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首页 > 热门关键词 > 东芝模拟芯片
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由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成。采用非常小且薄的 SO6 封装。比 DIP 封装小,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
数据手册
  • 5+

    ¥1.369
  • 50+

    ¥1.0666
  • 150+

    ¥0.937
  • 500+

    ¥0.7753
  • 有货
  • TC7W125FU 是一款采用硅栅 C²MOS 技术制造的高速 C²MOS 双总线缓冲器。它在保持 C²MOS 低功耗的同时,能实现与等效 LSTTL 类似的高速运行。该器件需要将三态控制输入 G(上划线)设置为高电平,以使输出进入高阻态
    数据手册
    • 5+

      ¥1.7398
    • 50+

      ¥1.3517
    • 150+

      ¥1.1854
    • 500+

      ¥0.9779
    • 3000+

      ¥0.8855
    • 6000+

      ¥0.83
  • 有货
    • 1+

      ¥1.75
    • 10+

      ¥1.51
    • 30+

      ¥1.42
    • 100+

      ¥1.29
    • 500+

      ¥1.24
    • 1000+

      ¥1.2
  • 有货
  • 是高隔离型光耦合器,由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成,采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压(5000 Vrms)。与标准 DIP 封装相比,具有小而薄的封装,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    • 1+

      ¥1.76
    • 10+

      ¥1.55
    • 30+

      ¥1.46
    • 100+

      ¥1.35
    • 500+

      ¥1.3
    • 1000+

      ¥1.27
  • 有货
  • CMOS 2 位双电源总线开关可在不同电压电平的两个节点之间提供接口。这些器件可连接到两个独立的电源。VCCA 支持 1.8V、2.5V 和 3.3V 电源,而 VCCB 支持 2.5V、3.3V 和 5.0V 电源。通过在 An/Bn 数据线和 VCCA/VCCB 电源之间简单添加外部上拉电阻,即可实现双向电平转换
    数据手册
    • 5+

      ¥1.8172
    • 50+

      ¥1.4122
    • 150+

      ¥1.2386
  • 有货
  • 是交流输入型光耦合器,由与两个红外 LED 光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的 SO6 封装,具有高抗噪性和高隔离电压。由于比 DIP 封装小,适用于混合 IC 等高密度表面贴装应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.92
    • 10+

      ¥1.66
    • 30+

      ¥1.55
    • 100+

      ¥1.42
    • 500+

      ¥1.36
    • 1000+

      ¥1.32
  • 有货
  • 是一款采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS 3至8线解码器。它实现了与等效双极肖特基TTL相似的高速运行,同时保持了CMOS的低功耗特性。当器件使能时,3个二进制选择输入(A、B和C)决定哪个输出(Y0-Y7)将变为高电平。当使能输入G1为低电平,或者G2A(overline)或G2B(overline)为高电平时,解码功能被禁止,所有输出变为低电平
    数据手册
    • 5+

      ¥1.9602
    • 50+

      ¥1.5214
    • 150+

      ¥1.3334
    • 500+

      ¥1.0988
  • 有货
  • 是高隔离型光耦合器,由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成,采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压(5000 Vrms)。与标准 DIP 封装相比,具有小而薄的封装,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    • 1+

      ¥2.02
    • 10+

      ¥1.74
    • 30+

      ¥1.63
    • 100+

      ¥1.48
    • 500+

      ¥1.42
    • 1000+

      ¥1.38
  • 有货
    • 5+

      ¥2.1568
    • 50+

      ¥1.678
    • 150+

      ¥1.4728
    • 1000+

      ¥1.2168
  • 有货
  • 是低输入和高隔离型光耦合器,由一个光电晶体管与一个红外 LED 光耦合组成,采用 SO4 封装。保证了高隔离电压 (3750 Vrms) 和较宽的工作温度 (-55 至 125℃),适用于高密度表面贴装应用,如可编程控制器。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2592
    • 50+

      ¥1.8055
    • 150+

      ¥1.6111
  • 有货
  • 是高隔离型光耦合器,由与红外 LED 光耦合的光电晶体管组成,采用 4 引脚 SO6L 封装。保证高隔离电压(5000 Vrms)。与标准 DIP 封装相比,具有小而薄的封装,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    • 1+

