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封装：LQFP-64(10x10)

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40°C至85°C/125°C。存储器：高达128 KB的闪存，36 KB的SRAM（32 KB带硬件奇偶校验）。 CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围1.7 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程欠压复位（BOR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止、待机、关机；RTC和备份寄存器的VBAT电源。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；带校准的32 kHz晶体振荡器；带PLL选项（±1%）的内部16 MHz RC；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

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型号：STM32L431CCT6 编号：C486681

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为 -40℃至85/105/125℃。VBAT模式下电流为200nA，为RTC和32x32位备份寄存器供电。关机模式电流为8nA（5个唤醒引脚）。待机模式电流为28nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式电流为280nA。停止2模式电流为1.0μA，带RTC时为1.28μA

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型号：VN5016AJTR-E 编号：C2680447

封装：PowerSSO-12

品牌：ST(意法半导体)

支持模拟电流感应的单通道高侧驱动器，用于汽车应用

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型号：L293DD013TR 编号：C21610

封装：SOIC-20-300mil

品牌：ST(意法半导体)

具有二极管的推挽四通道驱动器

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型号：STM32L071RBT6 编号：C115942

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。1.65V 至 3.6V 电源。40 至 125℃ 温度范围。0.29μA 待机模式（3 个唤醒引脚）。0.43μA 停止模式（16 个唤醒线）。0.86μA 停止模式 + RTC + 20KB RAM 保留

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型号：STPSC10H065D 编号：C377927

封装：TO-220AC

品牌：ST(意法半导体)

650 V、10 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管

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型号：VN820PTTR-E 编号：C2149886

封装：TO-252-5

品牌：ST(意法半导体)

VN820 - E是一款采用VIPower M0 - 3技术设计的单片器件。VN820 - E旨在驱动一侧接地的任何类型负载。有源VCC引脚电压钳位功能可保护器件免受低能量尖峰的影响

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型号：LSM6DSVQTR 编号：C17496470

封装：-

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STM32G431CBU6 编号：C529356

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU，带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator），可实现从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。工作条件：VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器：CORDIC用于三角函数加速，FMAC为滤波数学加速器。 128 KB闪存，支持ECC，具备专有代码读出保护（PCROP）和可安全存储区域，1 KB OTP。 22 KB SRAM，前16 KB实现硬件奇偶校验。常规加速：指令和数据总线上有10 KB SRAM，带硬件奇偶校验（CCM SRAM）。复位和电源管理：具备上电/掉电复位（POR/PDR/BOR）、可编程电压检测器（PVD）、低功耗模式（睡眠、停止、待机和关机）、VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器，32 kHz振荡器带校准，内部16 MHz RC可选PLL（±1%），内部32 kHz RC振荡器（±5%）

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型号：STM32L010RBT6 编号：C529418

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。1.8 V 至 3.6 V 电源。40 至 85 °C 温度范围。0.29 μA 待机模式（2 个唤醒引脚）。0.43 μA 停止模式（16 个唤醒线）。0.86 μA 停止模式 + RTC + 20-Kbyte RAM 保留

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型号：VND5050JTR-E 编号：C194749

封装：PowerSSO-12

品牌：ST(意法半导体)

支持模拟电流感应的双通道高侧驱动器

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型号：MASTERGAN1TR 编号：C5198250

封装：QFN-31(9x9)

品牌：ST(意法半导体)

具有两个增强模式 GaN HEMT 的高功率密度 600V 半桥驱动器

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型号：M95M02-DWMN3TP/K 编号：C222181

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

汽车用2048 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

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型号：STO36N60M6 编号：C2978937

封装：TOLL

品牌：ST(意法半导体)

N沟道600 V、85 mOhm典型值、30 A MDmesh M6功率MOSFET，TO-LL封装

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型号：L6205D013TR 编号：C962257

封装：SO-20-300mil

品牌：ST(意法半导体)

