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首页 > 热门关键词 > ST模拟芯片
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带DSP和FPU的高性能ARM Cortex-M7 MCU，具有1 MB Flash、216 MHz CPU、ART加速器、一级缓存、SDRAM、TFT、JPEG编解码器和DFSDM
型号：STM32F767ZGT6 编号：C91685
封装：LQFP-144(20x20)
品牌：ST(意法半导体)
特性：核心:ARM 32 位 Cortex M7 CPU 带 DPFPU、ART 加速器和 L1 缓存:16KB 指令/数据缓存,允许从嵌入式闪存和外部存储器以零等待状态执行,最高 216MHz,MPU,462 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持 DSP 指令。高达 2MB 的闪存,分为两个存储体,支持读写同时进行。SRAM:512KB(包括 128KB 用于关键实时数据的数据 TCM RAM) + 16KB 指令 TCM RAM(用于关键实时程序) + 4KB 备份 SRAM。灵活的外部存储器控制器,最高 32 位数据总线:支持 SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDRSDRAM、NOR/NAND 存储器。双模式 Quad SPI。Chrom ART 加速器(DMA2D),图形硬件加速器,可增强图形用户界面。硬件 JPEG 编解码器。LCD TFT 控制器,支持最高 XGA 分辨率
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    带DSP和FPU的高性能基础系列ARM Cortex-M4 MCU，具有1 MB Flash、168 MHz CPU、ART加速器、以太网和FSMC
    型号：STM32F407VGT7 编号：C720656
    封装：LQFP-100(14x14)
    品牌：ST(意法半导体)
    特性：核心：32 位 Arm Cortex-M4 CPU 带 FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）可实现从闪存零等待状态执行，频率高达 168 MHz，具备内存保护单元，210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持 DSP 指令。 存储器：高达 1 M 字节闪存；高达 192 + 4 K 字节 SRAM，包括 64 K 字节 CCM（核心耦合内存）数据 RAM；512 字节 OTP 内存；灵活的静态内存控制器，支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 内存。 LCD 并行接口，支持 8080/6800 模式。
    数据手册

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    330nF ±20% 50V
    型号：CK1HR33MCRC54 编号：C264238
    封装：SMD,D4xL5.4mm
    品牌：ST(先科)

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    独立式 耐压:10V 电流:10uA@7.6V
    型号：ZM4740A 编号：C50975
    封装：LL-41
    品牌：ST(先科)
    10V 1W
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    双向TVS 3V截止 峰值脉冲电流：1.3A@8/20us
    型号：ESDAXLC6-1BT2 编号：C154523
    封装：SOD-882T
    品牌：ST(意法半导体)
    高速接口的单线双向ESD保护
    数据手册

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    3.3V 200mA 18V
    型号：LDK320AM33R 编号：C136156
    封装：SOT-23-5
    品牌：ST(意法半导体)
    是一款低压差电压调节器，可在2.5V至18V的输入电压范围内提供最大200mA的输出电流，典型压差为100mV。输出端使用陶瓷电容进行稳定。良好的动态特性，结合低压降和低静态电流，使其适用于低功耗电池供电应用。使能逻辑控制功能允许其在关机模式下消耗的总电流低于1μA。该器件还包括短路限流、热保护和安全工作区（SOA）保护。
    数据手册