      ¥2.3
    • 10+

      ¥2
    • 30+

      ¥1.87
    • 100+

      ¥1.7
    • 500+

      ¥1.63
    • 1000+

      ¥1.58
  • 有货
  • 是一款采用硅栅 C²MOS 技术制造的高速 CMOS 反相器。它在保持 CMOS 低功耗的同时,实现了与等效 LSTTL 相似的高速运行。内部电路由三级组成,包括缓冲输出,提供高抗噪性和稳定输出。所有输入均配备防静电放电或瞬态过电压的保护电路。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.36
    • 10+

      ¥2.3
    • 30+

      ¥2.26
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101 合格。低漏源导通电阻:RDS(ON) = 23 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。低漏电流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 100 V)。增强模式:VDA = 1.5 至 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 0.1 mA)。应用:汽车。电机驱动器
    • 1+

      ¥2.37
    • 10+

      ¥2.09
    • 30+

      ¥1.95
    • 100+

      ¥1.81
    • 500+

      ¥1.73
  • 有货
  • 74HC4051D:8通道模拟多路复用器/解复用器 74HC4052D:双4通道模拟多路复用器/解复用器
    数据手册
    • 1+

      ¥2.52
    • 10+

      ¥1.97
    • 30+

      ¥1.73
    • 100+

      ¥1.44
    • 500+

      ¥1.31
  • 有货
  • 是一款采用6引脚SO6L封装的光电耦合器,由红外LED与集成的高增益、高速光电探测器IC芯片光耦合而成。它可在高达110℃的温度下保证性能和规格。比8引脚DIP封装的产品体积更小/更薄,符合加强绝缘的国际安全标准,因此为需要安全标准认证的应用提供了更小尺寸的解决方案。内部噪声屏蔽可保证±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。适用于小功率IGBT和功率MOSFET栅极驱动。
    • 1+

      ¥2.84
    • 10+

      ¥2.5
    • 30+

      ¥2.34
    • 100+

      ¥2.17
    • 500+

      ¥2.07
    • 1500+

      ¥2.02
  • 有货
  • 由光电晶体管组成,与砷化镓红外发光二极管光耦合。采用SO4封装,是非常小而薄的耦合器。保证了较宽的工作温度范围(Ta = -55至110℃)和高隔离电压(3750Vrms),适用于高密度表面贴装应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.4
    • 10+

      ¥3.04
    • 30+

      ¥2.86
    • 100+

      ¥2.68
    • 500+

      ¥2.57
    • 1000+

      ¥2.52
  • 有货
  • 由光电晶体管组成,与砷化镓红外发射二极管光耦合。采用SO4封装,是非常小而薄的耦合器。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至110℃和高隔离电压(3750Vrms),适用于高密度表面贴装应用,如小型开关电源和可编程控制器。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.4
    • 10+

      ¥3.04
    • 30+

      ¥2.86
    • 100+

      ¥2.68
    • 500+

      ¥2.57
    • 1000+

      ¥2.52
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.45Ω(典型值)。高正向传输导纳:|Yfs| = 6.0S(典型值)。低泄漏电流:IDSS = 10μA(最大值)(VDS = 500V)。增强模式:Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用:开关调节器应用
    数据手册
    • 1+

      ¥3.5872 ¥11.21
    • 10+

      ¥2.1076 ¥9.58
    • 50+

      ¥1.0272 ¥8.56
    • 100+

      ¥0.9024 ¥7.52
    • 500+

      ¥0.846 ¥7.05
    • 1000+

      ¥0.8208 ¥6.84
  • 有货
  • 7路输出,电压负载最大50V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.81
    • 10+

      ¥3.4596 ¥3.72
    • 30+

      ¥3.0378 ¥3.66
    • 100+

      ¥2.9963 ¥3.61
  • 有货
    • 1+

      ¥4.53
    • 10+

      ¥3.63
    • 30+

      ¥3.17
    • 100+

      ¥2.72
    • 500+

      ¥2.45
    • 1500+

      ¥2.31
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.58Ω (典型值)。 高正向传输导纳:|Yfs| = 6.0S (典型值)。 低泄漏电流:IDSS = 10μA (最大值) (VDS = 600V)。 增强模式:Vth = 2.0V-4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用:开关调节器应用
    数据手册
    • 1+

