DDR存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：H5AN4G6NBJR-VKC 编号：C2849414

封装：FBGA-96

品牌：HYNIX(海力士)

H5AN4G6NBJR-XXC 是一款4Gb DDR4 SDRAM，适用于主内存，支持高带宽操作。该器件具有1.2V供电电压，支持多种时钟频率，包括1600, 1866, 2133, 2400, 2666, 2933, 3200 MHz。

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￥57.9
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￥56.4
30+
￥55.48
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￥54.71

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型号：M24C64-FDW6TP 编号：C222148

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

64 Kbit串行I2C总线EEPROM

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￥1.3662
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￥0.9351
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￥0.7737
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￥0.7018

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型号：M24C16-FDW6TP 编号：C2061946

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

16 Kbit串行I2C总线EEPROM

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5+
￥1.6497
50+
￥1.2837
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￥1.1268
500+
￥0.9311
2500+
￥0.8439

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型号：FM24C256E-SO-T-G 编号：C2912084

封装：SOP-8

品牌：FM(复旦微)

FM24C256E 是一款2-Wire Serial EEPROM，提供262,144位的存储容量，支持128位唯一ID和64字节安全区域。工作电压范围为1.7V至5.5V，支持1MHz和400kHz的时钟频率。

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￥1.6875
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￥1.3448
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￥1.1979
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￥1.0146
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型号：24LC04BT-I/SN 编号：C511263

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xxx04是一款4 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件由两个256×8位的存储块组成，具备两线串行接口。其低电压设计允许在低至1 V的电压下工作

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￥2.1134
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型号：AT24C256C-SSHL-B 编号：C615461

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压和标准电压工作：VCC = 1.7V 至 5.5V。内部组织为 32,768 x 8 (256K)。工业温度范围：-40°C 至 +85°C。I²C 兼容 (2 线) 串行接口:100 kHz 标准模式，1.7V 至 5.5V

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￥2.2965
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型号：AT25010B-SSHL-T 编号：C30499

封装：SOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT25010B/020B/040B 提供 1024/2048/4096 位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织形式为 128/256/512 个字，每个字 8 位。该器件针对许多对低功耗和低电压运行有要求的工业和商业应用进行了优化。AT25010B/020B/040B 采用节省空间的 JEDEC SOIC、UDFN、TSSOP、XDFN 和 VFBGA 封装

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￥3.32
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型号：AT24C64D-XHM-T 编号：C111440

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C64D 提供 65,536 位串行电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)，每个字包含 8,192 个 8 位字。该器件的级联功能允许最多八个器件共享一条双线总线。该器件针对许多需要低功耗和低电压运行的工业和商业应用进行了优化。

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￥3.39
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型号：IS25LP040E-JYLA3-TR 编号：C6062478

封装：USON-8-EP(2x3)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP/WP040E/020E/010E/512E/025E系列串行闪存存储器在引脚数量简化的封装中提供了一种灵活且高性能的多功能存储解决方案。这种“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多I/O模式

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￥3.41
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型号：M95040-DRDW8TP/K 编号：C2062181

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

4 Kbit串行SPI总线EEPROM，具有高速时钟，工作温度105°C

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￥3.68
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型号：AT25128B-SSHL-T 编号：C38927

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

的AT25128B/256B提供131,072/262,144位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为16,384/32,768个8位字。该器件针对许多对低功耗和低电压运行有要求的工业和商业应用进行了优化。AT25128B/256B采用节省空间的JEDEC SOIC、TSSOP、UDFN和VFBGA封装

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型号：GD25LQ32EEIGR 编号：C2939873

封装：USON-8-EP(2x3)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25LQ32E（32M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）以及双/四路SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（HOLD#）。双I/O数据传输速度为266Mbit/s，四路I/O数据传输速度为532Mbit/s。

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型号：24LC512-I/SN 编号：C455433

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24XXX512是一款512 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织为一个64K×8位的存储块。其低电压设计允许最低1 V的工作电压

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型号：MX25U12832FZNI02 编号：C2802861

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口-模式0和模式3。单电源操作-读取、擦除和编程操作电压为1.65至2.0伏。134,217,728 x 1位结构或67,108,864 x 2位（双I/O模式）结构或33,554,432 x 4位（四I/O模式）结构。协议支持-单I/O、双I/O和四I/O。从-1V到Vcc + 1V的闩锁保护至100mA。SPI模式快速读取-所有协议支持高达133MHz的时钟频率

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￥9.07
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型号：W25Q128JVFIQ TR 编号：C2456298

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Winbond(华邦)

W25Q128JV（128M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列具备灵活性和高性能。

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型号：IS62C256AL-45ULI-TR 编号：C14323

封装：SOIC-28-8.4mm

品牌：ISSI(美国芯成)

256-Kbit(32K x 8bit)，并行接口，工作电压：5V

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型号：AT24C1024BN-SH-T 编号：C36533654

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24C1024是一款1M位（131,072 x 8）的I2C兼容串行EEPROM，支持低电压和标准电压操作，具有硬件数据保护功能，适用于工业和商业应用。

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￥14.8105 ￥15.59
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型号：AT24CM02-SSHD-T-TUDI 编号：C36533662

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24CM02是一款2,097,152位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为262,144个8位字。该设备支持I2C兼容的2线串行接口，具有低电压和标准电压操作（1.7V至5.5V）。它具有硬件数据保护功能，支持256字节页写模式，字写和部分页写。数据保留时间为100年，写周期寿命为100万次。