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    单向ESD 3V截止
    型号：ESDA6V1W5 编号：C48677
    封装：SOT-323-5
    品牌：ST(意法半导体)
    用于数据保护的TRANSIL阵列
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    低功耗四电压比较器
    型号：LM2901YPT 编号：C163544
    封装：TSSOP-14
    品牌：ST(意法半导体)
    该器件由四个独立的精密电压比较器组成，专为在宽电压范围内使用单电源供电而设计，也可使用双电源供电。 这些比较器还具有一个独特的特性，即即使采用单电源供电，其输入共模电压范围也包含负电源轨。
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    通用型单运算放大器
    型号：UA741CDT 编号：C7111
    封装：SO-8
    品牌：ST(意法半导体)
    UA741是一款高性能单片运算放大器，采用单硅芯片制造。它适用于广泛的模拟应用。高增益和宽工作电压范围使其在积分器、求和放大器和一般反馈应用中表现卓越。内部补偿网络（6 dB/倍频程）确保闭环电路的稳定性。
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    NPN 电流:0.5A 电压:500V
    型号：STR1550 编号：C907714
    封装：SOT-23-3
    品牌：ST(意法半导体)
    高压快速切换NPN功率晶体管
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    5V 800mA 15V
    型号：LD1117S50TR 编号：C134077
    封装：SOT-223-3
    品牌：ST(意法半导体)
    是一款低压降电压调节器，能够提供高达800 mA的输出电流，也有可调版本（VREF = 1.25V）。固定版本提供以下输出电压：1.2V、1.8V、2.5V、2.85V、3.3V和5.0V。采用SOT-223、DPAK、SO-8和TO-220封装。SOT-223和DPAK表面贴装封装优化了热特性，还节省了空间。NPN传输晶体管确保了高效率。
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    5V 800mA 15V
    型号：LD1117S50CTR 编号：C81157
    封装：SOT-223-3
    品牌：ST(意法半导体)
    是一款低压降电压调节器，能够提供高达800 mA的输出电流，也有可调版本（VREF = 1.25V）。固定版本提供以下输出电压：1.2V、1.8V、2.5V、2.85V、3.3V和5.0V。采用SOT-223、DPAK、SO-8和TO-220封装。SOT-223和DPAK表面贴装封装优化了热特性，还节省了空间。NPN传输晶体管确保了高效率。
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    128 Kbit串行I2C总线EEPROM
    型号：M24128-BRMN6TP 编号：C79989
    封装：SOIC-8
    品牌：ST(意法半导体)
    128 Kbit串行I2C总线EEPROM
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    24V 100mA 40V
    型号：L78L24ACUTR 编号：C130141
    封装：SOT-89-3
    品牌：ST(意法半导体)
    L78L 系列三端正电压调节器采用内部限流和热关断功能，使其基本不会损坏。如果配备足够的散热片，它们可提供高达 100 mA 的输出电流。这些调节器适用于广泛的应用场景，可作为固定电压调节器，包括用于本地或板载稳压，以消除与单点稳压相关的噪声和配电问题
    数据手册

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      ￥1.207

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    3.3V 800mA 15V
    型号：LD1117DT33TR 编号：C132629
    封装：TO-252-2
    品牌：ST(意法半导体)
    是一款低压降电压调节器，能够提供高达800 mA的输出电流，也有可调版本（VREF = 1.25V）。固定版本提供以下输出电压：1.2V、1.8V、2.5V、2.85V、3.3V和5.0V。采用SOT-223、DPAK、SO-8和TO-220封装。SOT-223和DPAK表面贴装封装优化了热特性，还节省了空间。NPN传输晶体管确保了高效率。
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    • 5+

      ￥1.2242

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    单路LM324和LM358增强版，SOT23-5封装
    型号：TS321ILT 编号：C38380
    封装：SOT-23-5
    品牌：ST(意法半导体)
    TS321器件适用于对成本敏感且对节省空间要求极高的应用场景。这款双极运算放大器（运放）采用SOT23 - 5封装，减小了元件尺寸，其规格参数与行业标准器件（如广受欢迎的LM358A、LM324及其他类似器件）相当甚至更优。TS321器件的输入共模范围（Vicm）包含地电位，因此可用于单电源应用
    数据手册

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      ￥1.2557

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    低功耗四运算放大器，低输入偏置电流
    型号：LM224PT 编号：C435836
    封装：TSSOP-14
    品牌：ST(意法半导体)
    LM124、LM224x 和 LM324x 由四个独立的高增益运算放大器组成，内部实现了频率补偿。它们可在宽电压范围内采用单电源供电。采用双电源供电也是可行的，且低电源电流消耗与电源电压的大小无关
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      ￥1.3053

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      ￥1.0418

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      ￥0.7252

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      ￥0.6875
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    3.3V 800mA 15V
    型号：LD1117D33CTR 编号：C157440
    封装：SOIC-8
    品牌：ST(意法半导体)
    是一款低压降电压调节器，能够提供高达800 mA的输出电流，也有可调版本（VREF = 1.25V）。固定版本提供以下输出电压：1.2V、1.8V、2.5V、2.85V、3.3V和5.0V。采用SOT-223、DPAK、SO-8和TO-220封装。SOT-223和DPAK表面贴装封装优化了热特性，还节省了空间。NPN传输晶体管确保了高效率。
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      ￥1.3189

