DDR存储器芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：W25N02KVZEIR TR 编号：C17626844

封装：WSON-8(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

W25N02KV是一款2G-bit SLC QSPI NAND Flash存储器，支持双/四线SPI接口，具有低功耗、宽温度范围的特点。工作电压为2.7V至3.6V，支持高达104MHz的SPI时钟频率。

10+
￥49.51
100+
￥44.56
300+
￥41.54
1000+
￥39

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型号：MKDV4GCL-ABB 编号：C7500178

封装：LGA-8(6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:SLC,MKDV4GCL-AB升级款,SLC,商业级，广泛适配在各大MCU平台上；SDNAND别名贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

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￥24.912 ￥27.68
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￥21.771 ￥24.19
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￥20.169 ￥22.41
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￥18.027 ￥20.03
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￥17.253 ￥19.17
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￥16.929 ￥18.81

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型号：MT25QL256ABA1EW9-0SIT 编号：C2061007

封装：WPDFN-8(6x8)

品牌：micron(镁光)

特性：- SPI兼容串行总线接口，支持单传输速率和双传输速率（STR/DTR）。时钟频率：STR中所有协议最高133 MHz，DTR中所有协议最高90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量最高可达90 MB/s。支持协议：扩展、双和四I/O，STR和DTR均支持。即插即用（XIP）。编程/擦除暂停操作

数据手册

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￥45.79
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￥40.53
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￥37.16
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￥33.91

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型号：AT24C02 编号：C7470930

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

AT24C02是一款2048位的2线串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。它支持1.8V到5.5V的工作电压范围，并且在工业温度范围内（-40°C至85°C）工作。该器件具有16字节的页写模式，标准2线双向串行接口，以及5ms的最大自定时编程周期。它还具有高达1,000,000次的写周期寿命和100年的数据保留时间。

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￥0.2954
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￥0.2442
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￥0.2186
1000+
￥0.1994
4000+
￥0.1532
8000+
￥0.1455

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型号：BL24C256A-SFRC 编号：C110276

封装：TSSOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C256A 是一种256Kbits的串行EEPROM，支持I2C双向数据传输协议，具有硬件写保护功能，适用于工业和商业应用。

数据手册

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￥0.8961
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￥0.7041
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￥0.6081
500+
￥0.5361
3000+
￥0.4785
6000+
￥0.4496

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型号：AT24C08C-SSHM-T 编号：C31422

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压操作：VCC = 1.7V至5.5V。内部组织为512 × 8（4K）或1,024 × 8（8K）。工业温度范围：-40°C至+85°C。I²C兼容（两线）串行接口:100kHz标准模式，1.7V至5.5V

数据手册

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￥1.3497
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￥1.044
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￥0.913
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￥0.7496
2500+
￥0.6768
4000+
￥0.6331

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型号：CAT24C08WI-GT3 编号：C80801

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C08 是一款 EEPROM 串行 8-Kb I2C 器件，内部组织为 64 页，每页 16 字节。此器件支持标准 (100 kHz) 协议也支持快速 (400 kHz) I2C 协议。数据写入方式为：提供开始地址，然后将 1 到 16 个连续字节加载到页写入缓存中，然后在一个内部写入循环中将所有数据写入非易失性内存。数据读取方式为：提供开始地址，然后以顺序移出数据，同时自动递增内部地址计数。外部地址引脚可在同一总线上实现最多两个 CAT24C08 器件的寻址。

数据手册

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￥1.7069
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￥1.344
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￥1.1885
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￥0.9171
3000+
￥0.8307
6000+
￥0.7789

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型号：AT24C512CDRG 编号：C19723714

封装：SOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

AT24C512C 是一款512-Kbit I2C兼容串行EEPROM，具有1MHz传输速率，工作温度范围为-40°C到+105°C。该设备集成了硬件写保护功能，用于保护整个内存阵列。

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￥1.9053
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￥1.5021
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￥1.3293
500+
￥1.1137
2500+
￥1.0177
5000+
￥0.96

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型号：CAT24C32WI-GT3 编号：C81193

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C32 是一款 32-kb I2C 串行 EEPROM 器件，内部组织为 4096 个词，每个词 8 位。它具有 32 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAT24C512 器件。

数据手册

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￥1.9839
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￥1.5806
150+
￥1.4078
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￥1.1778
3000+
￥1.0818
6000+
￥1.0242

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型号：24LC16BT-I/OT 编号：C2061286

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xx16是一款16 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件由八个256×8位的存储块组成，采用两线串行接口。其低电压设计允许在低至1 V的电压下工作

数据手册

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￥2.0197
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￥1.6115
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￥1.4365
500+
￥1.2182
3000+
￥1.121
6000+
￥1.0627

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型号：24LC64T-I/SN 编号：C5460

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA64/24LC64（24XX64*）是一款64 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件由八个1×8位的存储块构成，并具备两线串行接口。低电压设计使其可在低至1 V的电压下工作

数据手册

5+
￥2.0478
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￥1.6145
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￥1.4287
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￥1.197
3300+
￥1.0938
6600+
￥1.0319

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型号：M24M01-RMN6TP 编号：C79990

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

1 Mbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

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￥3.38
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￥2.81
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￥2.4
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￥2.07
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￥1.97
1000+
￥1.9

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型号：W25Q128JWSIQ TR 编号：C7150045

