EPROM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

GT22L16M1Y是一款16x16点阵字库芯片，支持GB18030国标汉字（同时支持UNICODE编码）。排列格式为竖置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的点阵信息。

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型号：S29AL008J55TFIR20 编号：C2948805

封装：TFSOP-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

该产品是一款8 Mbit、3.0伏的闪存，组织形式为1,048,576字节或524,288字。该设备提供48球细间距BGA（0.8毫米间距）和48引脚TSOP封装。该设备可在系统中使用标准系统3.0伏VCC电源进行编程，写入或擦除操作不需要12.0伏VPP或5.0伏VCC。该设备也可在标准EPROM编程器中编程。该设备的访问时间可达55 ns，允许高速微处理器无等待状态运行。为消除总线争用，该设备具有独立的芯片使能（CE#）、写使能（WE#）和输出使能（OE#）控制

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型号：MT40A1G16KNR-075:E 编号：C504878

封装：FBGA-96

这款16Gb（TwinDie™）DDR4 SDRAM采用美光的8Gb DDR4 SDRAM芯片；将两片x8芯片组合成一片x16芯片。其信号与单x16芯片类似，多一个ZQ连接以实现更快的ZQ校准，并且x8寻址需要一个BG1控制信号。

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型号：GT24L16M1Y20 编号：C126762

封装：DFN-8-EP(2x3)

GT24L16M1Y20字库芯片包含16×16字号，支持GB18030简体中文字符集（由中国标准化研究院授权）和ASCII字符。数据排列格式为编码形式，用户可通过本数据手册给出的计算方法获取特定字符点阵的地址，从而通过GT24L16M1Y20访问更多字符数据。除了包含字库外，该芯片还提供256kB的可擦除空间，由64个扇区组成，每个扇区4kB，或16页，每页256字节

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型号：GT5HL16S2W 编号：C42438374

封装：SOP-8A

GT5HL16S2W是一款内含16x16灰度点阵的汉字库芯片，支持GB2312国标简体汉字（兼容UNICODE编码）、ASCII字符编码。排列格式为横置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的灰度点阵信息。

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型号：GT24L16A2Y 编号：C515673

封装：TDFN-8-EP(2x3)

GT24L16A2Y是一款12、16点阵字库芯片，支持GB18030国标简体汉字、BIG5繁体、JIS0208日文字符集、KSC5601韩文字符集及其它多国字符集并均兼容Unicode。排列格式为竖置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的点阵信息。GT24L16A2Y除含有上述字库以外，还提供64个扇区，每个扇区4K字节或16页，每页256字节，可自由写入空间地址范围为：1C0000-1FFFFF。仅支持上位机烧录，可重复擦写10万次以上。

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型号：GT32L32M4W40 编号：C515660

封装：TDFN-8-EP(2x3)

是一款12、16、24、32点阵字库芯片，支持GB18030和GB2312国标简体汉字、BIG5繁体字符集并均兼容Unicode。排列格式为横置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的点阵信息。除含有上述字库以外，还提供客户512KB字节的可自由读写空间，还提供128个扇区，每个扇区4K字节或16页，每页256字节，可自由写入空间地址范围为：0x380000-0x400000。仅支持上位机烧录，可重复擦写10万次以上。

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型号：GT21L24S1W 编号：C126756

封装：SOP-8

GT21L24S1W是一款内含 24×24 点阵的汉字库芯片，支持GB2312国标简体汉字（含有国家信标委合法授权）、ASCII字符。排列格式为横置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的点阵信息。

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型号：GT5DL24A2W 编号：C515661

封装：DFN-8-EP(2x3)

GT5DL24A2W是一款具备16点阵和24点阵的字库芯片，支持GBK汉字、JIS0208日文字符集、KSC5601韩文字符集以及其他180种外文符号，并且兼容上述文字的Unicode字符集。排列格式为横排和竖排。用户可通过字符内码，利用本公司提供的库文件中的功能接口，直接读取内码的点阵信息

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型号：GT5HL24A2W 编号：C42438424

封装：SOP-8B

GT5HL24A2W是一款含16及24灰度点阵的字库芯片，支持GBK中文及繁体汉字、JIS0208日文字符集、KSC5601韩文字符集等180国外文字符，同时兼容以上各种文字的Unicode字符集。排列格式为横置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的灰度点阵信息。

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型号：GT60L16M2K4 编号：C126771

封装：SOIC-8-208mil

高通曲线字库模组GT60L16M2K4是以二次余弦曲线函数算法来描述汉字和字符的字型笔划轮廓。它的特点是字形压缩比高，可以任意缩放（16点到192点），变形效果（加粗，倾斜，反白，钩边，灰度等），具有字体平滑而不失真等优点，可产生多种高质量的汉字输出，适用于各种嵌入式电子产品，包括需要高分辨率的显示或打印设备。

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型号：F70ME0101D-RDWA 编号：C5126836

封装：BGA-162

品牌：FORESEE(江波龙)

该多芯片封装存储器结合了1Gbit NAND Flash和1Gbit LPDDR2 SDRAM，支持独立的接口和核心电源连接，适用于需要高性能和高密度存储的应用。

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型号：AT27C020-90JU 编号：C1348959

封装：PLCC-32(11.4x14)

AT27C020是一款低功耗、高性能的2,097,152位一次性可编程只读存储器（OTP EPROM），按256K×8位方式组织。在正常读取模式下，它仅需一个5V电源。任何字节都可在55ns内被访问，无需在高性能微处理器系统中使用降低速度的等待状态

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型号：H26M41204HPR 编号：C390899

封装：FBGA-153

品牌：HYNIX(海力士)

