DDR存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：24LC128T-I/SN 编号：C99368

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA128/24LC128/24FC128（24××128*）是一款16K x 8（128 Kbit）串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。

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￥3.66
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型号：AT24C512CDR064 编号：C51026309

封装：SOP-8

品牌：GMIC(绿微)

24C512是一款512-Kbit I2C兼容串行EEPROM，具有1MHz传输速率，工作温度范围为-40°C到+105°C。该设备集成了硬件写保护功能，用于保护整个内存阵列。

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型号：HT24C256ARZ 编号：C3019554

封装：SOP-8

品牌：HTCSEMI(海天芯)

HT24C256是一款256K位的串行读/写非易失性存储器，使用CMOS浮栅工艺。其2048位的存储器被组织成256个字，每个字8位。该设备适用于许多工业和商业应用，其中低功耗和低电压操作至关重要。最多可将8个HT24C256设备连接到同一2线总线上。保证100万次擦写周期和40年的数据保留。

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型号：AT24C256MT/TR-HG 编号：C53200142

封装：TSSOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

I2C-Compatible Serial E2PROM

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型号：AT24C16D-STUM-T-TUDI 编号：C22469411

封装：SOT-23-5

品牌：TD(钍地半导体)

AT24C16提供16,384位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），内部组织为2,048个8位字。该设备适用于许多工业和商业应用，特别是在低功耗和低电压操作至关重要的场合。AT24C16可通过2线串行接口访问，工作电压范围为1.7V至5.5V。

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￥1.99348 ￥2.0984
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型号：AT24C16D-SSHM-T 编号：C615966

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C16D是一款16Kbit I2C兼容串行EEPROM，具有2,048个8位字，支持1.7V至3.6V低电压操作。它提供标准模式（100kHz）、快速模式（400kHz）和快速模式Plus（1MHz）的I2C接口。该器件具有硬件写保护、超低功耗和高可靠性。

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型号：AT24C04D-STUM-T 编号：C2061208

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C04D提供4096位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为512个8位字。该器件的可级联特性允许最多四个器件共享一条通用两线总线。此器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化

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型号：M95512-WMN6TP 编号：C7567

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

512 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

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型号：AT45DB041E-SHN-T 编号：C63570

封装：SOIC-8-208mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

4-Mbit(500K x 8bit)，SPI接口，工作电压：1.65V to 3.6V

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￥3.66
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型号：CAT24C256HU4IGT3 编号：C233771

封装：UDFN-8(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C256 是一款 EEPROM 串行 256-Kb I2C，内部组织为 512 页，每页 64 字节。它具有 64 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。写入操作可通过将 WP 引脚置于高电平类禁止（这样会保护整个内存）。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAT24C256 器件。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。

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￥4.03
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型号：GD25Q64ESIG 编号：C2685734

封装：SOP-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

支持标准串行外设接口 (SPI) 以及双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP#)、I/O3 (HOLD#)。双 I/O 数据传输速度为 266Mbit/s，四 I/O 数据传输速度为 532Mbit/s。

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￥6.14
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型号：CAT25512HU5I-GT3 编号：C463684

封装：UDFN-8(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

CAT25512是一款512 Kb串行EEPROM SPI器件，内部结构为64Kx8位。它具备128字节页写缓冲区，并支持串行外设接口（SPI）协议。该器件通过片选（CS）(overline)输入使能

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￥6.55
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型号：W25Q16JWXHIQ 编号：C2835333

封装：XSON-8-EP(2x3)

品牌：Winbond(华邦)

W25Q16JW（16M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

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￥6.93
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型号：M95M01-RMN6TP 编号：C111166

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

1 Mbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

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￥7.22
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型号：W25Q64JVSSIM 编号：C5362615

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

W25Q64JV（64M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

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￥9.44
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型号：W25Q128JVFIQ 编号：C111478

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Winbond(华邦)

W25Q128JV（128M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四路SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

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￥13.98
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型号：IS42S16400J-6TLI 编号：C2897490

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42S16400J是一款64Mb同步动态随机存取内存(SDRAM)，具有1兆位x16位x4个bank的组织结构，支持全同步操作，所有信号都参考正时钟边缘。工作频率为166MHz，单3.3V电源供电，LVTTL接口。可编程突发长度，内部bank用于隐藏行访问/预充电时间，具备自动刷新模式和低功耗模式。

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￥15.4
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￥12.99
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￥11.49
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￥9.47
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￥8.47

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型号：23LC1024-I/SN 编号：C48388

封装：SOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23LC1024 是 1 Mbit SPI 兼容的串行 SRAM 设备，支持 SDI 和 SQI 接口。工作电压范围为 2.5-5.5V，支持工业温度范围（-40°C 至 +85°C）。

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￥16
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￥13.42
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￥11.81
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￥10.15

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型号：W25Q128FVSIG 编号：C571265

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和功率有限的系统提供存储解决方案。该系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备。它们非常适合将代码映射到 RAM、通过双/四 SPI 直接执行代码 (XIP) 以及存储语音、文本和数据。该器件在 2.7V 至 3.6V 单电源下工作，工作电流低至 4mA，掉电电流低至 1μA。

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￥17.02
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￥11

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型号：AT24CM02-SSHM-T 编号：C779670

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压和标准电压操作:VCC = 1.7V 至 5.5V。VCC = 2.5V 至 5.5V。内部组织为 262,144 x 8（2 Mbit）。工业温度范围：-40°C 至 +85°C

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￥19.83
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￥15.18
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￥12.28
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￥11.45
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￥11.09

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型号：DS28EC20+ 编号：C722465

封装：TO-92-3

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

20Kb1-WireEEPROM、 20Kb串行EEPROM，通过单触点1-Wire接口操作

1+
￥27.06
10+
￥23.15
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￥20.82
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￥18.47

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型号：ZDSD04GLGEAG 编号：C2875854

封装：LGA-8(6x8)

品牌：Zetta(澜智)

SLC ，商业级（ -30℃ to+85℃），标准SD2.0协议，4Gbit，兼容SPI/SD/eMMC接口;内置ECC校验、坏块管理、均衡算法、异常断电保护等功能。别名贴片式TF卡；高可靠性第二代产品,SD NAND(SDNAND)

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1+
￥32.5
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￥27.84
30+
￥25
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￥22.51

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型号：IS62WV51216EBLL-45TLI 编号：C1348903

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62WV51216EALL/IS62WV51216EBLL 是高速 8M 位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为 512K 字×16 位。它采用高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

数据手册

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￥34.29
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￥29.87
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￥26.12
135+
￥23.46
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￥22.23
945+
￥21.68

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型号：MKDV4GIL-AST 编号：C26159626

封装：LGA-8(6x8)

品牌：MK(米客方德)

MKDV4GIL-AS的升级款，4Gb SD NAND 工规级 SLC；工业级新物料选型首选，软硬件完全兼容MKDV4GIL-AS，并且功耗更低、速度更快、擦写寿命更长； P/E Cycles 10万次，速度等级：C10；IOPS R/W 1633/90；支持实时健康状态监测；兼容SPI模式，SD一线式和四线式；内嵌ECC校验、坏块管理、垃圾回收、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。别名贴片式TF卡, 贴片式SD卡，SD Flash，工业级SD卡,工业级TF卡，嵌入式SD卡，SDNAND等；