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首页 > 热门关键词 > 东芝模拟芯片
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74HC574D是一款高速CMOS八进制触发器,采用硅栅C2MOS技术制造,具备三态输出。它能实现与等效LSTTL类似的高速运行,同时保持CMOS的低功耗特性。这些8位D型触发器由时钟输入(CK)和输出使能输入(OE(上划线))控制
数据手册
  • 1+

    ¥2.4
  • 10+

    ¥1.87
  • 30+

    ¥1.65
  • 100+

    ¥1.36
  • 500+

    ¥1.24
  • 1000+

    ¥1.16
  • 有货
  • 是多路复用器,具备选择和混合模拟信号与数字信号的能力。有8通道配置、4通道×2配置和2通道×3配置。控制端子的数字信号可使各通道对应的开关“导通”,大振幅(VDD-VEE)可由小逻辑振幅(VDD-VSS)的控制信号进行切换。例如,在VDD = 5V、VSS = 0V和VEE = -5V的情况下,可通过5V单电源逻辑电路切换 -5V至 +5V之间的信号。由于每个开关的导通电阻较低,可连接到低输入阻抗的电路。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.89
    • 10+

      ¥2.56
    • 30+

      ¥2.4
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      ¥2.13
    • 500+

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    • 1000+

      ¥1.98
  • 有货
  • 特性:AEC-Q100 (Rev. H)。 宽工作温度范围:Topr = -40 至 125℃。 高输出电流:±24 mA(最小值),VCC = 3.0 V。 超高速运行:tpd = 2.3 ns(典型值),VCC = 5.0 V,CL = 50 pF。 工作电压范围:VCC = 1.65 至 5.5 V。 5.5 V 耐受输入。 5.5 V 掉电保护输出。 在 3.3 V VCC 下运行时,性能与 TC74LCX 系列匹配
    • 1+

      ¥3.26
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      ¥2.53
    • 30+

      ¥2.22
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      ¥1.82
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      ¥1.65
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      ¥1.55
  • 有货
  • 是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器,由红外LED与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达110℃的温度下保证性能和规格。比8引脚DIP封装的产品体积更小/更薄,符合加强绝缘的国际安全标准,因此为需要安全标准认证的应用提供了更小尺寸的解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。适用于小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。
    • 1+

      ¥3.33
    • 10+

      ¥2.65
    • 30+

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    • 1500+

      ¥1.68
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:Q_SW = 9.3 nC(典型值)。 小输出电荷:Q_SS = 32 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:R_DS(ON) = 8.9 mΩ(典型值)(V_GS = 10 V)。 低泄漏电流:I_KSS = 10 μA(最大值)(V_DS = 100 V)。 增强模式:V_th = 1.5 至 2.5 V (V_DS = 10 V, I_D = 0.3 mA)。应用:高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
    • 1+

      ¥3.38
    • 10+

      ¥2.97
    • 30+

      ¥2.77
    • 100+

      ¥2.57
    • 500+

      ¥2.45
    • 1000+

      ¥2.38
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 175℃ MOSFET。 4.0V驱动。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 28mΩ(典型值)(@ VGS = 10V);RDS(ON) = 36mΩ(典型值)(@ VGS = 4.5V);RDS(ON) = 43mΩ(典型值)(@ VGS = 4V)。应用:电源管理开关。 DC-DC转换器
    • 1+

      ¥3.52
    • 10+

      ¥2.81
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      ¥2.45
    • 100+

      ¥2.1
    • 500+

      ¥1.89
    • 1000+

      ¥1.78
  • 有货
  • 由GaAs发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成,采用SO6封装。探测器具有图腾柱输出级,具备电流源和吸收能力。内部有法拉第屏蔽,保证了±20kV/μs的共模瞬态抗扰度,有反相器输出。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.78
    • 10+

      ¥3.01
    • 30+

      ¥2.63
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      ¥2.24
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      ¥2.01
    • 1000+

      ¥1.9
  • 有货
  • TBD62783A 系列是一款 8 通道 DMOS 晶体管阵列。每个输出端均内置用于切换感性负载的钳位二极管。
    • 1+

      ¥4.44
    • 10+

      ¥3.54
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      ¥3.08
    • 100+