DMOS双全桥驱动器

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型号：BTA41-800BRG 编号：C82594

封装：TO-3P

品牌：ST(意法半导体)

40A标准三端双向可控硅

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型号：STM32G474VCT6 编号：C730131

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。工作条件：VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器：CORDIC用于三角函数加速；FMAC：滤波数学加速器。

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型号：STP4N150 编号：C457448

封装：TO-220

品牌：ST(意法半导体)

N沟道,1500V,4A,5Ω@10V

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型号：STM32L073RZT6 编号：C77160

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。 1.65V至3.6V电源。 -40至125°C温度范围。 0.29μA待机模式（3个唤醒引脚）。 0.43μA停止模式（16个唤醒线）。 0.86μA停止模式 + RTC + 20KB RAM保留

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型号：STM32F103CBU6 编号：C55506

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：ARM 32位Cortex-M3 CPU内核，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。 64或128 Kbytes的闪存和20 Kbytes的SRAM。时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz RC，用于CPU时钟的PLL，带校准的32 kHz振荡器用于RTC。低功耗：睡眠、停止和待机模式，VBAT为RTC和备份寄存器供电。 2个12位、1 µs A/D转换器（最多16个通道），转换范围：0至3.6 V，双采样和保持能力，温度传感器。 7通道DMA控制器，支持的外设：定时器、ADC、SPI、I²C和USART

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型号：STM32G431K6T6 编号：C730097

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Arm Cortex-M4 CPU带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。工作条件：VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器：CORDIC用于三角函数加速，FMAC为滤波数学加速器。 128 KB闪存，支持ECC，有专有代码读取保护（PCROP）和可保护存储区域，1 KB OTP。 22 KB SRAM，前16 KB有硬件奇偶校验；程序增强器：指令和数据总线上有10 KB SRAM，带硬件奇偶校验（CCM SRAM）。复位和电源管理：上电/掉电复位（POR/PDR/BOR），可编程电压检测器（PVD），低功耗模式（睡眠、停止、待机和关机），VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器，32 kHz振荡器带校准，内部16 MHz RC（可选PLL，±1%），内部32 kHz RC振荡器（±5%）。多达86个快速I/O，均可映射到外部中断向量，部分I/O有5 V容限能力

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￥26.43
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型号：STW9N150 编号：C388524

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

N沟道 1500V 8A

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型号：STM32F205RBT6 编号：C8364

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M3 CPU（最高120 MHz），带有自适应实时加速器（ART Accelerator允许从闪存中实现零等待状态执行性能），MPU，150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。高达1 Mbyte的闪存。 512字节的一次性可编程（OTP）内存。高达128 + 4 Kbytes的SRAM。灵活的静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存。 LCD并行接口，8080/6800模式

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￥29.6
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型号：STM32F303C8T6 编号：C88449

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM Cortex-M4 32 位带 FPU 的 CPU（最高 72 MHz），单周期乘法和硬件除法，90 DMIPS（来自 CCM），DSP 指令。高达 64 KB 的闪存。 12 KB 带硬件奇偶校验的 SRAM。常规增强器：4 KB 带硬件奇偶校验的 SRAM，位于指令和数据总线上。 CRC 计算单元。复位和电源管理。低功耗模式：睡眠、停止、待机。 VDD、VDA 电压范围：2.0 至 3.6 V

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￥27.36
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型号：STM32F107RCT6 编号：C13643

