Adesto存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：MB85RC256VPNF-G-AMERE2 编号：C45273903

封装：SOP-8-150mil

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

替代 MB85RC256VPNF-G-JNERE1 C47538

1+
￥13.75
10+
￥11.71
30+
￥10.44
100+
￥9.13
500+
￥8.54
1500+
￥8.28

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型号：W25X10CLUXIG 编号：C2895612

封装：USON-8-EP(2x3)

品牌：Winbond(华邦)

W25X10CL（1M 位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25X 系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合代码下载应用，以及存储语音、文本和数据

数据手册

1+
￥5.32
10+
￥4.8
30+
￥4.58
100+
￥4.3
500+
￥4.18
1000+
￥4.1

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型号：M24128-DFMC6TG 编号：C2060976

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：ST(意法半导体)

128 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

1+
￥5.64
10+
￥4.61
30+
￥4.09
100+
￥3.57
500+
￥3.12

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型号：GD25Q80ETIGR 编号：C2833050

封装：SOP-8

品牌：GigaDevice(兆易创新)

E版本用的是12寸的晶元，55纳米的工艺

数据手册

1+
￥6.4
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￥5.54
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￥5.11
100+
￥4.68
500+
￥3.02
1000+
￥2.89

有货

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型号：25LC256-I/SN 编号：C84670

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA256/25LC256 (25XX256*) 是 256k -bit 串行电可擦除 PROM。该存储器可通过简单的串行外设接口 (SPI™) 兼容串行总线访问。所需的总线信号包括时钟输入 (SCK) 以及单独的数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。

数据手册

1+
￥7.95
10+
￥6.51
30+
￥5.72
100+
￥4.82
500+
￥4.42

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型号：ZD25Q128CWIGR 编号：C53959302

封装：WSON-8(5x6)

品牌：Zetta(澜智)

C41428598 ZD25Q128DWIGR的替代料 SPI NOR FLASH,128Mbit,2.7~3.6V,DFN5.0*6.0,Tube

1+
￥8.28
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￥6.87
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￥6.1
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￥5.23
500+
￥4.84
1000+
￥4.67

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型号：IS61LV256AL-10TLI 编号：C412837

封装：TSOPI-28

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61LV256AL是一款超高速、低功耗的32768字×8位静态随机存取存储器（SRAM）。它采用高性能CMOS工艺制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，使得最大访问时间最快可达8 ns

数据手册

1+
￥9.009 ￥9.1
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￥7.3425 ￥8.25
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￥6.0909 ￥7.71
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￥5.6564 ￥7.16
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￥5.4589 ￥6.91
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￥5.3799 ￥6.81

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型号：GD25Q16EEIGR 编号：C2986331

封装：USON-8(2x3)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

串行闪存支持标准串行外设接口 (SPI) 以及双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP#)、I/O3 (HOLD#)。双I/O数据传输速度达266Mbit/s，四I/O数据传输速度达532Mbit/s。

数据手册

1+
￥9.29
10+
￥8.02
30+
￥7.39
100+
￥6.76
500+
￥3.46
1000+
￥3.27

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型号：GD25Q64CWIGR 编号：C395511

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25Q64C（64M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI），还支持双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）和I/O3（HOLD#）。双I/O数据传输速率为240Mbits/s，四I/O和四输出数据传输速率为480Mbits/s。

数据手册

1+
￥9.8
10+
￥8.61
30+
￥7.96
100+
￥4.76

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型号：FM24C04B-GTR 编号：C9826

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

4-Kbit(512 × 8bit)，I2C接口，工作电压：5V

数据手册

1+
￥10.08
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￥8.5
30+
￥7.63
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￥6.65
500+
￥5.69

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型号：AT25SF128A-SHB-T 编号：C5775693

封装：SOP-8-208mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

特性：单电压操作，范围为2.7V至3.6V。 128 Mbit（32 x 4 Mbit物理块）NOR闪存。支持串行外设接口（SPI）: -支持SPI模式0和3。支持双输出和四输出读取。最大工作频率: -85℃时最大工作频率为133 MHz。105℃时最大工作频率为120 MHz

1+
￥14.42
10+
￥12.37
30+
￥11.09
100+
￥9.77
500+
￥9.18
1000+
￥8.92

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型号：23LC1024-I/SN 编号：C48388

封装：SOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23LC1024 是 1 Mbit SPI 兼容的串行 SRAM 设备，支持 SDI 和 SQI 接口。工作电压范围为 2.5-5.5V，支持工业温度范围（-40°C 至 +85°C）。

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1+
￥16.58
10+
￥14.03
30+
￥12.43

有货

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型号：CAT25M02VI-GT3-TUDI 编号：C41355581

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT25M02/CAT25M02是一款2M位（262,144 x 8位）的串行外围接口（SPI）EEPROM，具有2.8V至5.5V的工作电压范围，最高时钟频率为55MHz，数据保留时间为100年，写周期寿命为1百万次。

1+
￥18.47
10+
￥15.79
30+
￥14.2
100+
￥12.59
500+
￥11.85
1000+
￥11.51

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型号：MX25L6406EM2I-12G 编号：C60525

封装：SOP-8-200mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

64-Mbit(64M x 1bit/32M x 2bit)，SPI接口，工作电压：2.7V to 3.6V

数据手册

1+
￥20.22
10+
￥17.69
30+
￥16.1
100+
￥14.47

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型号：23LC512-I/ST 编号：C219763

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23LC512 是一款 512Kbit 的 SPI 串行 SRAM，支持 SDI 和 SQI 接口。该器件采用低功耗 CMOS 技术，支持无限次读写，零写入时间，以及 64K x 8 -Bit组织结构。工作电压范围为 2.5-5.5V，支持工业温度范围（-40°C 至 +85°C）。

