EPROM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：M95320-WMN6TP 编号：C283459

封装：SOP-8

品牌：ST(意法半导体)

32 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

数据手册

5+
￥1.8045
50+
￥1.4059
150+
￥1.2351
500+
￥1.0219

有货

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型号：M93C56-RDW6TP 编号：C2062199

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

2 Kbit（8位或16位宽）MICROWIRE串行访问EEPROM

数据手册

1+
￥1.806 ￥3.01
10+
￥1.325 ￥2.65
30+
￥0.988 ￥2.47
100+
￥0.916 ￥2.29
500+
￥0.872 ￥2.18
1000+
￥0.848 ￥2.12

有货

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型号：M24C16-WDW6TP 编号：C283442

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

16 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

5+
￥1.9391
50+
￥1.5208
150+
￥1.3415
500+
￥1.1178

有货

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型号：BL24C256AE0-PARC 编号：C7436520

封装：SOP-8L

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C256A提供256K位（32K字节）的串行EEPROM，支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能。内部组织为512页，每页64字节。具有高可靠性，增强的ESD/闩锁保护，以及100年的数据保留能力。

5+
￥2.0204
50+
￥1.5865
150+
￥1.4005
500+
￥1.1685
2500+
￥1.0651

有货

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型号：24AA01T-I/OT 编号：C122877

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA01/24LC01B（24xxx01*）是一款1Kbit电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，将128×8位存储器组织为一个存储块。低电压设计允许其在低至1V的电压下工作

数据手册

5+
￥2.0213
50+
￥1.6074
150+
￥1.4301
500+
￥1.2088

有货

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型号：AT24C512C-SSHD-T-TUDI 编号：C36533649

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24C512/CAT24C512 是兼容工业标准2线接口的EEPROM设备，具有65,536 x 8位的存储阵列，支持页写模式，自定时写周期，工作电压范围为1.7V到5.5V，最高工作速度可达1MHz。

5+
￥2.05637 ￥2.1646
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￥1.64939 ￥1.7362
150+
￥1.47497 ￥1.5526
500+
￥1.257325 ￥1.3235
2500+
￥0.998925 ￥1.0515
5000+
￥0.940785 ￥0.9903

有货

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型号：HG24C512CM/TR 编号：C19193468

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

512K位I2C兼容串行EEPROM，支持1.7V到5.5V供电电压，400kHz和1MHz传输速率，具备硬件写保护功能，提供128字节写锁定页和128位唯一ID，工作温度范围为-40°C至+105°C。

5+
￥2.2285
50+
￥1.7499
150+
￥1.5447
500+
￥1.2888
2500+
￥1.1748
5000+
￥1.1064

有货

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型号：AT24C512CP064 编号：C51026310

封装：DIP-8

品牌：GMIC(绿微)

24C512是一款512-Kbit I2C兼容串行EEPROM，具有1MHz传输速率，工作温度范围为-40°C到+105°C。该设备集成了硬件写保护功能，用于保护整个内存阵列。

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￥2.4211 ￥3.41
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￥1.9028 ￥2.68
50+
￥1.6756 ￥2.36
100+
￥1.3987 ￥1.97
500+
￥1.2709 ￥1.79
1000+
￥1.1999 ￥1.69

有货

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型号：CAT24C64HU4I-GT3 编号：C233773

封装：UDFN-8L-EP(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C64 是一款 64-kb CMOS 串行 EEPROM 器件，内部组织为 8192 个词，每个词 8 位。它具有 32 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAT24C512 器件。

数据手册

1+
￥3.08
10+
￥2.39
30+
￥2.09
100+
￥1.73
500+
￥1.56
1000+
￥1.46

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型号：BL24CM1A-PARC 编号：C414060

封装：SOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL24CM1A是一款1Mbit (131072 x 8)的串行EEPROM，支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能，提供高达4百万次的写周期寿命和100年的数据保留时间。

数据手册

1+
￥3.16
10+
￥2.5
30+
￥2.22
100+
￥1.87
500+
￥1.65
1000+
￥1.56

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型号：GD25Q80ESIGR 编号：C2922791

封装：SOP-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25Q80E（8M 位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）以及双/四路 SPI：串行时钟、片选、串行数据 I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（HOLD#）。双 I/O 数据传输速度为 266Mbit/s，四路 I/O 数据传输速度为 532Mbit/s。

数据手册

1+
￥3.55
10+
￥3.02
30+
￥2.8
100+
￥2.51
500+
￥1.66
1000+
￥1.58

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型号：AT45DB041E-SHN-T 编号：C63570

封装：SOIC-8-208mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

4-Mbit(500K x 8bit)，SPI接口，工作电压：1.65V to 3.6V

数据手册

1+
￥3.66
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￥2.97
30+
￥2.68
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￥2.31
500+
￥1.93
1000+
￥1.83

有货

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型号：CAV24C16WE-GT3 编号：C146711

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAV24C02/04/08/16分别为2 Kb、4 Kb、8 Kb和16 Kb的CMOS串行EEPROM器件，其内部结构分别为16页、32页、64页和128页，每页16字节。所有器件均支持标准（100 kHz）和快速（400 kHz）I²C协议。写入数据时，需提供起始地址，然后将1至16个连续字节加载到页写缓冲区，再在一个内部写周期内将所有数据写入非易失性存储器

数据手册

1+
￥3.82
10+
￥3.07
30+
￥2.69
100+
￥2.31
500+
￥2.01
1000+
￥1.9

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型号：24LC02BT-E/SN 编号：C615682

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xxx02是一款2 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织形式为一个256×8位的存储块。其低电压设计允许在低至1 V的电压下工作

