DDR存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：BR24L32F-WE2 编号：C253183

封装：SOIC-8-175mil

品牌：ROHM(罗姆)

是串行EEPROM，采用I²C总线接口方式

数据手册

1+
￥1.985 ￥3.97
10+
￥1.4 ￥3.5
30+
￥0.978 ￥3.26
100+
￥0.906 ￥3.02
500+
￥0.864 ￥2.88
1000+
￥0.843 ￥2.81

有货

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型号：M95640-WMN6TP 编号：C140882

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

64 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

数据手册

5+
￥2.0248
50+
￥1.6062
150+
￥1.4268
500+
￥1.203

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型号：CAT24C08HU4I-GT3 编号：C233769

封装：UDFN-8(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C08 是一款 EEPROM 串行 8-Kb I2C 器件，内部组织为 64 页，每页 16 字节。此器件支持标准 (100 kHz) 协议也支持快速 (400 kHz) I2C 协议。数据写入方式为：提供开始地址，然后将 1 到 16 个连续字节加载到页写入缓存中，然后在一个内部写入循环中将所有数据写入非易失性内存。数据读取方式为：提供开始地址，然后以顺序移出数据，同时自动递增内部地址计数。外部地址引脚可在同一总线上实现最多两个 CAT24C08 器件的寻址。

数据手册

5+
￥2.094
50+
￥1.6315
150+
￥1.4332

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型号：CAT24C512WI-GT3-TUDI 编号：C41355583

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24C512/CAT24C512 是一款兼容I2C标准的EEPROM设备，支持128字节页写模式，工作电压范围为1.7V至5.5V，具有自定时写周期和硬件数据保护功能。

1+
￥2.2135 ￥2.33
10+
￥1.9285 ￥2.03
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￥1.8145 ￥1.91
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￥1.6625 ￥1.75
500+
￥1.596 ￥1.68
1000+
￥1.558 ￥1.64

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型号：24AA08T-I/OT 编号：C144178

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA08/24LC08B（24xx08*）是一款 8 Kbit 的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件由四个 256 x 8 位的存储块组成，具备两线串行接口。低电压设计允许其在低至 1 V 的电压下工作

数据手册

5+
￥2.6204
50+
￥2.1668
150+
￥1.9724
500+
￥1.7299

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型号：NV24C32DWVLT3G 编号：C894129

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NV24C32LV 是一款 32-Kb CMOS 串行 EEPROM 器件，内部组织为 8192 个词，每个词 8 位。它具有 32 字节页写缓冲区，支持 Standard (100 kHz)、Fast (400 kHz) 和 Fast?Plus (1 MHz) I2C 协议。

数据手册

1+
￥2.68
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￥2.38
30+
￥2.24
100+
￥2.08
500+
￥1.59
1000+
￥1.54

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型号：BR24G1MFJ-5AE2 编号：C6516030

封装：SOIC-8

品牌：ROHM(罗姆)

1+
￥2.7
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￥2.44
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￥2.33
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￥2.2
500+
￥2.13
1000+
￥2.1

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型号：AT25SF081B-SSHD-T 编号：C1883516

封装：SOP-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

Adesto AT25SF081B是串行接口闪存存储设备，适用于各种高容量消费类应用，其中程序代码从闪存存储中映射到嵌入式或外部RAM中执行。AT25SF081B的灵活擦除架构也适用于数据存储，无需额外的数据存储设备。AT25SF081B的擦除块大小经过优化，可满足当今代码和数据存储应用的需求，这意味着可以更有效地使用存储空间。

数据手册

1+
￥2.95
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￥2.32
30+
￥2.05
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￥1.71
500+
￥1.56
1000+
￥1.47

有货

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型号：24AA02UIDT-I/OT 编号：C511274

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款 2 Kbit 电可擦除 PROM，具有预编程的 32 位唯一 ID。该设备由两个 128×8 位存储块组成，具有两线串行接口。低电压设计允许在低至 1.7V 的电压下工作，最大待机和工作电流分别仅为 1 μA 和 1 mA。还具备最多 8 字节数据的页写入能力（24AA025UID 为 16 字节）。有标准 8 引脚 PDIP、8 引脚 SOIC、5 引脚 SOT-23 和 6 引脚 SOT-23 封装。

数据手册

1+
￥2.97
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￥2.64
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￥2.47
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￥2.3
500+
￥2.04
1000+
￥1.98

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型号：MX25L3233FM2I-08G 编号：C190802

封装：SOP-8-208mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

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1+
￥3.54
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￥2.86
30+
￥2.53

