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首页 > 热门关键词 > 东芝模拟芯片
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特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.327 Ω(典型值),采用超级结结构DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式:Vth = 2.7 至 3.7 V(VDS = 10 V,ID = 0.5 mA)。应用:开关稳压器
数据手册
  • 1+

    ¥5.17
  • 10+

    ¥4.68
  • 30+

    ¥4.41
  • 100+

    ¥3.67
  • 500+

    ¥3.54
  • 1000+

    ¥3.47
  • 有货
  • 特性:小型薄封装。 高速开关。 小栅极电荷:QSW = 22 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 3.7 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IHSS = 10 μA(最大值)(VDS = 100 V)。 增强模式:Vth = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用:DC-DC 转换器。 开关稳压器
    • 1+

      ¥5.45
    • 10+

      ¥4.37
    • 30+

      ¥3.83
    • 100+

      ¥3.29
    • 500+

      ¥2.97
    • 1000+

      ¥2.81
  • 有货
  • 由红外 LED 和集成的高增益、高速光电探测器组成,采用 6 引脚 SO6L 封装。比 8 引脚 DIP 封装小 50%,满足国际安全标准的加强绝缘等级要求,因此可减少需要安全标准认证的设备的安装面积。具有内部法拉第屏蔽,保证共模瞬态抗扰度为 ±35kV/μs。具有轨到轨输出,可在系统中实现稳定运行和更好的开关性能。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.47
    • 10+

      ¥4.35
    • 30+

      ¥3.8
    • 100+

      ¥3.24
    • 500+

      ¥2.91
    • 1500+

      ¥2.74
  • 有货
  • 是一款DIP8封装的光耦合器,由GaAAs红外发光二极管 (LED) 与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达125℃的温度下保证性能和规格。内部有法拉第屏蔽,可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。具有图腾柱输出,可吸收和提供电流。适用于小容量至中等容量的IGBT和功率MOSFET栅极驱动。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.72
    • 10+

      ¥5.46
    • 30+

      ¥4.83
    • 100+

      ¥4.2
    • 500+

      ¥3.3
    • 1500+

      ¥3.11
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 2.8 mΩ(典型值)(VGS = 10V)。 低泄漏电流:IDSS = 10μA(最大值)(VDS = 100V)。 增强模式:VTH = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1.0mA)。应用:开关稳压器
    • 1+

      ¥7.5
    • 10+

      ¥6.17
    • 50+

      ¥5.43
    • 100+

      ¥4.61
    • 500+

      ¥4.24
    • 1000+

      ¥4.07
  • 有货
  • TBD62064A系列是四通道DMOS晶体管阵列。每个输出端均内置用于开关感性负载的箝位二极管。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.51
    • 10+

      ¥6.32
    • 30+

      ¥5.67
    • 100+

      ¥4.94
    • 500+

      ¥4.61
    • 1500+

      ¥4.46
  • 有货
  • 特性:8 电路内置。 高电压:VOUT = 50V(最大值)。 高电流:IOUT = -500mA(每通道最大值)。 输入电压(输出开启):2.0V(最小值)。 输入电压(输出关闭):0.6V(最大值)。 封装:PG 型 P-DIP18-300-2.54-001;FG 型 SOP18-P-375-1.27;FNG 型 SSOP18-P-225-0.65;FVG 型 P-SOP18-0812-1.27-001
    数据手册
    • 1+

      ¥7.61
    • 10+

      ¥6.11
    • 30+

      ¥5.35
    • 100+

      ¥4.61
    • 500+

      ¥4.01
    • 1000+

      ¥3.78
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 30 nC(典型值)。 小输出电荷:QSS = 81.3 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.41 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IPASS = 10 μA(最大值)(VDS = 30 V)。 增强模式:VDM = 1.1 至 2.1 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用:高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
    • 1+

      ¥7.65
    • 10+

      ¥6.96
    • 30+

      ¥6.58
    • 100+

      ¥6.15
    • 500+

      ¥5.97
    • 1000+

      ¥5.88
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:QSW = 17 nC(典型值)。 小输出电荷:QSS = 56 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.0 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低泄漏电流:IHSS = 10 μA(最大值)(VDS = 40 V)。 增强模式:VTH = 1.4 至 2.4 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)。应用:高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
    • 1+

