

256 Kbit串行I2C总线EEPROM

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型号：FM24C16B-GTR 编号：C66016

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM24C16B是一款16-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用先进的铁电工艺，具有高耐久性和低功耗。支持100万亿次读写操作，数据保留时间长达151年。支持最高1 MHz的I2C接口。

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型号：GD25Q64CWIGR 编号：C395511

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25Q64C（64M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI），还支持双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）和I/O3（HOLD#）。双I/O数据传输速率为240Mbits/s，四I/O和四输出数据传输速率为480Mbits/s。

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型号：W25Q32JWUUIQ 编号：C2760370

封装：USON-8(3x4)

品牌：Winbond(华邦)

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型号：MX25L6406EM2I-12G 编号：C60525

封装：SOP-8-200mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

64-Mbit(64M x 1bit/32M x 2bit)，SPI接口，工作电压：2.7V to 3.6V

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型号：MX25L25645GMI-10G 编号：C527818

封装：SOIC-16-300mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口。模式0和模式3单电源操作。读、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏。 268,435,456 x 1位结构或134,217,728 x 2位（双I/O模式）结构或67,108,864 x 4位（四I/O模式）结构。支持单I/O、双I/O和四I/O协议。从 -1V到Vcc +1V的闩锁保护至100mA

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￥11.6366 ￥14.02
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型号：MKDV1GCL-ABG 编号：C42381020

封装：LGA-8(6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND 更快随机读写速度等,兼容SPI模式，SD一线式和四线式；具有C4速度等级，商业级，采用SLC（单层单元）闪存类型。MKDV1GCL-ABA的升级款，擦写寿命(P/E) 10万次，通过了一万次的随机断电测试，确保了其可靠性。内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。SD NAND别名贴片式TF卡, 贴片式SD卡，SD Flash，工业级SD卡,工业级TF卡，嵌入式SD卡，焊接式SD卡、SDNAND等

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￥15.39 ￥16.2
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￥14.6205 ￥15.39
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￥13.4995 ￥14.21
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￥13.4045 ￥14.11

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型号：GD25LQ128ESIGR 编号：C2927797

封装：SOP-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25LQ128E（128M 位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）以及双/四路 SPI：串行时钟、片选、串行数据 I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（HOLD#）。双 I/O 数据传输速度为 240Mbit/s，四路 I/O 数据传输速度为 480Mbit/s。

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1+
￥15.68
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￥13.87
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型号：DS28EC20+T 编号：C596397

封装：TO-92-3

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

20Kb1-WireEEPROM、 20Kb串行EEPROM，通过单触点1-Wire接口操作

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1+
￥19.16
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￥16.35
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￥14.68
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型号：MKDV2GCL-ABB 编号：C7500177

封装：LGA-8(6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:SLC,商业级选型推荐2Gbit,广泛适配在各大MCU平台上；MKDV2GCL-AB升级款,SLC,商业级，SDNAND别名贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

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￥20.254 ￥21.32
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￥17.2995 ￥18.21
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￥15.542 ￥16.36
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￥13.7655 ￥14.49
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￥12.9485 ￥13.63
1056+
￥12.578 ￥13.24

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型号：FM25V01A-GTR 编号：C2684782

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM25V01A是一款128-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用16K x 8的逻辑组织方式。它支持高速SPI接口，最高时钟频率可达40 MHz，具备高耐久性和低功耗特性，适用于需要频繁写入的应用场景。

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1+
￥20.35
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￥17.64
30+
￥15.94
100+
￥12.83
500+
￥12.04

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型号：ZDSD01GLGEAG 编号：C2830323

封装：LGA-8(6x8)

品牌：Zetta(澜智)

SLC ，商业级（ -30℃ to+85℃），标准SD2.0协议，1Gbit，兼容SPI/SD/eMMC接口;内置ECC校验、坏块管理、均衡算法、异常断电保护等功能。别名贴片式TF卡；高可靠性第二代产品,SD NAND(SDNAND)

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1+
￥21.45
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￥18.55
30+
￥16.83
100+
￥13.48
480+
￥12.67
960+
￥12.31

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型号：SST39LF400A-55-4C-EKE 编号：C637379

