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首页 > 热门关键词 > 东芝模拟芯片
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  • 1+

    ¥1.29
  • 10+

    ¥1.26
  • 30+

    ¥1.24
  • 有货
  • 8-位移位寄存器/锁存器(三态)。采用硅栅C2MOS技术制造的高速8位移位寄存器/锁存器,能实现与等效LSTTL类似的高速操作,同时保持CMOS低功耗特性。包含一个8位静态移位寄存器,该寄存器为一个8位存储寄存器提供数据。移位操作在SCK输入的上升沿完成。输出寄存器在RCK输入的上升沿加载移位寄存器的内容。由于RCK和SCK信号相互独立,因此在移位操作期间并行输出可以保持稳定。并且,由于并行输出是三态的,它可以直接连接到8位总线。该寄存器可用于串并转换、数据接收器等。所有输入均配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。
    • 5+

      ¥1.3716
    • 50+

      ¥1.0889
    • 150+

      ¥0.9677
  • 有货
  • 特性:小封装。 高电容比:C₁V / C₄V = 3.0(典型值)。 低串联电阻:rs = 0.27Ω(典型值)
    • 5+

      ¥1.4433
    • 50+

      ¥1.0401
    • 150+

      ¥0.8673
    • 500+

      ¥0.6517
  • 有货
  • 由与砷化镓红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的SO6封装。由于比DIP封装小,适用于如可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    • 5+

      ¥1.58
    • 50+

      ¥1.37
    • 150+

      ¥1.28
    • 500+

      ¥1.16
  • 有货
    • 5+

      ¥1.6919
    • 50+

      ¥1.3139
    • 150+

      ¥1.1519
    • 500+

      ¥0.9498
  • 有货
  • 是一种低输入型光电晶体管耦合器,由一个光电晶体管与一个红外 LED 光耦合组成,采用 SO6 封装。保证高隔离电压(3750 Vrms)和宽工作温度范围(-55℃至 125℃),比 DIP 封装小,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.8138
    • 50+

      ¥1.4096
    • 150+

      ¥1.2363
    • 500+

      ¥1.0202
  • 有货
  • 是交流输入型光耦合器,由与两个红外 LED 光耦合的光电晶体管组成。采用非常小而薄的 SO6 封装,具有高抗噪性和高隔离电压。由于比 DIP 封装小,适用于混合 IC 等高密度表面贴装应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.92
    • 10+

      ¥1.66
    • 30+

      ¥1.55
    • 100+

      ¥1.42
    • 500+

      ¥1.36
    • 1000+

      ¥1.32
  • 有货
  • TLP293是一款低输入、高隔离型光电耦合器,采用SO4封装,由与红外LED光耦合的光电晶体管组成。由于TLP293保证了高隔离电压(3750 Vrms)和较宽的工作温度范围(Ta = -55至125 °C),因此适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    • 1+

      ¥1.94
    • 10+

      ¥1.71
    • 30+

      ¥1.61
    • 100+

      ¥1.48
    • 500+

      ¥1.43
    • 1000+

      ¥1.39
  • 有货
  • TC4051B、TC4052B和TC4053B是具备模拟信号和数字信号选择与混合功能的多路复用器。TC4051B为8通道配置,TC4052B为4通道×2配置,TC4053B为2通道×3配置。
    数据手册
    • 1+

      ¥1.94
    • 10+

      ¥1.89
    • 30+

      ¥1.86
    • 100+

      ¥1.82
  • 有货
  • TLP292 是一款高隔离、交流低输入型光电耦合器,采用 SO4 封装,由光电晶体管与两个反并联红外发光二极管进行光耦合组成。由于 TLP292 保证了高隔离电压(3750 Vrms)和较宽的工作温度范围 Ta = -55 至 125 °C,因此适用于小型开关电源和可编程控制器等高密度表面贴装应用。
    • 5+

      ¥2.2608
    • 50+

      ¥1.757
    • 150+

      ¥1.5411
    • 500+

      ¥1.2717
    • 2500+

      ¥1.1517
    • 5000+

      ¥1.0797
  • 有货
  • TC4081B 四 2 输入与门 TC4081B 是分别具有两个输入的正逻辑与门。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.29
    • 10+

      ¥1.78
    • 30+

      ¥1.57
    • 100+

      ¥1.3
  • 有货
  • TLP383是一款低输入、高隔离型光耦合器,由与红外LED光耦合的光电晶体管组成,采用4引脚SO6L封装。TLP383保证了高隔离电压(5000 Vrms)和较宽的工作温度范围Ta = -55至125 °C。与标准DIP封装相比,TLP383的封装小巧轻薄,适用于可编程控制器等高密度表面贴装应用
    • 1+