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型号：IS25LP032D-JBLE 编号：C2841347

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP032D 和 IS25WP032D 串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，它采用引脚数量精简的封装，具备高度的灵活性和出色的性能。该产品适用于对空间、引脚数量和功耗要求严苛的系统。该器件通过 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，也可配置为多 I/O 模式

1+
￥4.32
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￥3.54
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￥3.15
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￥2.76
500+
￥2.42
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￥2.3

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型号：XT25F32FDTIGT 编号：C7429719

封装：DFN-8

品牌：XTX(芯天下)

工业级

1+
￥4.41
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￥3.55
30+
￥3.12
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￥2.69
500+
￥2.44
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￥2.31

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型号：MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1 编号：C22044

封装：SOIC-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

16-Kbit(2K × 8bit)，I2C接口，工作电压：3.0V to 5.5V

数据手册

1+
￥4.89
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￥3.92
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￥3.44
100+
￥2.95
500+
￥2.67
1500+
￥2.52

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型号：AT25M01-SSHM-T-TUDI 编号：C41355578

封装：SOIC-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT25M01/CAT25M01提供1,048,576位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为131,072个8位字。该设备适用于许多工业和商业应用。

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￥7.068 ￥7.44
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￥6.4695 ￥6.81
30+
￥6.099 ￥6.42
100+
￥5.719 ￥6.02
500+
￥5.548 ￥5.84
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￥5.472 ￥5.76

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型号：W25Q16JWSNIQ 编号：C7117004

封装：SOIC-8

品牌：Winbond(华邦)

W25Q16JW（16M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

1+
￥7.39
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￥6.23
30+
￥5.64
100+
￥5.07
500+
￥4.72
1000+
￥4.54

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型号：W25Q32JWZPIQ TR 编号：C1021789

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。该系列产品提供了超越普通串行闪存设备的灵活性和性能，适用于将代码映射到RAM、直接从双/四SPI执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据。器件在1.7V至1.95V电源下工作，掉电时电流消耗低至0.1μA。阵列由16384个可编程页面组成，每页256字节，一次最多可编程256字节

数据手册

1+
￥8.35
10+
￥7.54
30+
￥7.14
100+
￥6.6726 ￥6.74
500+
￥6.435 ￥6.5
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￥6.3162 ￥6.38

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型号：MX25U6435FM2I-10G 编号：C382733

封装：SOP-8-208mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

64Mb串行闪存存储器，内部配置为8,388,608×8。当处于双I/O或四I/O模式时...

数据手册

1+
￥9.0574 ￥19.69
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￥7.7924 ￥16.94
30+
￥7.0426 ￥15.31
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￥6.279 ￥13.65
460+
￥5.9294 ￥12.89
920+
￥5.773 ￥12.55

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型号：DS2460S+T&R 编号：C879652

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

是硬件实现的ISO/IEC 10118-3安全哈希算法（SHA-1），无需开发软件来执行验证SHA设备和验证数字签名服务数据所需的复杂SHA计算。通过流行的I²C接口与微控制器通信。应用包括用于令牌认证和服务数据验证的访问控制和电子支付系统主机，以及用于不超过SHA-1结果长度（20字节）的短消息加密和解密的一次性加密密钥生成。

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1+
￥12.16
10+
￥11.08
30+
￥10.41
100+
￥9.72

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型号：IS25LP128-JBLE-TR 编号：C521290

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP032/064/128 串行闪存为用户提供了一种通用存储解决方案，该方案在引脚数量精简的封装中实现了高度的灵活性和出色的性能。IS25LP032/064/128 通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多 I/O 模式。该器件支持双 I/O 和四 I/O 模式，以及标准、双输出和四输出 SPI 模式

数据手册

1+
￥13.02
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￥11.17
30+
￥10.02
100+
￥7.67
500+
￥7.14
1000+
￥6.91

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型号：47L16T-I/SN 编号：C2062434

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

带有EEPROM备份的4/16 Kbit SRAM的存储结构为512×8位或2,048×8位，并采用I²C串行接口。它为SRAM提供无限的读写周期，而EEPROM单元则提供高耐久性的数据非易失性存储。通过外接电容，掉电时SRAM数据会自动传输到EEPROM中

数据手册

1+
￥13.83
10+
￥11.73
30+
￥10.41
100+
￥9.07

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型号：MKPV1G08CT-AF 编号：C433162

封装：TSOPI-48

品牌：MK(米客方德)

MKPV1G08CT-AF是一款1Gb的NAND Flash存储器，支持3.3V供电，具有2.7V至3.6V的工作电压范围，典型擦除时间为4.5ms，典型编程时间为400μs。