      ¥4.59
    • 10+

      ¥3.76
    • 50+

      ¥3.34
  • 有货
  • 74VHC20FT是一款采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS四输入与非门。它在保持CMOS低功耗的同时,能实现与等效双极肖特基TTL相似的高速运行。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.64
    • 10+

      ¥3.78
    • 30+

      ¥3.35
    • 100+

      ¥0.6424 ¥2.92
    • 500+

      ¥0.5852 ¥2.66
    • 1000+

      ¥0.5566 ¥2.53
  • 有货
  • 由两个 GaAs 发光二极管与高增益、高速光电探测器耦合而成,采用 SO6 封装。由于采用两个 LED 反向并联方式,因此可以处理灌电流和拉电流输入信号。探测器具有图腾柱输出级,具有拉电流和灌电流能力。内部有法拉第屏蔽,保证了 ±20kV/μs 的共模瞬态抗扰度。具有逻辑反相器输出。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.9032 ¥9.08
    • 10+

      ¥3.3352 ¥7.58
    • 30+

      ¥2.2984 ¥6.76
    • 100+

      ¥1.9822 ¥5.83
    • 500+

      ¥1.8394 ¥5.41
    • 1000+

      ¥1.7748 ¥5.22
  • 有货
  • TLP2363由高输出发光二极管与集成的高增益、高速光电探测器耦合而成。该产品保证在高达105℃的温度下以及2.7至5.5V的电源下工作。它采用SO6封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.92
    • 10+

      ¥4.37
    • 30+

      ¥4.07
    • 100+

      ¥3.73
    • 500+

      ¥3.57
  • 有货
  • 适用于音频低噪声放大器应用,在一个 SM5(超小型 5 引脚)封装中包含两个器件。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.17
    • 10+

      ¥4.18
    • 30+

      ¥3.68
  • 有货
  • 由与红外发光二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO16封装。保证了较宽的工作温度范围Ta = -55至125°C和高隔离电压(3750 Vrms),适用于高密度表面贴装应用,如可编程控制器。
    • 1+

      ¥5.79
    • 10+

      ¥5.2
    • 30+

      ¥4.88
    • 100+

      ¥4.51
  • 有货
  • 低电压八进制 D 型触发器,具有 5V 容限输入和输出。设计用于 3.3V 系统,在保持 CMOS 低功耗的同时实现高速运行。该器件设计用于低电压(3.3V)VCC 应用,但也可用于与 5V 电源环境的输入和输出接口。这个 8 位 D 型触发器由时钟输入(CK)和输出使能输入(OE)控制。当 OE 输入为高电平时,八个输出处于高阻态。所有输入均配备防静电放电保护电路。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.8
    • 10+

      ¥4.72
    • 30+

      ¥4.18
    • 100+

      ¥1.4965 ¥3.65
    • 500+

      ¥1.3653 ¥3.33
    • 1000+

      ¥1.2956 ¥3.16
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 80 mΩ(典型值)(VGS = -10V)。 低泄漏电流:ILS = -10 μA(最大值)(VDS = -60V)。 增强模式:VDM = -2.0 至 -3.0V (VDS = -10V, ID = -1mA)。应用:汽车。 电机驱动器
    • 1+

      ¥6.23
    • 10+

      ¥5.02
    • 30+

      ¥4.41
    • 100+

      ¥3.81
  • 有货
  • TB9102FNG是一款集成了输出驱动器的电机控制IC,专为直接驱动汽车用有刷小型直流电机而设计。它可用作3通道H桥驱动器或6通道半桥驱动器。电机控制信号通过SPI接口从外部MCU输入
    数据手册
    • 1+

      ¥8.66
    • 10+

      ¥7.73
    • 30+

      ¥7.15
    • 100+

      ¥6.56
    • 500+

      ¥6.29
  • 有货
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