      ¥8.36
    • 10+

      ¥6.84
    • 30+

      ¥6.01
    • 100+

      ¥5.06
    • 500+

      ¥4.65
    • 1000+

      ¥4.46
  • 有货
  • TLP241A和TLP241AF光电继电器由与红外LED光耦合的光电MOSFET组成。它们采用4引脚DIP封装。其隔离电压为5000 Vrms,适用于需要加强绝缘的应用
    数据手册
    • 1+

      ¥8.95
    • 10+

      ¥7.44
    • 30+

      ¥6.61
    • 100+

      ¥5.67
    • 500+

      ¥4.77
    • 1500+

      ¥4.58
  • 有货
  • TBD62064AFAG 是一款四通道 DMOS 晶体管阵列。其每个输出端都内置了用于切换感性负载的钳位二极管。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.34
    • 10+

      ¥7.84
    • 30+

      ¥6.9
    • 100+

      ¥5.93
    • 500+

      ¥5.49
    • 1000+

      ¥5.3
  • 有货
  • 东芝小型扁平耦合器TLP124是一款小外形耦合器,适用于表面贴装组装。TLP124由一个与砷化镓红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。集电极 - 发射极电压:最小80 V
    数据手册
    • 1+

      ¥9.41
    • 10+

      ¥8.25
    • 30+

      ¥7.61
    • 100+

      ¥6.89
    • 500+

      ¥6.03
    • 1000+

      ¥5.89
  • 有货
    • 1+

      ¥13.45
    • 10+

      ¥11.3
    • 30+

      ¥9.96
    • 100+

      ¥8.58
    • 500+

      ¥7.96
    • 800+

      ¥7.69
  • 有货
    • 1+

      ¥25.11
    • 10+

      ¥21.62
    • 50+

      ¥19.55
    • 100+

      ¥17.46
    • 500+

      ¥16.49
    • 1000+

      ¥16.06
  • 有货
  • 特性:小型,薄型実装面積小。 振抗低:Rps(ON)=8.5mΩ(標) (VGS = -10V)。 漏電流低:IDS = -10μA (最大) (VDS = -60V)。 操作简单,增强型,Vth = -2.0-3.0V(VDS = -10V, ID = -1.0mA)
    数据手册
    • 1+

      ¥30.02
    • 10+

      ¥25.6
    • 30+

      ¥22.97
    • 100+

      ¥20.32
    • 500+

      ¥18.05
    • 1000+

      ¥17.49
  • 有货
  • 小型扁平耦合器适用于表面贴装组装,由砷化镓红外发光二极管和与分流电阻串联的光电二极管阵列光耦合而成,适用于MOS FET栅极驱动。
    数据手册
    • 1+

      ¥38.09
    • 10+

      ¥32.54
    • 30+

      ¥29.16
    • 150+

      ¥26.33
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 小封装:SC-59。 低正向电压:VF(3) = 0.90V(典型值)。 快速反向恢复时间:tr = 1.6ns(典型值)。 小总电容:CT = 0.9pF(典型值)
    • 20+

      ¥0.2217
    • 200+

      ¥0.1704
    • 600+

      ¥0.1419
    • 3000+

      ¥0.1248
    • 9000+

      ¥0.11
    • 21000+

      ¥0.102
  • 有货
  • 特性:紧凑的2引脚封装。 适用于高密度安装。 低正向电压:VF(3) = 0.98V(典型值)。 快速反向恢复时间:trr = 1.6ns(典型值)。 小总电容:Crr = 0.3pF(典型值)
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2427
    • 200+

      ¥0.1863
    • 600+

      ¥0.1549
    • 2000+

      ¥0.136
  • 有货
  • 适用于高速开关应用和模拟开关应用,紧凑的封装适合高密度安装。
    • 5+

      ¥0.3353
    • 50+

      ¥0.2913
    • 150+

      ¥0.2693
    • 500+

      ¥0.2528
    • 3000+

      ¥0.2396
    • 6000+

      ¥0.233
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 高电压:VCEO = -50V。 高集电极电流:IC = -150mA(最大值)。 高hFE:hFE = 70至400。 出色的hFE线性度:hFE (IC = -0.1mA) / hFE (IC = -2mA) = 0.95 (典型值)。 低噪声:NF = 1dB (典型值),10dB (最大值)。应用:低频放大器。 音频通用放大器应用
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3529
    • 100+