数据手册

1+
￥24.16
10+
￥20.56
30+
￥18.41
100+
￥16.25

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型号：IS25LP256H-JLLE 编号：C6062485

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP256H 串行闪存存储器采用简化引脚封装，提供了一种兼具高灵活性和高性能的通用存储解决方案。这款“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可配置为多 I/O 接口

1+
￥24.59
10+
￥20.84
30+
￥18.61
100+
￥16.35
480+
￥15.31
960+
￥14.84

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型号：MX25L25645GZ2I-08G 编号：C2802978

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口。模式0和模式3。单电源操作。读、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏。268,435,456 x 1位结构或134,217,728 x 2位（双I/O模式）结构或67,108,864 x 4位（四I/O模式）结构。协议支持：单I/O、双I/O和四I/O

数据手册

1+
￥28.37
10+
￥24.87
30+
￥22.79
100+
￥20.69
500+
￥19.72

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型号：VTI7064MSME 编号：C139966

封装：SOIC-8

品牌：Vilsion

64Mbit（8MB x 8）串行SPI SRAM,精简SOP8封装！

数据手册

1+
￥28.71
10+
￥24.58
30+
￥22.13

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型号：MKDV2GCL-AB 编号：C2686056

封装：LGA-8(6x8)

品牌：MK(米客方德)

MK SD NAND 是一款设计为 LGA 封装形式的嵌入式存储解决方案。其操作类似于商业标准的 SD 卡，由 NAND 闪存和高性能控制器组成，支持高达 50 MHz 的时钟频率，支持 SPI 模式，写入速度最高可达 Class 6，封装尺寸为 6x8mm。工作电压为 3.3V，工作温度范围为 -25°C 至 85°C。

数据手册

1+
￥33.554 ￥35.32
10+
￥28.8325 ￥30.35
30+
￥25.9635 ￥27.33
100+
￥23.5505 ￥24.79

有货

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型号：DS1972-F5+ 编号：C5209391

封装：-

品牌：ADI(亚德诺)

iButton1024位EEPROM、 EPROM仿真模式，用于保护数据不被意外擦除

1+
￥35.3661 ￥45.93
10+
￥34.6808 ￥45.04
30+
￥32.4478 ￥42.14
100+
￥31.9935 ￥41.55

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型号：W631GG6MB-12 编号：C408825

封装：VFBGA-96

品牌：Winbond(华邦)

W631GG6MB 是 1G bits 的 DDR3 SDRAM，组织方式为 8,388,608 words × 8 banks × 16 bits。该设备支持最高传输速率可达 2133 MT/s (DDR3-2133)，适用于各种应用。该设备分为以下速度等级：-09, -11, -12, -15, 09l, 11l, 12l, 15l, 09J, 11J, 12J 和 15J。其中，12 工业级支持 0°C 至 95°C。

数据手册

10+
￥36.54
100+
￥33.64
300+
￥31.91
1000+
￥30.17

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型号：MX30LF1G18AC-XKI 编号：C2802753

封装：VFBGA-63

品牌：MXIC(旺宏电子)

MX30LF1G18AC是一款1G-bit的SLC NAND Flash存储器，适用于嵌入式系统代码和数据存储。它支持4-bit ECC，具有快速读取访问、缓存读取支持、块擦除操作等功能。

数据手册

1+
￥41.13
10+
￥36.46
30+
￥33.69
200+
￥30.88
400+
￥29.59

有货

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型号：NT5TU64M16HG-AC 编号：C908389

封装：FBGA-84

品牌：Nanya(南亚科技)

特性：JEDEC DDR2 兼容。双数据速率在 DQs、DQS、DM 总线。 4n 预取架构。有效命令吞吐量。发布式 CAS 和附加延迟 (AL)。可配置的 DS 以实现系统兼容性

数据手册

1+
￥44.08
10+
￥38.4
30+
￥34.93
100+
￥32.03

有货

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型号：ZDSD01GLGEAG 编号：C2830323

封装：LGA-8(6x8)

品牌：Zetta(澜智)

SLC ，商业级（ -30℃ to+85℃），标准SD2.0协议，1Gbit，兼容SPI/SD/eMMC接口;内置ECC校验、坏块管理、均衡算法、异常断电保护等功能。别名贴片式TF卡；高可靠性第二代产品,SD NAND(SDNAND)

数据手册

1+
￥44.17
10+
￥38.69
30+
￥35.35
100+
￥29

有货

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型号：MT41K64M16TW-107:J 编号：C75475

封装：FBGA-96(8x14)

品牌：micron(镁光)

1.35V DDR3L SDRAM 设备是 1.5V DDR3 SDRAM 设备的低电压版本。在 1.5V 兼容模式下运行时，请参考 DDR3（1.5V）SDRAM 数据表规格。

数据手册

1+
￥44.22
10+
￥39.35
30+
￥36.45
100+
￥30.8

有货

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型号：MT47H32M16NF-25E:H 编号：C2841140

封装：FBGA-84

品牌：micron(镁光)

512Mb DDR2 SDRAM，支持X4, X8, X16配置，具有4n位预取架构，支持差分时钟和数据选通。提供多种速度等级和封装选项。

1+
￥44.56
10+
￥41.38
30+
￥39.49
100+
￥36.28

有货

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型号：W632GG6NB-11 编号：C2641226

封装：VFBGA-96(7.5x13)

品牌：Winbond(华邦)

数据手册

2+
￥47.45
20+
￥43.05
60+
￥40.43
198+
￥37.78
990+
￥36.56
1584+
￥36

有货

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型号：IS42S16160J-7BLI 编号：C1348766

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容

数据手册