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￥8.7495 ￥9.21

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型号：MX25L25645GMI-08G 编号：C526821

封装：SOP-16-300mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口。模式0和模式3。单电源操作。读、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏。 268,435,456 x 1位结构或134,217,728 x 2位（双I/O模式）结构或67,108,864 x 4位（四I/O模式）结构。协议支持：单I/O、双I/O和四I/O

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￥21.54
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￥18.68
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￥16.89
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￥12.8
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型号：MT29F4G08ABAEAWP-IT:E 编号：C97456

封装：TFSOP-48-18.4mm

品牌：micron(镁光)

特性：组织架构:页面大小：x8：2,112 字节（2,048 + 64 字节）。x16：1,056 字（1,024 + 32 字）。块大小：64 页（128K + 4K 字节）。设备大小：2Gb：2,048 块；4Gb：4,096 块；8Gb：8,192 块。读取性能:随机读取：25μs。顺序读取：30ns（仅 3V x8）

1+
￥25.82
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￥22.13
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￥19.94
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￥17.72
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￥16.7
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￥16.24

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型号：W631GG6MB-12 编号：C408825

封装：VFBGA-96

品牌：Winbond(华邦)

W631GG6MB 是 1G bits 的 DDR3 SDRAM，组织方式为 8,388,608 words × 8 banks × 16 bits。该设备支持最高传输速率可达 2133 MT/s (DDR3-2133)，适用于各种应用。该设备分为以下速度等级：-09, -11, -12, -15, 09l, 11l, 12l, 15l, 09J, 11J, 12J 和 15J。其中，12 工业级支持 0°C 至 95°C。

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￥26.54
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￥23.64
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￥21.91
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￥19.9683 ￥20.17
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￥19.1763 ￥19.37
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￥18.81 ￥19

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型号：IS61LV25616AL-10TLI 编号：C17354

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

4-Mbit(256K × 16bit)，并行接口，工作电压：3.3V

数据手册

1+
￥34.32
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￥29.5
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￥26.63
135+
￥22.09
540+
￥20.75

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型号：FM24V10-GTR 编号：C466851

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM24V10是一种1-Mbit非易失性存储器，采用先进的铁电工艺，组织为128K×8。它提供高耐久性的读写操作，支持高达3.4 MHz的快速两线串行接口（I2C）。该存储器具有低功耗、高速写入和长达151年的数据保留时间，适用于频繁写入的应用场景。

数据手册

1+
￥39.79
10+
￥34.68
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￥28.05
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￥24.98
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￥23.56
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￥22.93

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型号：W634GU6RB-11 编号：C29801372

封装：-

品牌：Winbond(华邦)

8+
￥48.28
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￥42.96
240+
￥39.72
800+
￥36.63 ￥37

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型号：MT29F8G08ABACAWP-IT:C 编号：C400999

封装：TSOPI-48

品牌：micron(镁光)

Micron 8Gb NAND Flash Memory，支持单次编程操作，具有高可靠性和数据保留能力。该设备使用异步数据接口进行高性能I/O操作，通过高度复用的8位总线传输命令、地址和数据。控制信号包括CE#、CLE、ALE、WE#和RE#。

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1+
￥80.9
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￥70.47
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￥59.59
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￥54.26

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型号：IS61WV102416DBLL-10BLI 编号：C1348743

封装：BGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61/64WV102416DALL/BLL是高速16M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为1024K字×16位。它采用高性能CMOS工艺制造。这一高可靠性工艺结合创新的电路设计技术，造就了高性能、低功耗的器件

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￥82.64
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￥68.24
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￥61.59
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￥56.01

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型号：IS61WV51216BLL-10TLI 编号：C397874

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61WV51216ALL/BLL和IS64WV51216BLL是高速8M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×16位。它们采用高性能CMOS工艺制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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1+
￥95.17
10+
￥82.57
30+
￥72.47
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型号：MKDN032GIL-AA 编号：C2935348

封装：LGA-16(9x12.5)

品牌：MK(米客方德)

MK Nano SD NAND 是一款设计为 LGA 封装形式的嵌入式存储解决方案。其操作类似于 SD 卡，适用于工业级应用。该器件包括 NAND 闪存和高性能控制器，支持高达 208MHz 的时钟频率，符合 SD3.0 接口标准。

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1+
￥114.551 ￥120.58
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￥109.7155 ￥115.49
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￥91.238 ￥96.04
100+
￥83.923 ￥88.34

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型号：MKDV64GCL-STPA 编号：C48937380

封装：LGA-8(6.6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:MLC,商业级选型推荐,广泛适配在各大MCU平台上；MKDV64GCL-STH/STP升级款;尺寸6.6x8mm。 P/E Cycles 5000次，C10, U1, V10, A2；SDNAND别名贴片式TF卡、贴片式SD卡、T卡等, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

2+
￥151.8385 ￥159.83
60+
￥144.2575 ￥151.85

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型号：MT25QU01GBBB8E12-0SIT 编号：C2061873

封装：TPBGA-24(6x8)

品牌：micron(镁光)

特性：堆叠设备（两个512Mb裸片）。 SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率（STR/DTR）。 STR中所有协议的时钟频率最大为166 MHz。 DTR中所有协议的时钟频率最大为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s

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