ST模拟芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：STM32G0B1CBT6 编号：C2847904

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

主流Arm Cortex-M0+ 32位MCU，高达128KB Flash，144KB RAM，6x USART，定时器，ADC，DAC，通讯。 I/F，1.7-3.6V

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型号：STPS30L30DJF-TR 编号：C501055

封装：Power-FLAT(5x6)

品牌：ST(意法半导体)

30 V、30 A PowerFLAT低压降功率肖特基整流器

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型号：VND5N07TR-E 编号：C501114

封装：TO-252(DPAK)

品牌：ST(意法半导体)

OMNIFET：全自动保护功率MOSFET

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型号：STM32F030K6T6TR 编号：C88446

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

STM32F030x4、STM32F030x6、STM32F030x8 和 STM32F030xC 微控制器集成了高性能的 Arm Cortex -M0 32 位 RISC 内核，工作频率为 48 MHz，高速嵌入式存储器（高达 256 KB 的 Flash 存储器和高达 32 KB 的 SRAM），以及一系列增强型外设和 I/O。所有设备提供标准通信接口（最多两个 I2C、最多两个 SPI 和最多六个 USART）、一个 12 位 ADC、七个通用 16 位定时器和一个高级控制 PWM 定时器。这些微控制器的工作温度范围为 -40 至 +85°C，供电电压范围为 2.4 至 3.6 V。一套全面的节能模式允许设计低功耗应用。这些微控制器包括四种不同封装的设备，引脚数从 20 到 64 不等。根据所选设备的不同，包含不同的外设组合。

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型号：STGD6M65DF2 编号：C472580

封装：TO-252

品牌：ST(意法半导体)

650 V、6 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT

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型号：STL10N65M2 编号：C501007

封装：PQFN-8(5x6)

品牌：ST(意法半导体)

N沟道650 V、0.85 Ohm典型值、4.5 A MDmesh M2功率MOSFET，PowerFLAT 5x6 HV封装

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型号：STM8L101F3U6TR 编号：C111168

封装：UFQFPN-20(3x3)

品牌：ST(意法半导体)

8位超低功耗微控制器，具有高达8 KB Flash、多功能定时器、比较器、USART、SPI、I2C。STM8L101x1、STM8L101x2和STM8L101x3器件是STM8L低功耗8位系列的成员，被称为低密度器件。它们提供降低的系统成本、高系统集成度（内部时钟振荡器和看门狗）、更小的电池和更便宜的电源、低功耗和高级功能。增强的STM8 CPU内核在16 MHz时提供更高的处理能力（高达16 MIPs），同时保持CISC架构的优势，具有更高的代码密度、24位线性寻址空间和针对低功耗操作的优化架构。该系列包括一个集成的调试模块，具有硬件接口（SWIM），可实现非侵入式应用内调试和超快Flash编程。所有STM8L101xx微控制器均具有低功耗、低电压、单供电Flash存储器。8 KB器件嵌入数据EEPROM。外围设备集的模块化设计允许在不同的ST微控制器系列中找到相同的外围设备，包括32位系列，从而使任何过渡到不同系列都非常容易。

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型号：STF24N60DM2 编号：C248612

封装：TO-220FP

品牌：ST(意法半导体)

N沟道600 V、0.175 Ohm典型值、18 A MDmesh DM2功率MOSFET，TO-220FP封装

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型号：STUSB4500QTR 编号：C2678061

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：ST(意法半导体)

自动运行Type-C和USB PD接收控制器，支持死电池模式，最多3个可配置的PDO配置文件，双高功率充电路径支持，集成VBUS开关栅极驱动器（PMOS），集成VBUS电压监测，内部和/或外部VBUS放电路径，CC引脚上的短路到VBUS保护（22V），QFN-24 4x4，高电压能力在VBUS引脚（28 V），双电源（VsYs和/或VDD）。

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型号：ST1480ACDR 编号：C155607

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

ST1480Ax是一款±15kV ESD保护、3.3V低功耗的RS-485和RS-422通信收发器。该设备包含一个驱动器和一个接收器，在半双工配置下工作。ST1480Ax以至少12Mbps的数据速率进行传输和接收。

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型号：STM32L031G6U6 编号：C96514

封装：UFQFPN-28(4x4)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。 1.65V 至 3.6V 电源。 -40℃至 125℃温度范围。 0.23μA 待机模式（2 个唤醒引脚）。 0.35μA 停止模式（16 个唤醒线）。 0.6μA 停止模式 + RTC + 8KB RAM 保留

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型号：STM8L152C6T6 编号：C8252

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：工作电源范围：1.8V至3.6V（掉电时低至1.65V）。温度范围：-40°C至85°C、105°C或125°C。 5种低功耗模式：等待、低功耗运行（5.1μA）、低功耗等待（3μA）、带完整RTC的活动暂停（1.3μA）、暂停（350nA）。功耗：195μA/MHz + 440μA。每个I/O超低泄漏：50nA。从暂停状态快速唤醒：4.7μs

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型号：STB18NF30 编号：C2970409

封装：D2PAK

品牌：ST(意法半导体)

汽车级N沟道330 V、160 mOhm典型值、18 A STripFET(TM) II功率MOSFET，D2PAK封装

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型号：STPS41L30CG-TR 编号：C2970416

封装：D2PAK

品牌：ST(意法半导体)