      ¥2.63
    • 500+

      ¥2.37
    • 1000+

      ¥2.23
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.58Ω (典型值)。 高正向传输导纳:|Yfs| = 6.0S (典型值)。 低泄漏电流:IDSS = 10μA (最大值) (VDS = 600V)。 增强模式:Vth = 2.0V-4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)
    数据手册
    • 1+

      ¥4.7
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      ¥3.85
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      ¥2.89
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      ¥2.64
    • 1000+

      ¥2.51
  • 有货
  • TLP291 - 4光电耦合器由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。它采用非常小巧轻薄的SO16封装。由于其在较宽的工作温度范围(-55至110°C)内性能有保障,因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用
    数据手册
    • 1+

      ¥4.98
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      ¥4.03
    • 30+

      ¥3.55
    • 100+

      ¥2.85
    • 500+

      ¥2.57
    • 1000+

      ¥2.42
  • 有货
  • 是DMOS晶体管阵列,具有8个电路。每个输出端内置用于切换感性负载的钳位二极管。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.18
    • 10+

      ¥4.14
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      ¥3.63
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    • 1000+

      ¥2.64
  • 有货
  • 新产品,本芯片用场效应管作输出管,相比传统的ULN2003(三极管做输出管)管压降更低,芯片发热更少,驱动性能更佳。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.23
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      ¥2.62
  • 有货
  • 特性:由于采用小型薄型封装,占用空间小。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 2.4mΩ(典型值)(VGS = -10V)。 低泄漏电流:IRSS = -10μA(最大值)(VDS = -30V)。 增强模式:VDA = -0.8 至 -2.0V (VDS = -10V,ID = -1mA)。应用:锂离子二次电池电源管理开关
    数据手册
    • 1+

      ¥5.28
    • 10+

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      ¥3.89
  • 有货
  • 东芝小型扁平耦合器TLP126是一款小外形耦合器,适用于表面贴装组装。TLP126由一个光电晶体管和一个反并联连接的砷化镓红外发光二极管光耦合而成,在低交流输入电流下可提供高电流传输比(CTR)。集电极 - 发射极电压:80 V(最小值)
    数据手册
    • 1+

      ¥5.72
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      ¥4.55
    • 30+

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    • 1000+

      ¥2.87
  • 有货
  • TLP290 - 4光耦合器由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。它采用非常小巧纤薄的SO16封装。由于其在 -55至110°C的宽工作温度范围内性能有保障,因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用
    数据手册
    • 1+

      ¥6.45
    • 10+

      ¥5.2
    • 30+

      ¥4.57
    • 100+

      ¥3.77
    • 500+

      ¥3.4
    • 1000+

      ¥3.21
  • 有货
  • 特性:8 电路内置。 高电压:VOUT = 50V(最大值)。 高电流:IOUT = -500mA(每通道最大值)。 输入电压(输出开启):2.0V(最小值)。 输入电压(输出关闭):0.6V(最大值)。 封装:PG 型 P-DIP18-300-2.54-001;FG 型 SOP18-P-375-1.27;FNG 型 SSOP18-P-225-0.65;FVG 型 P-SOP18-0812-1.27-001
    数据手册
    • 1+

      ¥6.52
    • 10+

      ¥5.22
    • 30+

      ¥4.56
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      ¥3.92
    • 500+

      ¥3.4
    • 1000+

      ¥3.2
  • 有货
  • 由高输出GaAs发光二极管与高速光电二极管-晶体管芯片耦合而成。保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。采用SO8封装,具有图腾柱输出,可吸收和提供电流。有两个LED-感光器对,有助于节省电路板空间。内部噪声屏蔽可保证20kV/μs的共模瞬态抗扰度。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.22
    • 10+

      ¥5.99
    • 30+

      ¥5.32
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      ¥4.56
    • 500+

      ¥3.88
    • 1000+

      ¥3.73
  • 有货
  • 由与两个反向并联连接的红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成,可通过交流输入电流直接运行。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度Ta = -55至125℃和高隔离电压(3750Vrms),适用于高密度表面贴装应用,如可编程控制器。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.64
    • 10+

      ¥6.29
    • 30+

      ¥5.55
    • 100+

      ¥4.71
    • 500+

      ¥4.34
    • 1000+

      ¥4.17
  • 有货
  • TC74HC540A/TC74HC541A是采用硅栅C²MOS技术制造的高速CMOS八进制总线缓冲器。它们能实现与等效LSTTL类似的高速运行,同时保持CMOS的低功耗特性。TC74HC540A为反相类型,TC74HC541A为同相类型
    数据手册
    • 1+