      ¥2.48
    • 10+

      ¥1.93
    • 30+

      ¥1.69
    • 100+

      ¥1.39
    • 500+

      ¥1.26
    • 1000+

      ¥1.18
  • 有货
  • 是超高速9位施密特缓冲器/反相器,采用硅栅CMOS技术制造,结合了CMOS的低功耗和肖特基TTL的速度。输出分为同相和反相类型,所有输入在正负阈值之间具有滞后特性,能够对缓慢变化的输入信号进行整形,并提高抗噪能力。此外,所有输入都有新开发的保护电路,即使电源关闭,输入也能承受高达5V的电压。输入掉电保护功能使其适用于多种应用场景。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.73
    • 10+

      ¥2.13
    • 30+

      ¥1.87
  • 有货
  • 由与红外发射二极管光耦合的光电晶体管组成,采用SO4封装,是非常小而薄的耦合器。保证了较宽的工作温度(-55至110℃)和高隔离电压(3750Vrms),适用于高密度表面贴装应用,如小型开关电源和可编程控制器。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.91
    • 10+

      ¥2.27
    • 30+

      ¥1.99
    • 175+

      ¥1.65
    • 525+

      ¥1.49
    • 1050+

      ¥1.4
  • 有货
  • 由光电晶体管组成,与两个反并联连接的红外发光二极管光耦合,可由交流输入电流直接驱动。采用非常小且薄的SO4封装,保证在宽工作温度Ta = -55至110℃和高隔离电压(3750 Vrms)下工作,适用于高密度表面贴装应用,如可编程控制器和混合集成电路。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.95
    • 10+

      ¥2.35
    • 30+

      ¥2.09
    • 175+

      ¥1.76
    • 525+

      ¥1.62
    • 1050+

      ¥1.53
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 2.8Ω(典型值)。 低泄漏电流:ILSS = 10μA(最大值)(VDS = 640V)。 增强模式:Vth = 2.5 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 0.4mA)。应用:开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥3.23
    • 10+

      ¥2.51
    • 50+

      ¥2.2
    • 100+

      ¥1.82
  • 有货
  • TCK401G和TCK402G是28V高输入电压的外部FET驱动IC。它们具有较宽的输入电压范围,采用小尺寸封装WCSP6E(0.8mm x 1.2mm,厚度:0.55mm)的压摆率控制驱动器。此外,通过使用外部串联FET,在开关关闭时,它们可以阻断反向电流。因此,它们适用于如电池充电应用等电源管理选择器。
    • 1+

      ¥3.61
    • 10+

      ¥2.88
    • 30+

      ¥2.51
    • 100+

      ¥2.15
    • 500+

      ¥1.93
  • 有货
  • AC输入型光耦合器,由与两个红外LED光耦合的光电晶体管组成。采用非常小且薄的SO6封装,具有高抗噪性和高隔离电压。由于比DIP封装小,适用于混合集成电路等高密度表面贴装应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.8
    • 10+

      ¥3.04
    • 30+

      ¥2.66
    • 100+

      ¥2.28
  • 有货
  • 特性:1.2V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 61mΩ(最大值)@VGS = -1.2V。RDS(ON) = 30mΩ(最大值)@VGS = -1.5V。RDS(ON) = 21mΩ(最大值)@VGS = -1.8V。RDS(ON) = 16mΩ(最大值)@VGS = -2.5V。RDS(ON) = 12mΩ(最大值)@VGS = -4.5V。应用:电源管理开关
    • 1+

      ¥4.04
    • 10+

      ¥3.22
    • 30+

      ¥2.81
    • 100+

      ¥2.4
  • 有货
  • 由红外 LED 和集成的高增益、高速光电探测器组成,采用 6 引脚 SO6L 封装。比 8 引脚 DIP 封装小 50%,符合国际安全标准的加强绝缘等级要求,因此在需要安全标准认证的设备中可以减小安装面积。具有内部法拉第屏蔽,保证了 ±35kV/μs 的共模瞬态抗扰度。特别是具有轨到轨输出,可实现系统的稳定运行和更好的开关性能。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.97
    • 10+