SK hynix H26M41204HPR 是一款8GB eMMC5.1兼容的嵌入式NAND闪存，支持高速传输模式（HS400）。它集成了NAND闪存和MMC控制器，支持多种高级功能，如现场固件更新、健康报告、安全写保护等。该器件的工作电压范围为2.7V至3.6V，控制器核心电压为1.7V至1.95V，工作温度范围为-25℃至+85℃。

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型号：GT5HL20K2W 编号：C42438423

封装：SOP-8A

GT5HL20K2W是一款内含16X16和20X20灰度点阵的汉字库芯片，支持GB2312国标简体汉字（兼容UNICODE编码）、ASCII字符编码，排列格式为横置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的灰度点阵信息。

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型号：GT5HL32S3W 编号：C42438373

封装：SOP-8A

GT5HL32S3W是一款内含16x16、24x24、32x32灰度点阵的汉字库芯片，支持GB2312国标汉字（兼容UNICODE编码），ASCII字符编码。排列格式为W-横置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的灰度点阵信息。

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型号：GT31L16S2W80 编号：C515655

封装：SOP-8-208mil

GT31L16S2W80是一款内含 12x12 点阵和16x16点阵的汉字字库芯片，支持GB2312国标简体汉字（含有国家信标委合法授权）、ASCII字符及Unicode转GB2312编码表。排列格式为横置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的点阵信息。

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型号：AT27C020-90PU 编号：C1348725

封装：PDIP-32

AT27C020是一款低功耗、高性能的2,097,152位一次性可编程只读存储器（OTP EPROM），按256K×8位方式组织。在正常读取模式下，它仅需一个5V电源。任何字节都可在55ns内被访问，无需在高性能微处理器系统中使用降低速度的等待状态

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型号：AT27C040-70JU 编号：C1348948

封装：PLCC-32(11.4x14)

AT27C040是一款低功耗、高性能的4,194,304位一次性可编程只读存储器（OTP EPROM），其组织形式为512K×8位。在正常读取模式操作下，AT27C040仅需一个5V电源。任何字节都可在小于70ns的时间内被访问，从而无需在高性能微处理器系统中设置降低速度的等待状态

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单价：
￥64.95 / 个

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型号：MT40A4G4NEA-062E-R 编号：C5128615

封装：FBGA-78

32Gb TwinDie DDR4 SDRAM 是高速CMOS动态随机存取存储器设备，内部配置为两个16-bank DDR4 SDRAM设备。每个die在双die封装内单独测试。

单价：
￥288.83 / 个

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型号：GT32L24M0140 编号：C126767

封装：SOP-8-208mil

GT32L24M0140是一款拥有12X12，16X16，24X24点阵字库芯片，支持GB18030国标汉字（含有国家信标委合法授权）、ASCII字符及条形码图库。排列格式为横置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的点阵信息。

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型号：IS62WVS5128GBLL-45NLI 编号：C3646907

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62/65WVS5128GALL/GBLL是4M位的快速串行静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字节×8位。它是由两片2Mb串行SRAM堆叠而成的双芯片堆栈。该器件通过一个与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线进行访问

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型号：AT27C020-55PU 编号：C1351690

封装：PDIP-32

AT27C020是一款低功耗、高性能的2,097,152位一次性可编程只读存储器（OTP EPROM），按256K×8位方式组织。在正常读取模式下，它仅需一个5V电源。任何字节都可在55ns内被访问，无需在高性能微处理器系统中使用降低速度的等待状态

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型号：S71KL256SC0BHB000 编号：C2950646

封装：VBGA-24

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

对于需要闪存和自刷新动态随机存取存储器 (DRAM) 的系统，HyperBus 产品系列包括将 HyperFlash 和 HyperRAM 组合在单个封装中的多芯片封装 (MCP) 器件。HyperBus MCP 减少了电路板空间和印刷电路板 (PCB) 信号布线的拥塞，同时在单独封装的内存配置上保持或提高了信号完整性。HyperBus MCP 系列提供 1.8V/3V 接口，HyperFlash 密度为 512 Mb（64 Mbyte）和 256 Mb（32 Mbyte），并与 64 Mb（8 Mbyte）的 HyperRAM 组合。

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型号：IS46QR16256B-083RBLA2 编号：C5119925

封装：-

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：FJAD4N8GT6L9-QHC 编号：C49302892

封装：FBGA-96

品牌：KFSemi(堃方)

DDR4 SDRAM 8Gb 512Mx16 3200 96BGA

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型号：S71KL256SC0BHB000 编号：C5340038

封装：FBGA-24(6x8)

品牌：Infineon(英飞凌)

对于需要闪存和自刷新动态随机存取存储器 (DRAM) 的系统，HyperBus 产品系列包括将 HyperFlash 和 HyperRAM 组合在单个封装中的多芯片封装 (MCP) 器件。HyperBus MCP 减少了电路板空间和印刷电路板 (PCB) 信号布线的拥塞，同时在单独封装的内存配置上保持或提高了信号完整性。HyperBus MCP 系列提供 1.8V/3V 接口，HyperFlash 密度为 512 Mb（64 Mbyte）和 256 Mb（32 Mbyte），并与 64 Mb（8 Mbyte）的 HyperRAM 组合。

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型号：MT29C2G24MAAAAKAMD-5 IT 编号：C2917791

封装：VFBGA-130

Micron的多芯片封装（PoP）产品将NAND Flash和Mobile LPDRAM设备组合在一个单个多芯片封装（MCP）中，适用于低功耗、高性能和小封装尺寸设计的移动应用。NAND Flash和Mobile LPDRAM设备具有独立的接口（无共享地址、控制、数据或电源球）。这种总线架构支持与具有独立NAND Flash和Mobile LPDRAM总线的处理器的优化接口。

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型号：MT29C4G48MAZBBAKS-48 IT 编号：C5128470

封装：VFBGA-137