      ¥8.04
    • 10+

      ¥6.6
    • 30+

      ¥5.81
    • 100+

      ¥4.92
    • 500+

      ¥4.52
    • 1000+

      ¥4.34
  • 有货
    • 1+

      ¥9.42
    • 10+

      ¥7.91
    • 30+

      ¥6.97
    • 100+

      ¥6
    • 500+

      ¥5.57
    • 1000+

      ¥5.38
  • 有货
    • 1+

      ¥9.54
    • 10+

      ¥8.04
    • 30+

      ¥7.1
    • 100+

      ¥6.13
    • 500+

      ¥5.69
    • 1000+

      ¥5.5
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 22 nC(典型值)。 小输出电荷:QSS = 77.5 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.0 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IHSS = 10 μA(最大值)(VDS = 60 V)。 增强模式:Vth = 1.5 至 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用:高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥9.73
    • 10+

      ¥8.16
    • 30+

      ¥7.18
    • 100+

      ¥6.17
    • 500+

      ¥5.72
    • 1000+

      ¥5.52
  • 有货
  • TTA1943适用于功率放大器应用。高集电极电压:VCEO = -230 V (rΩ min),与TTC5200互补,推荐用于100 W高保真音频放大器输出级。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.4
    • 10+

      ¥8.76
    • 30+

      ¥7.86
    • 100+

      ¥6.59
  • 有货
  • 适用于表面贴装组装,由与串联光电二极管阵列光耦合的GaAs红外发光二极管组成,适用于MOSFET栅极驱动器。
    数据手册
    • 1+

      ¥17.89
    • 10+

      ¥15.21
    • 30+

      ¥13.61
    • 100+

      ¥12
    • 500+

      ¥11.25
    • 1000+

      ¥10.92
  • 有货
  • 用于步进电机控制的PWM斩波式双极驱动IC
    数据手册
    • 1+

      ¥20.25
    • 10+

      ¥17.03
    • 28+

      ¥16.19
    • 98+

      ¥14.26
    • 420+

      ¥13.37
  • 有货
  • 适用于音频通用放大应用
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2643
    • 100+

      ¥0.2065
    • 300+

      ¥0.1777
    • 3000+

      ¥0.156
    • 6000+

      ¥0.1387
  • 有货
  • 适用于高速开关应用和模拟开关应用,紧凑的封装适合高密度安装。
    • 5+

      ¥0.3353
    • 50+

      ¥0.2913
    • 150+

      ¥0.2693
    • 500+

      ¥0.2528
    • 3000+

      ¥0.2396
    • 6000+

      ¥0.233
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101认证。 超小型封装,适合高密度安装。 集成偏置电阻,减少外部部件数量,可减小系统尺寸并缩短组装时间。 提供多种电阻值选择,以适应各种电路设计。 与RN2101MFV至RN2106MFV互补。应用:开关。 逆变器电路
    • 10+

      ¥0.3631
    • 100+

      ¥0.2903
    • 300+

      ¥0.2539
    • 1000+

      ¥0.2266
    • 5000+

      ¥0.2048
  • 有货
  • 特性:1.2V驱动低导通电阻: -RDS(ON) = 390mΩ(最大值)(VGS =-4.5V)。 -RDS(ON) = 480mΩ(最大值)(VGS =-2.5V)。 -RDS(ON) = 660mΩ(最大值)(VGS =-1.8V)。 -RDS(ON) = 900mΩ(最大值)(VGS =-1.5V)。 -RDS(ON) = 4000mΩ(最大值)(VGS =-1.2V)。 重量:1.5mg(典型值)
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3663
    • 100+

      ¥0.289
    • 300+

      ¥0.2504
    • 1000+

      ¥0.2214
    • 5000+

      ¥0.1886
  • 有货
  • 适用于超高速开关应用,小封装,正向电流和正向电压特性出色,反向恢复时间快,总电容小。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.377
    • 100+

      ¥0.2939
    • 300+

      ¥0.2523
    • 1000+

      ¥0.2211
    • 5000+

      ¥0.1962
  • 有货
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