数据手册

1+
￥15.77 ￥16.6
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￥13.4805 ￥14.19
30+
￥12.046 ￥12.68
96+
￥9.823 ￥10.34
480+
￥9.1675 ￥9.65
960+
￥8.873 ￥9.34

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型号：FM24V02A-GTR 编号：C382041

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM24V02A是一款256-Kbit非易失性铁电随机存取存储器（F-RAM），采用先进的铁电工艺，具有高耐久性和低功耗。支持快速两线串行接口（I2C），最高频率可达3.4 MHz。适用于频繁写入的应用场景，如数据记录和工业控制。

数据手册

1+
￥18.37
10+
￥15.69
30+
￥14.02
100+
￥10.73
500+
￥9.96

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型号：24LC1025T-E/SN 编号：C2061812

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC1025是一款128K x 8位的I2C串行EEPROM，支持1.8V至5.5V的工作电压范围，具有100,000次擦写寿命，数据保持时间为200年。该器件支持1 MHz的时钟频率，适用于工业温度范围（-40°C至+85°C）。

数据手册

1+
￥21.45
10+
￥18.2
30+
￥16.28
100+
￥14.33

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型号：SST26VF032BT-104I/SM 编号：C69337

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

串行四线I/O™（SQI™）系列闪存设备采用六线4位I/O接口，可在引脚数较少的封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF032B/032BA还支持与传统串行外设接口（SPI）协议的全命令集兼容。使用SQI闪存设备的系统设计占用的电路板空间更小，最终可降低系统成本

数据手册

1+
￥21.89
10+
￥18.09
30+
￥15.84
100+
￥13.55

有货

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型号：IS62WV5128EBLL-45HLI 编号：C1348955

封装：STSOP-32-11.8mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62/65WV5128EALL/BLL/CLL是高速4M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×8位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

数据手册

1+
￥26.96
10+
￥22.85
30+
￥20.4
100+
￥17.93
500+
￥16.79

有货

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型号：IS62WV5128BLL-55HLI-TR 编号：C2065138

封装：STSOP-32-11.8mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62WV5128ALL / IS62WV5128BLL是高速4M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×8位。它采用高性能CMOS工艺制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

数据手册

1+
￥30.51
10+
￥26.51
30+
￥24.13
100+
￥21.73
500+
￥20.62
1000+
￥20.12

有货

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型号：MT29F4G08ABADAWP:D 编号：C78135

封装：TSOPI-48

品牌：micron(镁光)

Flash 4GBIT

数据手册

1+
￥40.59
10+
￥35.88
30+
￥33.01

有货

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型号：IS42S16320F-7TLI 编号：C1348819

封装：TSOP-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

512Mb SDRAM 是一种高速 CMOS 动态随机存取存储器，根据 DRAM 选项，可在 3.3V VDD/VDDQ 或 2.5V VDD/VDDQ 存储系统中运行。内部配置为具有同步接口的四体 DRAM。512Mb SDRAM（536,870,912 位）包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号 CLK 的正边沿寄存。所有输入和输出与 UV TTL 兼容。512Mb SDRAM 能够以高数据速率同步突发数据，并自动生成列地址，能够在内部存储体之间交错以隐藏预充电时间，并且能够在突发访问期间在每个时钟周期随机更改列地址

数据手册

1+
￥72.28
10+
￥61.59
30+
￥55.07
100+
￥49.61

有货

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型号：CY14B101LA-SZ25XIT 编号：C2953458

封装：SOIC-32

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

1+
￥82.03
10+
￥80.82
30+
￥78.72

有货

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型号：MT47H128M16RT-25E:C 编号：C46795

封装：FBGA-84(9x12.5)

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = 1.8V±0.1V，VDDQ = 1.8V±0.1V。 JEDEC标准1.8V I/O（SSTL_18兼容）。差分数据选通（DQS，DQS#）选项。 4n位预取架构。 x8的重复输出选通（RDQS）选项。 DLL使DQ和DQS转换与CK对齐。 8个内部存储体用于并发操作。可编程CAS延迟（CL）。后置CAS附加延迟（AL）。写入延迟 = 读取延迟-1 tCK。可编程突发长度：4或8。可调数据输出驱动强度。 64ms，8192周期刷新。片上终端（ODT）。工业温度（IT）选项。符合RoHS标准。支持JEDEC时钟抖动规范

数据手册

1+
￥130.67
10+
￥125.03
30+
￥104.68
100+
￥96.16

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严控渠道

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