数据手册

1+
￥3.88
10+
￥3.15
30+
￥2.78
100+
￥2.42
500+
￥2.2
1000+
￥2.09

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型号：93LC46B-I/P 编号：C511275

封装：DIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

该产品是 1Kbit 低电压串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。字可选设备（如 93AA46C、93LC46C 或 93C46C）依赖于驱动 ORG 引脚的外部逻辑电平来设置字大小。对于专用 8 位通信，有 93AA46A、93LC46A 或 93C46A 设备；对于专用 16 位通信，有 93AA46B、93LC46B 和 93C46B 设备。先进的 CMOS 技术使这些设备适用于低功耗、非易失性存储应用

数据手册

1+
￥4.42
10+
￥3.62
30+
￥3.22
100+
￥2.83
500+
￥2.59
1000+
￥2.47

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型号：M24C02-DRMF3TG/K 编号：C880085

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：ST(意法半导体)

汽车级2 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

1+
￥4.6
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￥3.67
30+
￥3.2
100+
￥2.74
500+
￥2.47
1000+
￥2.33

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型号：24AA32AT-I/OT 编号：C2061066

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA32A/24LC32A（24×32A*）是一款32 Kbit电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用双线串行接口，组织形式为一个4K×8位的单块存储器。低电压设计允许其在低至1 V的电压下工作

数据手册

1+
￥5.12
10+
￥4.21
30+
￥3.76
100+
￥3.31
500+
￥3.04
1000+
￥2.9

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型号：IS61LV256AL-10TLI 编号：C412837

封装：TSOPI-28

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61LV256AL是一款超高速、低功耗的32768字×8位静态随机存取存储器（SRAM）。它采用高性能CMOS工艺制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，使得最大访问时间最快可达8 ns

数据手册

1+
￥9.1
10+
￥8.25
30+
￥7.71
100+
￥7.16
500+
￥6.91

有货

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型号：W25Q32RVXHJQ TR 编号：C32246052

封装：XSON-8(2x3)

品牌：Winbond(华邦)

1+
￥9.36
10+
￥7.92
30+
￥7.13
100+
￥6.24
500+
￥5.84
1000+
￥5.66

有货

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型号：APS1604M-3SQR-SN 编号：C18214056

封装：SOP-8

品牌：Apmemory

这款伪静态随机存取存储器（Pseudo - SRAM）器件具有高速、低引脚数接口的特点。它有 4 个输入/输出（I/O）引脚，可在串行外设接口（SPI）或四路外设接口（QP）模式下工作，频率高达 133 MHz。存储器的数据输入（A/DQ）依靠时钟（CLK）来锁存所有指令、地址和数据

1+
￥9.96
10+
￥8.3
30+
￥7.39
100+
￥6.36

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型号：APS6404L-3SQR-ZR 编号：C3040877

封装：USON-8L

品牌：Apmemory

数据手册

1+
￥12.24
10+
￥10.38
30+
￥9.21
100+
￥8.02
500+
￥7.48

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型号：M95M02-DRMN6TP 编号：C915963

封装：SOP-8

品牌：ST(意法半导体)

2 Mbit串行SPI总线EEPROM

数据手册

1+
￥12.25
10+
￥10.4
30+
￥9.25
100+
￥7.5

有货

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型号：AT25M02-SSHD-T-TUDI 编号：C41355579

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

串行电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)

1+
￥12.7205 ￥13.39
10+
￥11.647 ￥12.26
30+
￥10.9725 ￥11.55
100+
￥10.2885 ￥10.83
500+
￥9.975 ￥10.5
1000+
￥9.842 ￥10.36

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型号：25LC256T-E/SN 编号：C159741

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA256/25LC256 (25xxx256*) 是 256 Kbit 串行电可擦除 PROM。通过简单的串行外设接口 (SPI) 兼容串行总线访问存储器。所需的总线信号是时钟输入 (SCK) 加上单独的数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。

数据手册

1+
￥14.65
10+
￥12.44
30+
￥11.05
100+
￥9.63

有货

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型号：MKDV1GCL-ABF 编号：C51966230

封装：LGA-8(6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:SLC,商业级，MKDV1GCL-ABA升级款，广泛适配在各大MCU平台上；工作温度：-25°~85°，新物料选型推荐，SDNAND别名贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

1+
￥15.62
10+
￥13.26
30+
￥11.79
100+
￥10.28

有货

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型号：IS25LP128F-JBLE-TR 编号：C2063014

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP128F 和 IS25WP128F 串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，它具有高度的灵活性和高性能，且采用引脚数量简化的封装。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多 I/O 模式。该器件支持双 I/O 和四 I/O 模式，以及标准、双输出和四输出 SPI 模式

数据手册

1+
￥18.97
10+
￥16.21
30+
￥14.48
100+
￥11.31
500+
￥10.51
1000+
￥10.17

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型号：MKDV1GIL-AS 编号：C726726

封装：LGA-8(6x8)

品牌：MK(米客方德)

MK SD NAND 是一种嵌入式存储解决方案，设计为LGA封装形式。其操作类似于工业标准的SD卡。SD NAND由NAND闪存和高性能控制器组成，支持3.3V供电电压。完全符合SD2.0接口标准，支持SPI模式，内置硬件ECC引擎和高可靠的NAND管理机制。写速度最高可达Class 6，封装尺寸小，LGA-8。

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