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

STM32F105xx 和 STM32F107xx 互联系列集成了高性能的 ARM Cortex -M3 32 位 RISC 内核，工作频率为 72 MHz，高速嵌入式存储器（Flash 存储器高达 256 Kbytes 和 SRAM 64 Kbytes），以及一系列增强的 I/O 和连接到两个 APB 总线的外设。所有设备都提供两个 12 位 ADC、四个通用 16 位定时器加一个 PWM 定时器，以及标准和高级通信接口：最多两个 I2C、三个 SPI、两个 I2S、五个 USART、一个 USB OTG FS 和两个 CAN。以太网仅在 STM32F107xx 上可用。STM32F105xx 和 STM32F107xx 互联系列的工作温度范围为 -40 至 +105°C，电源电压范围为 2.0 至 3.6 V。一套全面的节能模式允许设计低功耗应用。STM32F105xx 和 STM32F107xx 互联系列提供了三种不同封装类型的产品：从 64 引脚到 100 引脚。根据所选设备的不同，包含不同的外设组合，下面的描述概述了该系列提供的完整外设范围。这些特性使得 STM32F105xx 和 STM32F107xx 互联系列微控制器适用于广泛的应用，如电机驱动和应用控制、医疗和手持设备、工业应用、PLC、逆变器、打印机和扫描仪、报警系统、视频对讲、HVAC 和家庭音频设备。

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￥30.11
10+
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30+
￥22.9
100+
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型号：STM32L471VGT6 编号：C2836688

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为-40℃至85/105/125℃。 VBAT模式下为300nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。关机模式30nA（5个唤醒引脚）。待机模式120nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式420nA。停止2模式下1.1μA，带RTC时1.4μA

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1+
￥30.25
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￥25.88
30+
￥23.28
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型号：VND5T016ASPTR-E 编号：C2150047

封装：PowerSO-16

品牌：ST(意法半导体)

支持模拟电流感应的双通道高侧驱动器，用于24V汽车应用

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1+
￥31.76
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￥27.02
30+
￥24.2
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￥21.36
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￥20.04

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型号：STM32F303RCT6 编号：C65361

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM Cortex-M4 32 位 CPU 带 FPU（最高 72 MHz），单周期乘法和硬件除法，90 DMIPS（来自 CCM），DSP 指令和 MPU（内存保护单元）。工作条件：VDD、VDDA 电压范围：2.0V 至 3.6V。存储器：128 至 256 Kbytes 的闪存；高达 40 Kbytes 的 SRAM，前 16 Kbytes 实现硬件奇偶校验；8 Kbytes 的 SRAM 在指令和数据总线上，带硬件奇偶校验（CCM）。 CRC 计算单元。复位和电源管理：上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止和待机；RTC 和备份寄存器的 VBAT 电源。时钟管理：4 至 32 MHz 晶体振荡器；用于 RTC 的 32 kHz 振荡器，带校准；内部 8 MHz RC，有 x 16 PLL 选项；内部 40 kHz 振荡器。多达 87 个快速 I/O：所有可映射到外部中断向量；多个 5V 耐压。互连矩阵

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10+
￥27.66
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型号：STM32G0B1KBT6 编号：C5270165

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

主流Arm Cortex-M0+ 32位MCU，高达128KB Flash，144KB RAM，6x USART，定时器，ADC，DAC，通讯。 I/F，1.7-3.6V

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型号：STM32F730R8T6 编号：C478453

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：带有浮点单元（FPU）、自适应实时加速器（ART Accelerator™）和L1缓存的32位Arm® Cortex®-M7 CPU，8KB数据缓存和8KB指令缓存，允许从嵌入式闪存和外部存储器零等待状态执行，频率高达216MHz，具备内存保护单元（MPU），462 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。 64KB闪存，具备保护机制（读写保护、专有代码读出保护（PCROP））。 528字节一次性可编程（OTP）内存。 SRAM：256KB（包括64KB用于关键实时数据的数据紧耦合内存（TCM）RAM）+ 16KB用于关键实时程序的指令TCM RAM + 4KB备份SRAM（在最低功耗模式下可用）。灵活的外部内存控制器，具有高达32位数据总线，支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、NOR/NAND内存。双模式四路串行外设接口（Quad-SPI）。 1.7V至3.6V应用电源和I/O。上电复位（POR）、掉电复位（PDR）、可编程电压检测器（PVD）和欠压复位（BOR）

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