封装：TSOPI-48

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39LF200A/400A/800A 和 SST39VF200A/400A/800A 器件是 128K x16 / 256K x16 / 512K x16 的 CMOS 多功能闪存（MPF），采用 SST 专有的高性能 CMOS SuperFlash 技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧穿注入器具有更高的可靠性和可制造性。SST39LF200A/400A/800A 在 3.0 - 3.6V 电源下进行写入（编程或擦除）操作

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1+
￥26.5728 ￥41.52
10+
￥26.1184 ￥40.81
30+
￥25.8176 ￥40.34
96+
￥25.5168 ￥39.87

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型号：XT27G02BTSIGA 编号：C20417424

封装：TSOP-48

品牌：XTX(芯天下)

XT27G02B 是一款单通道 3.3V、2Gbit 的 NAND 电可擦除可编程只读存储器（NAND E2PROM），其组织形式为(2048 + 64)字节×64 页×2048 块。该器件有两个 2112 字节的静态寄存器，允许以 2112 字节为增量在寄存器和存储单元阵列之间传输编程和读取数据。擦除操作以单块为单位执行（128 Kbytes + 4 Kbytes：2112 字节×64 页）

1+
￥27.75
10+
￥26.5
30+
￥25.73
96+
￥25.09

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型号：MKDV2GCL-ABG 编号：C42381021

封装：LGA-8(6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND 更快随机读写速度等,兼容SPI模式，SD一线式和四线式；具有C6速度等级，商业级，采用SLC（单层单元）闪存类型。MKDV2GCL-ABB的升级款，擦写寿命(P/E) 10万次，通过了一万次的随机断电测试，确保了其可靠性。内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。SD NAND别名贴片式TF卡, 贴片式SD卡，SD Flash，工业级SD卡,工业级TF卡，嵌入式SD卡，焊接式SD卡、SDNAND等

1+
￥29.3075 ￥30.85
10+
￥25.023 ￥26.34
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￥22.4865 ￥23.67
260+
￥19.912 ￥20.96
520+
￥18.7245 ￥19.71
1040+
￥18.1925 ￥19.15

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型号：SST26VF064BT-104I/SM 编号：C2653524

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Serial Quad I/O (SQI) 系列闪存设备具有六线、4位 I/O 接口，可在低引脚数封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF064B/064BA 还支持与传统串行外设接口 (SPI) 协议的全命令集兼容。使用 SQI 闪存设备的系统设计占用更少的电路板空间，并最终降低系统成本。

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1+
￥29.5
10+
￥25.36
30+
￥22.1
100+
￥19.62
500+
￥18.47

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型号：MKDV4GCL-ABG 编号：C42381022

封装：LGA-8(6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND 更快随机读写速度等,兼容SPI模式，SD一线式和四线式；具有C10速度等级，商业级，采用SLC（单层单元）闪存类型。擦写寿命(P/E) 10万次，通过了一万次的随机断电测试，确保了其可靠性。内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。SD NAND别名贴片式TF卡, 贴片式SD卡，SD Flash，工业级SD卡,工业级TF卡，嵌入式SD卡，焊接式SD卡、SDNAND等

1+
￥35.302 ￥37.16
10+
￥30.742 ￥32.36
30+
￥27.968 ￥29.44
100+
￥25.6405 ￥26.99

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型号：CY62157EV30LL-45ZXIT 编号：C914892

封装：TSOPI-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY62157EV30是一款高性能CMOS静态RAM，组织为512K字节x16-Bit或1M字节x8-Bit。该器件具有先进的电路设计，可提供超低功耗。适用于便携式设备，如手机。支持自动断电功能，可显著降低功耗。

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1+
￥36.18
10+
￥31.49
30+
￥26.05
100+
￥23.66

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型号：IS25LP512M-JLLE 编号：C1351993

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP512M和IS25WP512M串行闪存提供了一种多功能存储解决方案，在简化引脚数量的封装中具备高灵活性和高性能。ISSI的“行业标准串行接口”闪存适用于对空间要求有限、引脚数量少且功耗低的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多I/O（参见引脚说明）

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￥39.16
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