东芝模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：1SS357(TPH3,F) 编号：C2929208

封装：SC-70

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低正向电压：0.54V（典型值）。低反向电流：5μA（最大值）。小封装：SC-70。重量：0.004g（典型值）

10+
￥0.3996
100+
￥0.313
300+
￥0.2698
3000+
￥0.2373
6000+
￥0.2113
9000+
￥0.1984

有货

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型号：SSM3J356R,LF 编号：C3034012

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101认证。 4V栅极驱动电压。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 400mΩ（最大值）(@VGS = -4.0V)，RDS(ON) = 300mΩ（最大值）(@VGS = -10V)。应用：电源管理开关

数据手册

5+
￥0.6648
50+
￥0.5208
150+
￥0.4488
500+
￥0.3948
3000+
￥0.3516
6000+
￥0.33

有货

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型号：2SC3324-GR(TE85L,F 编号：C3201057

封装：TO-236

品牌：TOSHIBA(东芝)

5+
￥0.6649
50+
￥0.5209
150+
￥0.4489
500+
￥0.3949
3000+
￥0.3517
6000+
￥0.33

有货

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型号：SSM6N43FU,LF 编号：C17287625

封装：TSSOP-6(SC-88)SOT-363

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关应用。 1.5V驱动低导通电阻: -RDS(ON) = 1.5Ω（最大值）（@ VGS = 1.5V）。RDS(ON) = 1.14Ω（最大值）（@ VGS = 1.8V）。RDS(ON) = 0.85Ω（最大值）（@ VGS = 2.5V）。RDS(ON) = 0.66Ω（最大值）（@ VGS = 4.5V）。RDS(ON) = 0.63Ω（最大值）（@ VGS = 5.0V）

5+
￥0.7225
50+
￥0.628
150+
￥0.5875
500+
￥0.5369
3000+
￥0.5144
6000+
￥0.5009

有货

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型号：74VHC14FT(BJ) 编号：C80863

封装：TSSOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS施密特反相器。它在保持CMOS低功耗的同时，实现了与等效双极肖特基TTL类似的高速运行。引脚配置和功能与74VHC04FT相同，但输入具有滞后特性，凭借其施密特触发功能，可作为线路接收器接收缓慢的输入信号。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下，输入引脚可承受0至5.5V的电压。该器件可用于5V至3V系统以及双电源系统（如备用电池）的接口。此电路可防止因电源和输入电压不匹配而导致的器件损坏。

数据手册

5+
￥0.7352
50+
￥0.5635
150+
￥0.4777
500+
￥0.4133
2500+
￥0.3618
5000+
￥0.3361

有货

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型号：1SS319(TE85L,F) 编号：C2847409

封装：SC-61B

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小封装：SC-61。低正向电压：VF(3) = 0.54V (典型值)。低反向电流：IR = 5μA (最大值)

数据手册

5+
￥0.8163
50+
￥0.6387
150+
￥0.5499
500+
￥0.4833
3000+
￥0.43

有货

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型号：RN1426(TE85L,F) 编号：C5186058

封装：SC-59

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于开关、逆变器电路、接口电路和驱动电路应用。

5+
￥1.1311
50+
￥0.8915
150+
￥0.7888
500+
￥0.6607
2500+
￥0.6036

有货

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型号：CRZ16(TE85L,Q,M) 编号：C435815

封装：SOD-123F

品牌：TOSHIBA(东芝)

是浪涌吸收器。平均功率耗散 P = 0.7W，齐纳电压 VZ = 6.2 至 39V。由于采用小型表面贴装封装“S-FLAT”，适合紧凑组装

数据手册

5+
￥1.204742 ￥1.5646
50+
￥0.924466 ￥1.3798
150+
￥0.741342 ￥1.3006
500+
￥0.685026 ￥1.2018
3000+
￥0.659946 ￥1.1578
6000+
￥0.644955 ￥1.1315

有货

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型号：TLP185(BL-TPL,SE 编号：C393883

封装：SOIC-4

品牌：TOSHIBA(东芝)

5+
￥1.5479
50+
￥1.2052
150+
￥1.0583
500+
￥0.8751
3000+
￥0.7935
6000+
￥0.7445

有货

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型号：74VHCT14AFT(BJ) 编号：C6423715