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

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￥14.35
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￥12.55
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￥11.41
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￥10.26
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￥9.73
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￥9.5

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型号：W956D8MBYA5I 编号：C2844948

封装：TFBGA-24

品牌：Winbond(华邦)

特性：接口：HyperBus。电源：1.7V~2.0V 或 2.7V~3.6V。最大时钟频率：200MHz。双倍数据速率（DDR）高达 400MT/s

数据手册

1+
￥39.02
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￥36.4
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￥34.77
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￥33.09
480+
￥32.33
960+
￥32

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型号：KLMBG2JETD-B041 编号：C2803245

封装：FBGA-153

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

三星eMMC是一种采用BGA封装形式设计的嵌入式MMC解决方案。eMMC的操作与MMC设备相同，因此只需使用行业标准的MMC协议v5.1对存储器进行简单的读写操作。eMMC由NAND闪存和MMC控制器组成。NAND区域（VDDF或VCC）需要3V的电源电压，而MMC控制器支持1.8V或3V双电源电压（VDD或VCCQ）

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1+
￥241.9
30+
￥220

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型号：BL24C64A-PARC 编号：C89291

封装：SOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C64A 是一款64Kbits (8Kbytes)的串行低功耗、低电压EEPROM，支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能，可实现部分页写入。提供多种封装形式，包括8-lead PDIP/SOP/TSSOP/UDFN和WLCSP4。

数据手册

5+
￥0.5924
50+
￥0.4771
150+
￥0.4195
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￥0.3762
2500+
￥0.3416
5000+
￥0.3243

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型号：AT24C64 编号：C18186739

封装：SOP-8

品牌：IDCHIP(英锐芯)

AT24C64是一款串行电可擦除编程只读存储器(EEPROM)，存储容量为8192字节，分为256页，每页32字节。具有低功耗CMOS技术，自定时编程周期，支持SOP-8和DIP-8封装。适用于智能仪器仪表、笔记本电脑、计算机、家用电器、汽车电子、通信设备和工业控制。

5+
￥0.6875
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￥0.5579
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￥0.4931
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￥0.4445
2500+
￥0.3246
5000+
￥0.3051

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型号：M24C08-RDW6TP 编号：C283440

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

8 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

5+
￥0.743
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￥0.5784
150+
￥0.4961
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￥0.4344
2500+
￥0.385
4000+
￥0.3603

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型号：M24C02-FMN6TP 编号：C114502

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

2 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

5+
￥0.7603
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￥0.5968
150+
￥0.515
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￥0.4537
2500+
￥0.4046
5000+
￥0.38

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型号：BY25D40ASTIG(R) 编号：C382742

封装：SOP-8

品牌：BOYAMICRO(博雅)

BY25D40/20是4M/2M位串行外设接口（SPI）闪存，支持双SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）。双输出数据传输速度为108Mbits/s。该器件采用单一低压电源供电，电压范围为2.7伏至3.6伏

数据手册

5+
￥0.7969
50+
￥0.6433
150+
￥0.5665
500+
￥0.5089
2500+
￥0.4628
4000+
￥0.4397

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型号：24LC02BT-I/SN 编号：C5453

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA02/24LC02B（24xx02*）是一款 2 Kbit 的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用 2 线串行接口，组织为一个 256×8 位的存储块。低电压设计允许其在低至 1 V 的电压下工作

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5+
￥1.5969
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￥1.2517
150+
￥1.1038
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￥0.9192
3300+
￥0.837

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型号：24LC256T-I/SN 编号：C5458

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA256/24LC256/24FC256（24××256*）是一款 32K × 8（256 Kbit）串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），能够在较宽的电压范围（1.8V 至 5.5V）内工作。

数据手册

1+
￥3.18
10+
￥2.55
30+
￥2.28
100+
￥1.94
500+
￥1.79
1000+
￥1.7

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型号：AT25256B-SSHL-T 编号：C36901

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

的AT25128B/256B提供131,072/262,144位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为16,384/32,768个8位字。该器件针对许多对低功耗和低电压运行有要求的工业和商业应用进行了优化。AT25128B/256B采用节省空间的JEDEC SOIC、TSSOP、UDFN和VFBGA封装

数据手册

1+
￥3.64
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￥2.91
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￥2.55
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￥2.19
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￥1.97
1000+
￥1.86

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型号：MB85RC16PNF-G-AMERE2 编号：C46681954

封装：SOP-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

是采用形成非易失性存储单元的强电介质工艺和硅栅CMOS工艺的2048字节×8位结构的FeRAM（铁电随机存取存储器）。采用的存储单元在写入/读出操作中每个字节至少具有10¹²次的耐久性，远超其他非易失性存储产品。

1+
￥3.79
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￥3.08
30+
￥2.73
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￥2.37
500+
￥2.16
1500+
￥2.05

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型号：W25Q80DVSNIG TR 编号：C401655

封装：SOIC-8

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和功率有限的系统提供存储解决方案。该系列产品的灵活性和性能远超普通串行闪存设备，非常适合将代码映射到 RAM、直接从双/四 SPI 执行代码 (XIP) 以及存储语音、文本和数据。该设备在 2.7V 至 3.6V 单电源下工作，掉电时电流消耗低至 1μA。所有设备均采用节省空间的封装。阵列由 4096 个可编程页面组成，每个页面 256 字节。一次最多可编程 256 字节

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