30 V、40 A双路低压降功率肖特基整流器

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型号：STTH16R04CG-TR 编号：C672141

封装：D2PAK

品牌：ST(意法半导体)

400 V、16 A双超高速二极管

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型号：STM32F030CCT6TR 编号：C2962370

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

STM32F030x4/x6/x8/xC 微控制器集成了高性能 Arm Cortex -M0 32 位 RISC 核心，工作频率为 48 MHz，具有高速嵌入式存储器（高达 256 KB 的 Flash 存储器和高达 32 KB 的 SRAM），以及广泛的增强型外设和 I/O。所有设备均提供标准通信接口（高达两个 I2C，高达两个 SPI 和高达六个 USART），一个 12 位 ADC，七个通用 16 位定时器和一个高级控制 PWM 定时器。STM32F030x4/x6/x8/xC 微控制器在 -40 至 +85℃ 的温度范围内，从 2.4 至 3.6 V 的电源供电下运行。全面的省电模式允许设计低功耗应用。STM32F030x4/x6/x8/xC 微控制器包括四种不同封装的设备，引脚数从 20 个到 64 个不等。根据所选设备，包含不同的外设集合。这些特性使 STM32F030x4/x6/x8/xC 微控制器适用于广泛的应用，例如应用控制和用户界面、手持设备、A/V 接收器和数字电视、PC 外设、游戏和 GPS 平台、工业应用、PLC、逆变器、打印机、扫描仪、报警系统、视频对讲机和 HVAC。

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型号：ULN2803A 编号：C73936

封装：DIP-18

品牌：ST(意法半导体)

8个达林顿阵列

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型号：STB15N80K5 编号：C500932

封装：D2PAK

品牌：ST(意法半导体)

N沟道800 V、0.3 Ohm典型值、14 A MDmesh K5功率MOSFET，D2PAK封装

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型号：STGB3NC120HDT4 编号：C377954

封装：D2PAK

品牌：ST(意法半导体)

这款高压、超快速绝缘栅双极晶体管（IGBT）在低传导损耗和快速开关性能之间实现了出色的平衡。它采用 PowerMESH™ 技术设计，并结合了高压超快二极管。

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型号：STM8S105C6T6 编号：C8253

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：16MHz 先进 STM8 内核，采用哈佛架构和 3 级流水线，指令集扩展。程序存储器：高达 32 Kbyte Flash；在 55℃ 下经过 10 k 周期后数据保留 20 年。数据存储器：高达 1 Kbyte 真数据 EEPROM；耐久性 300 k 周期。 RAM：高达 2 Kbyte。 2.95 至 5.5V 工作电压。灵活的时钟控制，4 个主时钟源：低功率晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调 16 MHz RC、内部低功率 128 kHz RC

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型号：L6362ATR 编号：C2671324

封装：VFDFPN-12(3x3)

品牌：ST(意法半导体)

IO-Link通信收发器器件IC

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30+
￥11.84
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型号：M95P32-IXMNT/E 编号：C5267629

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

超低功耗 32 Mbit 串行 SPI 页 EEPROM

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￥9.63
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￥8.32
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型号：STM32G031K8T7 编号：C724059

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40°C至85°C/105°C/125°C。存储器：高达64 KB的闪存，具备保护和可安全区域；8 KB的SRAM，带硬件奇偶校验。 CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围1.7 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程欠压复位（BOR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止、待机、关机；VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；32 kHz晶体振荡器，带校准；内部16 MHz RC，可选PLL（±1%）；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

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型号：TSC2011IDT 编号：C1857476

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

高压精密双向电流感应放大器

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￥13.91
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￥11.7
30+
￥10.31
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￥8.9
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￥8.26
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￥7.98

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型号：STM32L031F6P7 编号：C1337403

封装：TSSOP-20

品牌：ST(意法半导体)

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1+
￥14.45
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￥12.22
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￥10.83
74+
￥9.4
518+
￥8.75
1036+
￥8.47

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型号：VND5050JTR-E 编号：C194749

封装：PowerSSO-12

品牌：ST(意法半导体)

支持模拟电流感应的双通道高侧驱动器

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1+
￥14.89
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￥12.53
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￥11.05
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￥9.53
500+
￥8.85
1000+
￥8.55

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型号：STUSB4700QTR 编号：C2156427

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：ST(意法半导体)

独立式USB PD控制器（具有VBUS短路保护）

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￥15.32
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￥12.89
30+
￥11.37
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￥9.81
500+
￥9.11
1000+
￥8.8

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型号：S2-LPQTR 编号：C880591

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：ST(意法半导体)

超低功耗、高性能、Sub—1GHz收发器

数据手册

1+
￥16.56
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￥14.45
30+
￥13.13
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型号：STM8AF6223PDAU 编号：C1235429

封装：TSSOP-20

品牌：ST(意法半导体)

特性：AEC-Q100 qualified。核心：最大fCPU：16 MHz。具有哈佛架构和3级流水线的高级STM8A核心。扩展指令集。存储器：程序存储器：4至8 Kbyte Flash程序；在55℃下经过1 kcycle后数据保留20年。数据存储器：640 byte真数据EEPROM；耐久性300 kcycle

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1+
￥16.85
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￥14.17
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￥12.49
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￥10.77
500+
￥10
1000+
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型号：STPSC10H065D 编号：C377927

封装：TO-220AC

品牌：ST(意法半导体)

650 V、10 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管

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