封装：TSSOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS施密特反相器。实现了与等效双极肖特基TTL类似的高速运行，同时保持了CMOS的低功耗特性。引脚配置和功能与74VHC04FT相同，但输入具有迟滞特性，凭借其施密特触发器功能，可作为接收慢速输入信号的线路接收器。输入电压与TTL输出电压兼容。可作为3.3V至5.5V系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下，输入和输出引脚可承受0至5.5V的电压，这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配（如电池备份、热板插入等）而导致的器件损坏。

1+
￥1.75
10+
￥1.52
30+
￥1.42
100+
￥1.3
500+
￥1.25
1000+
￥1.21

有货

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型号：TC74HC14AF(EL,F) 编号：C2929217

封装：SOIC-14-175mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一款高速CMOS施密特反相器，采用硅栅C²MOS技术制造。它实现了与等效LSTTL相似的高速运行，同时保持了CMOS的低功耗特性。引脚配置和功能与TC74HC04A相同，但输入具有25% VCC的滞后特性，凭借其施密特触发功能，可作为接收缓慢输入信号的线路接收器。所有输入均配备了防止静电放电或瞬态过电压的保护电路。

数据手册

5+
￥2.0534
50+
￥1.5998
150+
￥1.4054
500+
￥1.1629
2000+
￥1.0549

有货

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型号：74VHC86FT 编号：C5351363

封装：TSSOP-14

品牌：TOSHIBA(东芝)

74VHC86FT 是一款采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 四异或门。它能实现与等效双极型肖特基 TTL 类似的高速运行，同时保持 CMOS 的低功耗特性。

数据手册

5+
￥2.27
50+
￥1.76
150+
￥1.55
500+
￥1.28
2500+
￥1.16

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型号：TA78L12F(TE12L.F) 编号：C2762681

封装：HSOP-3-1.5mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：最适合用于 TTL/CMOS 电源。无需外部零件。内置过热保护。内置过流保护。最大输出电流为 150mA（Tj = 25℃）。采用 PW-mini（SOT-89）封装

数据手册

1+
￥3.4
10+
￥2.69
30+
￥2.39
100+
￥2.01
500+
￥1.65
1000+
￥1.55

有货

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型号：TLP2309(V4-TPL,E 编号：C2840187

封装：SO-5-4.6mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

由高输出红外 LED 与高速光电二极管-晶体管芯片耦合而成。采用 SO6 封装，保证在高达 110℃ 的温度下工作，电源电压为 3.3V 和 5V。此外，由于保证爬电/电气间隙距离 ≥ 5.0mm，内部隔离厚度 ≥ 0.4mm，该产品符合国际安全标准的加强绝缘等级。

数据手册

1+
￥3.61
10+
￥2.94
30+
￥2.6
100+
￥2.27
500+
￥1.76
1000+
￥1.66

有货

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型号：TLP2368(TPL,E 编号：C7493926

封装：SO6

品牌：TOSHIBA(东芝)

1+
￥4.81
10+
￥3.75
30+
￥3.22
100+
￥2.69
500+
￥2.37
1000+
￥2.21

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型号：TLP2395(TPL,E 编号：C99488

封装：SO-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

由两个 GaAs 发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成，采用 SO6 封装。由于采用两个 LED 反并联，因此可以处理灌电流和拉电流输入信号。探测器具有图腾柱输出级，具备拉电流和灌电流能力。内部有法拉第屏蔽，保证了 ±20kV/μs 的共模瞬态抗扰度。具有逻辑缓冲输出，也有反相器输出版本。

数据手册

1+
￥5.22
10+
￥4.24
30+
￥3.75
100+
￥3.26
500+
￥2.64
1000+
￥2.49

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型号：TLP2310(TPL,E 编号：C7473281

封装：SOP

品牌：TOSHIBA(东芝)

TLP2310 是一款采用小型 SO6 封装的 5 Mbps 低功耗光电耦合器。在 -40°C 至 125°C 的整个工作温度范围内，TLP2310 的电源电流（I₍DDI₎ / I₍DDH₎）最大仅为 0.3 mA，且能在低至 2.7 V 的电源电压下工作，有助于降低各种系统的功耗。

