EPROM存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

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型号：AT27BV4096-12JI 编号：C19433148

封装：PLCC-44(16.6x16.6)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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￥122.81
189+
￥49.01
513+
￥47.37
999+
￥46.56

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型号：AT27BV4096-15VI 编号：C19573280

封装：VSOP-40

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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￥129.63
160+
￥51.73
480+
￥50
960+
￥49.15

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型号：S72XS256RE0AHBH23 编号：C2064274

封装：FBGA-133(8x8)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

数据手册

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￥37.57
200+
￥14.54
500+
￥14.03
1000+
￥13.78

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型号：HN27C101AFP12 编号：C17253169

封装：SOP-32

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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￥385.05
195+
￥153.64
494+
￥148.51
1001+
￥145.97

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型号：X20C16SI-35 编号：C19523125

封装：SOIC-28

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

1+
￥766.97
200+
￥306.03
500+
￥295.8
1000+
￥290.75

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型号：W25Q32JVSSIQ 编号：C179173

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。该系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备。适用于将代码映射到 RAM、通过双/四 SPI 直接执行代码(XIP)以及存储语音、文本和数据。设备在 2.7V 至 3.6V 电源下工作,掉电时电流消耗低至 1μA。阵列由 16,384 个可编程页面组成,每页 256 字节,一次最多可编程 256 字节。页面可以按 16 页一组(4KB 扇区擦除)、128 页一组(32KB 块擦除)、256 页一组(64KB 块擦除)或整个芯片(芯片擦除)进行擦除。有 1,024 个可擦除扇区和 64 个可擦除块,小的 4KB 扇区具有很大优势。

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￥8.09
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￥7.28
30+
￥6.71
100+
￥6.24
500+
￥6.09
1000+
￥6

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型号：W25Q64JVSSIQ 编号：C83140

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

64M-bit/8M-byte FLASH芯片,SPI接口 133MHz(266/532MHz Dual/Quad-SPI) 比W25Q64FVSSIG更高速度

数据手册

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￥9.13
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￥8.39
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￥7.69
90+
￥7.17
540+
￥6.96
990+
￥6.85

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型号：MT41K256M16TW-107 IT:P 编号：C367428

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

DDR3L SDRAM（1.35V）是DDR3（1.5V）SDRAM的低电压版本。在1.5V兼容模式下运行时，请参考DDR3（1.5V）SDRAM（芯片版本：E）数据手册规格。

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1+
￥51.15
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￥46.21
30+
￥43.06
100+
￥40

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型号：MB85RC64TAPNF-G-BDERE1 编号：C189804

封装：SOP-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

是一款8192字×8位配置的铁电随机存取存储器（FRAM）芯片，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。与SRAM不同，无需使用数据备份电池即可保留数据。非易失性存储单元的读写耐久性提高到至少10¹³次循环，在次数上显著优于闪存和E²PROM。写入存储器后不需要像闪存或E²PROM那样的轮询序列。

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￥6.3
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￥5.33
30+
￥4.65
100+
￥4.09
500+
￥3.63
1500+
￥3.52

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型号：CAT25256VI-GT3 编号：C238492

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25256 是一款 EEPROM 串行 256-Kb SPI 器件，内部组织为 32kx8 位。它具有 64 字节页写入缓存，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。保持输入可用于暂停与 CAT25256 器件的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。可用于新产品（修订版E）。

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1+
￥3.11
10+
￥2.44
30+
￥2.16
100+
￥1.8
500+
￥1.51
1000+
￥1.41

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型号：CAT25640VI-GT3 编号：C153776

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25640 是一款 EEPROM 串行 64-Kb SPI 器件，内部组织为 8kx8 位。它具有 64 字节页写入缓冲区，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。保持输入可用于暂停与 CAT25640 器件的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。

数据手册

5+
￥1.7501
50+
￥1.3566
150+
￥1.1879
500+
￥0.9775
3000+
￥0.8838
6000+
￥0.8276

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型号：W25Q80DVSNIG 编号：C115408

封装：SOIC-8

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和功率有限的系统提供存储解决方案。该系列产品提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备,适用于将代码映射到 RAM、直接从双/四 SPI 执行代码(XIP)以及存储语音、文本和数据。工作电压为 2.7V 至 3.6V 或 2.3V 至 3.6V,掉电时电流消耗低至 1μA。阵列由 4,096 个可编程页面组成,每页 256 字节,每次最多可编程 256 字节。页面可以按 16 页(4KB 扇区擦除)、128 页(32KB 块擦除)、256 页(64KB 块擦除)或整个芯片(芯片擦除)进行擦除。小的 4KB 扇区为需要数据和参数存储的应用提供了更大的灵活性

数据手册

1+
￥3.6394
10+
￥3.1609
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￥2.9558
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￥2.6823
500+
￥2.5684
1000+
￥2.5

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型号：GX2431D 编号：C2758004

封装：DFN-6

品牌：GXCAS(中科银河芯)