      ¥4.45
    • 30+

      ¥4.19
    • 100+

      ¥3.94
    • 500+

      ¥3.61
    • 1500+

      ¥3.53
  • 有货
  • 特性:高速开关。 小栅极电荷:Q_SW = 8.1 nC(典型值)。 小输出电荷:Q_SS = 20.2 nC(典型值)。 低漏源导通电阻:R_DS(ON) = 3.0 mΩ(典型值)(V_GS = 10 V)。 低泄漏电流:I_RSS = 10 μA(最大值)(V_DS = 40 V)。 增强模式:V_th = 1.4 至 2.4 V (V_DS = 10 V, I_D = 0.2 mA)。应用:高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
    数据手册
    • 1+

      ¥5.031 ¥7.74
    • 10+

      ¥3.5585 ¥6.47
    • 30+

      ¥2.601 ¥5.78
    • 100+

      ¥2.2455 ¥4.99
    • 500+

      ¥2.088 ¥4.64
    • 1000+

      ¥2.016 ¥4.48
  • 有货
  • 适用于音频低噪声放大器应用,在一个 SM5(超小型 5 引脚)封装中包含两个器件。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.17
    • 10+

      ¥4.18
    • 30+

      ¥3.68
  • 有货
  • 由高强度GaAs红外发光二极管 (LED) 与高增益、高速感光芯片光耦合组成。保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。采用DIP8封装。两个LED感光对有助于节省电路板空间。内部噪声屏蔽提供出色的共模抑制能力,可将抗噪能力提高至±20kV/μs。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.3
    • 10+

      ¥4.76
    • 30+

      ¥4.46
    • 100+

      ¥4.12
    • 500+

      ¥3.97
  • 有货
  • 由高输出GaAs发光二极管与集成高增益、高速光电探测器耦合而成,采用SO6L封装。该光耦合器保证在高达125℃的温度和2.7V至5.5V的电源下工作。由于其具有保证的1mA低电源电流 (ICCl / ICCH) 和1.6mA (Ta = 125℃) 低阈值输入电流 (IFHI),有助于设备节能。它可以由微计算机直接驱动,以实现低输入电流。此外,它还具有内部法拉第屏蔽,可提供±20kV/μs的共模瞬态抗扰度。
    • 1+

      ¥5.56
    • 10+

      ¥4.44
    • 30+

      ¥3.87
    • 100+

      ¥3.32
    • 500+

      ¥2.98
    • 1500+

      ¥2.81
  • 有货
  • 由一个光电晶闸管与砷化镓红外发光二极管光耦合组成,采用六引脚塑料双列直插式封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.97
    • 10+

      ¥5.82
    • 30+

      ¥5.72
  • 有货
    • 1+

      ¥6.804 ¥8.1
    • 10+

      ¥5.8608 ¥7.92
    • 30+

      ¥4.9856 ¥7.79
    • 90+

      ¥4.9088 ¥7.67
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 3.7Ω(典型值)。 高正向传输导纳:|γfs| = 2.6S(典型值)。 低泄漏电流:IDSS = 100μA(最大值)(VDS = 720V)。 增强模式:Vth = 2.0V-4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用:开关稳压器应用
    • 1+

      ¥8.51
    • 10+

      ¥7.07
    • 50+

      ¥6.28
  • 有货
  • 特性:快速反向恢复时间:trr = 110 ns(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.15Ω(典型值),采用超级结结构DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式:VCu = 3至4.5V,VDS = 10V,ID = 1mA。应用:开关稳压器
    • 1+

      ¥9.44
    • 10+

      ¥7.94
    • 50+

      ¥7
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.54Ω(典型值)。 高正向传输导纳:|Yfs| = 8.5S(典型值)。 低漏电流:IDSS = 100μA(最大值)(VDS = 600V)。 增强模式:Vth = 2.0至4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用:开关稳压器应用
    数据手册
    • 1+

      ¥11.0538 ¥20.47
    • 10+

      ¥9.5364 ¥17.66
    • 50+

      ¥8.6292 ¥15.98
    • 100+

      ¥7.7166 ¥14.29
    • 500+

      ¥7.2954 ¥13.51
    • 1000+

      ¥7.1064 ¥13.16
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101认证。 小尺寸、薄封装。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.65 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)。 低漏电流:IHSS = 10 μA(最大值)(VDS = 40 V)。 增强模式:Vth = 2.0 至 3.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用:汽车。 电机驱动器
    • 1+

      ¥11.46
    • 10+

      ¥9.65
    • 30+

      ¥8.52
  • 有货
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