      ¥0.313
    • 300+

      ¥0.293
    • 3000+

      ¥0.2334
  • 有货
  • 特性:小反向传输电容:Cre = 0.7 pF(典型值)。 低噪声系数:NF = 2.5 dB(典型值)。应用:高频放大器应用。 FM、RF、MIX、IF放大器应用
    • 10+

      ¥0.3774
    • 100+

      ¥0.3006
    • 300+

      ¥0.2622
    • 3000+

      ¥0.2334
    • 6000+

      ¥0.2104
  • 有货
  • 特性:小封装:SC-59。 低正向电压:VF(3) = 0.54V(典型值)。 低反向电流:IF = 5μA(最大值)
    数据手册
    • 5+

      ¥0.4068
    • 50+

      ¥0.3548
    • 150+

      ¥0.3288
    • 500+

      ¥0.3093
    • 3000+

      ¥0.2937
    • 6000+

      ¥0.2858
  • 有货
    • 5+

      ¥0.4397
    • 50+

      ¥0.3828
    • 150+

      ¥0.3544
    • 500+

      ¥0.333
    • 3000+

      ¥0.3159
    • 6000+

      ¥0.3074
  • 有货
  • 特性:推挽输出。 南极和北极检测。 重量:11.0mg(典型值)
    数据手册
    • 5+

      ¥0.551
    • 50+

      ¥0.4358
    • 150+

      ¥0.3782
    • 500+

      ¥0.335
    • 3000+

      ¥0.3004
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。小封装:SC-59。低正向电压:VF(2) = 0.90V(典型值)。快速反向恢复时间:trF = 1.6 ns(典型值)。小总电容:CT = 0.9pF(典型值)
    • 5+

      ¥0.5666
    • 50+

      ¥0.4587
    • 150+

      ¥0.4047
    • 500+

      ¥0.3643
    • 3000+

      ¥0.3319
    • 6000+

      ¥0.3157
  • 有货
  • 双2输入或非门。
    • 5+

      ¥0.8621
    • 50+

      ¥0.7466
    • 150+

      ¥0.6971
    • 500+

      ¥0.6353
  • 有货
  • 特性:包含两个采用SM6封装(6引脚超小型)的器件。 内置偏置电阻。 简化电路设计。 减少零件数量和制造工艺,使设备小型化。应用:开关电路。 逆变器电路
    • 5+

      ¥0.8967
    • 50+

      ¥0.6951
    • 150+

      ¥0.6087
    • 500+

      ¥0.5009
  • 有货
  • 特性:高直流电流增益:hT 在 200 至 500 之间(IC = -0.3 A)。 低集电极-发射极饱和电压:VCE(sat) = -0.2V(最大值)。 高速开关:tr = 90 ns(典型值)。应用:高速开关应用。 DC-DC 转换器应用
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9574
    • 50+

      ¥0.8276
    • 150+

      ¥0.7719
    • 1000+

      ¥0.7025
    • 2000+

      ¥0.6716
    • 5000+

      ¥0.6531
  • 有货
  • 特性:低饱和电压:VCE(sat)最大0.5V(IC = 1A)。 高速开关时间:tSTG典型值为1.0μs。 小型扁平封装,PC = 1.0至2.0W(安装在陶瓷基板上)。 与2SA1213互补。应用:功率放大器应用。 功率开关应用
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0301
    • 50+

      ¥0.8429
    • 150+

      ¥0.7494
    • 1000+

      ¥0.5911
    • 2000+

      ¥0.5349
  • 有货
  • 六反相器(开漏)。采用硅栅 C2MOS 技术制造,能实现与等效双极肖特基 TTL 类似的高速运行,同时保持 CMOS 的低功耗。引脚配置和功能与 74VHC04FT 相同,但具有高性能 MOS N 沟道晶体管(开漏输出)。该器件可通过合适的上拉电阻用于线与、LED 驱动等应用。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下,输入引脚可承受 0 至 5.5V 的电压。可用于 5V 到 3V 系统以及双电源系统(如电池备份)的接口,防止因电源和输入电压不匹配而损坏器件。
    • 5+

      ¥1.148
    • 50+

      ¥1.1232
    • 150+

      ¥1.1066
    • 500+

      ¥1.0901
  • 有货
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