GX2431D是一款采用单总线接口的1024位EEPROM存储器，具有全球唯一的64位序列号，支持单总线通信协议。每个器件都有一个出厂时利用激光光刻写入芯片的64位ROM地址码，以保证其绝对可溯性。数据按照1-Wire协议串行传输，只需要一根数据线和返回地线。

数据手册

1+
￥4.93
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￥3.94
30+
￥3.44
100+
￥2.95
500+
￥2.65
1000+
￥2.5

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型号：24LC512T-I/SM 编号：C18091

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

该产品是一款 64k x 8（512 Kbit）串行电可擦除 PROM，能够在较宽的电压范围（1.7V 至 5.5V）内工作。它专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信和数据采集。该设备还具备高达 128 字节数据的页写入能力，能够在 512K 边界内进行随机和顺序读取。功能地址线允许在同一总线上连接多达八个设备，地址空间可达 4 Mbit。该设备有标准的 8 引脚塑料 DIP、SOIJ、SOIC、TSSOP、DFN 和 14 引脚 TSSOP 封装。24AA512 还有 8 引脚芯片级封装。

数据手册

1+
￥5.6
10+
￥4.51
30+
￥3.97
100+
￥3.42
500+
￥3.1
1000+
￥2.93

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型号：25LC512T-I/SN 编号：C31769

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC512是一款512 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具备通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。这些功能在进行字节或页写入操作时并非必需

数据手册

1+
￥10.55
10+
￥8.91
30+
￥7.89
100+
￥6.84
500+
￥6.36
1000+
￥6.16

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型号：DS28E07P+T 编号：C2063921

封装：TSOC-6

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

DS28E07是一款1024位1-Wire EEPROM芯片，组织为四个256位的内存页。数据先写入8字节的暂存区，验证后复制到EEPROM内存。每个设备都有一个唯一的64位ROM识别号。

数据手册

1+
￥11.12
10+
￥9.42
30+
￥8.36
100+
￥7.26
500+
￥6.77
1000+
￥6.56

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型号：GX2431Q 编号：C2763593

封装：QFN-16

品牌：GXCAS(中科银河芯)

GX2431Q是一款采用单总线接口的1024位EEPROM存储器，具有全球唯一的64位序列号，支持单总线通信协议。每个器件都有一个出厂时利用激光光刻写入芯片的64位ROM地址码，以保证其绝对可溯性。数据按照1-Wire协议串行传输，只需要一根数据线和返回地线。

数据手册

1+
￥4.66
10+
￥3.75
30+
￥3.29
100+
￥2.84
500+
￥2.5
1000+
￥2.36

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型号：GX28E01D2F 编号：C22435413

封装：DFN-6(3x3)

品牌：GXCAS(中科银河芯)

GX28E01D2F是一款带有SHA-1引擎保护的1Kb单总线EEPROM，用于提供高度的身份验证安全性。该芯片可以处理64位和320位的SHA-1输入块密钥以及64位随机挑战和附加芯片数据。EEPROM阵列配置分为4页256位，带有一个64位暂存器来执行写操作。所有的存储器页都可以设置为写保护，其中一页可以置于EEPROM仿真模式。

1+
￥6.1
10+
￥5.4
30+
￥4.95
100+
￥4.4
500+
￥4.16
1000+
￥4

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型号：CAT25160VI-GT3 编号：C512876

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25160 是一款 EEPROM 串行 16-Kb SPI 器件，内部组织为 2048x8 位。其具有 32 字节页写入缓存，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。保持输入可用于暂停与 CAT25160 器件的任何串行通信。此类器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。

数据手册

1+
￥1.75
10+
￥1.52
30+
￥1.42
100+
￥1.29
500+
￥1.23
1000+
￥1.2

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型号：24LC64-I/SN 编号：C511260

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款64 Kbit电可擦除PROM。该设备被组织为一个8K x 8位的单块存储器，具有两线串行接口。低电压设计允许在低至1.7V的电压下工作，待机和工作电流分别仅为1μA和3mA。它专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信或数据采集。还具备高达32字节数据的页写能力。功能地址线允许在同一总线上连接多达八个设备，地址空间高达512 Kbits。有标准8引脚PDIP、表面贴装SOIC、SOIJ、TSSOP、DFN、TDFN和MSOP封装，也有5引脚SOT-23和芯片级封装。

数据手册

5+
￥2.2493
50+
￥1.7654
150+
￥1.5581
500+
￥1.2993
2500+
￥1.1841

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型号：GX2431 编号：C2926931

封装：TO-92-3

品牌：GXCAS(中科银河芯)

GX2431是一款采用单总线接口的1024位EEPROM存储器，具有全球唯一的64位序列号，支持单总线通信协议。每个器件都有一个出厂时利用激光光刻写入芯片的64位ROM地址码，以保证其绝对可溯性。数据按照1-Wire协议串行传输，只需要一根数据线和返回地线。