1+
￥5.59
10+
￥4.45
30+
￥3.88
100+
￥3.32
500+
￥2.98
1000+
￥2.81

有货

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型号：2SK3756(TE12L.F) 编号：C2762664

封装：SC-62

品牌：TOSHIBA(东芝)

应用：VHF和UHF频段放大器应用。电信设备的高频功率放大器

数据手册

1+
￥6.97
10+
￥5.67
30+
￥5.02
100+
￥4.38
500+
￥4

有货

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型号：TPHR6503PL,L1Q(M 编号：C396032

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 30 nC（典型值）。小输出电荷：QSS = 81.3 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.41 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IPASS = 10 μA（最大值）(VDS = 30 V)。增强模式：VDM = 1.1 至 2.1 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

1+
￥8.94
10+
￥7.32
30+
￥6.43
100+
￥5.42
500+
￥4.98
1000+
￥4.77

有货

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型号：TCKE812NL,RF 编号：C6716887

封装：WSONB-10(3x3)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TCKE8xx系列是18V高输入电压的单输入单输出eFuse集成电路。它可用作可重复使用的保险丝，具备多种保护功能，如通过外部电阻实现可调过流限制、短路保护、过压钳位、通过外部电容实现可调压摆率控制、欠压保护、热关断以及通过外部MOSFET控制电路实现反向电流阻断。导通电阻仅为28mΩ（典型值），高输出电流可达5.0A，宽输入电压工作特性使该系列非常适合用于电源管理应用，如硬盘驱动器的电源电路和电池充电应用。该系列采用0.5mm间距的小型封装WSON10B（3.0mm×3.0mm，厚度：0.7mm（典型值））。因此，该系列非常适合各种需要高密度焊接的应用，如便携式电子产品。

1+
￥9.41
10+
￥7.72
30+
￥6.79
100+
￥5.74
500+
￥5.27
1000+
￥5.06

有货

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型号：TTA1943(Q) 编号：C282420

封装：TO-3P

品牌：TOSHIBA(东芝)

TTA1943适用于功率放大器应用。高集电极电压：VCEO = -230 V (rΩ min)，与TTC5200互补，推荐用于100 W高保真音频放大器输出级。

数据手册

1+
￥9.79
10+
￥8.07
30+
￥7.12
100+
￥5.78
500+
￥5.31
1000+
￥5.09

有货

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型号：TK17A80W,S4X 编号：C5381071

封装：TO-220SIS

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：使用超级结结构DTMOS，RDS(ON) = 0.25Ω（典型值）。易于控制栅极开关。增强模式：VDA = 3.0至4.0V，VDS = 10V，ID = 0.85mA。应用：开关稳压器

1+
￥11.91
10+
￥10.21
50+
￥9.14
100+
￥8.05
500+
￥7.56
1000+
￥7.35

有货

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型号：TPH1R306PL1,LQ 编号：C5350397

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 22 nC（典型值）。小输出电荷：QSS = 77.5 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.0 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IHSS = 10 μA（最大值）(VDS = 60 V)。增强模式：Vth = 1.5 至 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：高效DC-DC转换器。开关稳压器

数据手册

1+
￥14.89
10+
￥12.54
30+
￥11.07
100+
￥9.56
500+
￥8.88
1000+
￥8.58

有货

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型号：TC358778XBG(EL) 编号：C190417

封装：VFBGA-80(7x7)

品牌：TOSHIBA(东芝)

Parallel Port to MIPI DSI转换器，支持RGB到DSI的转换。所有内部寄存器可以通过I²C或SPI访问。

1+
￥46.79
10+
￥39.87
30+
￥35.65
100+
￥32.11

有货

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型号：2SC4117-GR(TE85L,F 编号：C4153759

封装：SOT-323

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101 合格。高电压：VCEO = 120V。出色的 hFE 线性度：hFE (IC = 0.1mA) / hFE (IC = 2mA) = 0.95（典型值）。高 hFE：hFE = 200 至 700。低噪声：NF = 1dB（典型值），10dB（最大值）。与 2SA1587 互补。应用：音频通用放大器应用