数据手册

1+
￥4.76
10+
￥3.81
30+
￥3.33
100+
￥2.86
500+
￥2.58
1000+
￥2.43

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型号：GD25Q256EYIGR 编号：C2927043

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

串行闪存支持标准串行外设接口 (SPI) 以及双/四 SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP#)、I/O3 (HOLD#/RESET#)。双 I/O 数据传输速度为 266Mbit/s，四 I/O 数据传输速度为 532Mbit/s。

数据手册

1+
￥21.85
10+
￥19.67
30+
￥18.3
100+
￥9.65
500+
￥9.02

有货

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型号：25LC1024T-I/SM 编号：C616166

封装：SOIJ-8-5.28mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC1024是一款1024 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具有通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。这些功能在字节或页写入操作中并非必需

数据手册

1+
￥27.06
10+
￥24.05
30+
￥20.17
100+
￥18.24

有货

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型号：MX35LF1GE4AB-Z4I 编号：C402160

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：MXIC(旺宏电子)

MX35LFxGE4AB是一款具有串行接口的1Gb/2Gb单级单元（SLC）NAND闪存器件。该器件的存储阵列采用了与并行NAND相同的存储单元架构，但实现了行业标准的串行接口。芯片中集成了一个内部4位纠错码（ECC）逻辑，默认处于启用状态

数据手册

1+
￥30.69
10+
￥26.31
30+
￥23.7
100+
￥21.07

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型号：CAT25080VI-GT3 编号：C890368

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25080 是 EEPROM 串行 8-Kb SPI 器件，内部组织为 1024x8 位。其具有 32 字节页写入缓存，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。保持输入可用于暂停与 CAT25080 器件的任何串行通信。此类器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。

数据手册

5+
￥2.1592
50+
￥1.7145
150+
￥1.5239
500+
￥1.14

有货

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型号：CAT25640HU4I-GT3 编号：C890377

封装：UDFN-8-EP(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

CAT25640 是一款 EEPROM 串行 64-Kb SPI 器件，内部组织为 8kx8 位。它具有 64 字节页写入缓冲区，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。保持输入可用于暂停与 CAT25640 器件的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。

数据手册

1+
￥3.3
10+
￥3
30+
￥2.86
100+
￥2.71
500+
￥1.78
1000+
￥1.74

有货

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型号：NT5CC512M8EN-EK 编号：C2841152

封装：VFBGA-78(8x10.5)

品牌：Nanya(南亚科技)

4Gb双数据速率3（DDR3(L)）DRAM是一种高速CMOS SDRAM，包含4,294,967,296位。它在内部配置为八存储体DRAM。4Gb芯片组织为64Mb x 8 I/O x 8存储体和32Mbit x 16 I/O x 8存储体。这些同步设备在一般应用中可实现高达2133 Mb/sec/pin的高速双数据速率传输。该芯片设计符合所有关键的DDR3(L) DRAM关键特性，所有控制和地址输入都与一对外部提供的差分时钟同步。输入在差分时钟的交叉点（CK上升和CK下降）锁存。所有I/O以源同步方式与单端DQS或差分DQS对同步。

单价：
￥22.83 / 个

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型号：IS25LP256H-JLLE 编号：C6062485

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP256H 串行闪存存储器采用简化引脚封装，提供了一种兼具高灵活性和高性能的通用存储解决方案。这款“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片使能（CE#）引脚组成，也可配置为多 I/O 接口

1+
￥24.59
10+
￥20.84
30+
￥18.61
100+
￥16.35
480+
￥15.31
960+
￥14.84

有货

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型号：BY25D80ASTIG(R) 编号：C383790

封装：SOP-8

品牌：BOYAMICRO(博雅)

8M 位串行外设接口 (SPI) 闪存，支持双 SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)。双输出数据传输速度为 108Mbit/s。设备使用 2.7V 至 3.6V 的单低压电源供电。此外，该设备支持 JEDEC 标准制造商和设备 ID。

数据手册

5+
￥1.0766
50+
￥0.8345
150+
￥0.7308
500+
￥0.6014
2500+
￥0.5437
4000+
￥0.5091

有货

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型号：24LC32AT-I/SN 编号：C615715

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款32 Kbit电可擦除PROM。该设备被组织为一个单块4K x 8位存储器，具有两线串行接口。低电压设计允许低至1.7V的操作，待机和工作电流分别仅为1 μA和1 mA。专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信或数据采集。具有高达32字节数据的页面写入能力。功能地址线允许在同一总线上最多连接八个设备，提供高达256 Kbits的地址空间。有标准8引脚PDIP、表面贴装SOIC、SOIJ、TSSOP、DFN、TDFN和MSOP封装，也有5引脚SOT-23和芯片级封装。

数据手册

1+
￥2.51
10+
￥1.99
30+
￥1.77
100+
￥1.49
500+
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