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      ￥0.6513
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    1.2V 800mA 15V
    型号：LD1117S12TR 编号：C155612
    封装：SOT-223-3
    品牌：ST(意法半导体)
    是一款低压降电压调节器，能够提供高达800 mA的输出电流，也有可调版本（VREF = 1.25V）。固定版本提供以下输出电压：1.2V、1.8V、2.5V、2.85V、3.3V和5.0V。采用SOT-223、DPAK、SO-8和TO-220封装。SOT-223和DPAK表面贴装封装优化了热特性，还节省了空间。NPN传输晶体管确保了高效率。
    数据手册

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      ￥1.342

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    600V 10mA
    型号：T405Q-600B-TR 编号：C144390
    封装：TO-252(DPAK)
    品牌：ST(意法半导体)
    4A敏感三端双向可控硅
    数据手册

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      ￥1.7382

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      ￥0.9605
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    1个N沟道 耐压:600V 电流:0.4A
    型号：STN1HNK60 编号：C39303
    封装：SOT-223
    品牌：ST(意法半导体)
    N沟 600V 0.4A
    数据手册

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      ￥1.8638

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    升压型 1.5A 3V~40V
    型号：MC34063ECN 编号：C5180
    封装：DIP-8
    品牌：ST(意法半导体)
    MC34063A/E系列是单片控制电路,提供DC-DC电压转换的主要功能。该设备包含内部温度补偿参考、比较器、占空比控制振荡器、带主动电流限制电路的驱动器和高电流输出开关。输出电压可通过两个外部电阻调整,参考精度为2%。该系列适用于降压、升压和电压反相应用。
    数据手册

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    600V 10mA
    型号：T405-600B-TR 编号：C283473
    封装：DPAK
    品牌：ST(意法半导体)
    4A逻辑电平三端双向可控硅
    数据手册

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      ￥2.425

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      ￥1.9229

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    1个N沟道 耐压:100V 电流:70A
    型号：STL90N10F7 编号：C457493
    封装：PowerFLAT-8(5x6)
    品牌：ST(意法半导体)
    N沟道100 V、0.007 Ohm典型值、70 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装
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    低功耗，具有CMOS输入
    型号：TS912IDT 编号：C73655
    封装：SO-8
    品牌：ST(意法半导体)
    TS912器件是一款轨到轨CMOS双运算放大器，设计用于单电源或双电源电压供电。输入电压范围V(icm)涵盖两个电源轨V(CC+)和V(CC')。
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    • 1+

      ￥3.13

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      ￥2.42

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    带高速时钟的512Kbit串行SPI总线EEPROM
    型号：M95512-WMN6TP 编号：C7567
    封装：SOIC-8
    品牌：ST(意法半导体)
    512 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟
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    10.3V~18V
    型号：L6565DTR 编号：C9381
    封装：SOIC-8
    品牌：ST(意法半导体)
    L6565是一款电流模式初级控制器IC，专门用于构建离线准谐振零电压开关（ZVS，开关导通时实现零电压切换）反激式转换器。通过变压器去磁感应输入触发MOSFET导通，实现准谐振操作。通过线电压前馈补偿转换器功率能力随市电电压的变化。在轻载情况下，该器件具有一项特殊功能，可自动降低工作频率，同时仍尽可能保持接近零电压开关的操作。除了极低的启动电流和静态电流外，此功能有助于降低轻载时市电的功耗，并符合蓝天使和能源之星标准。该IC还包括一个禁用功能、一个电流检测片上滤波器、一个带有精确参考电压用于初级调节的误差放大器，以及有效的两级过流保护。
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      ￥3.46

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    微功耗四通道CMOS电压比较器
    型号：TS3704IPT 编号：C155632
    封装：TSSOP-14
    品牌：ST(意法半导体)
    微功耗四路CMOS电压比较器
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    主流ARM Cortex-M0超值系列MCU，具有16 KB Flash和48 MHz CPU
    型号：STM32F030F4P6TR 编号：C89040
    封装：TSSOP-20
    品牌：ST(意法半导体)
    特性：核心：ARM 32位Cortex-M0 CPU，频率高达48 MHz。 16至256 KB的闪存。 4至32 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理。 数字和I/O电源：VDD = 2.4V至3.6V
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    1个N沟道 耐压:600V 电流:11A
    型号：STF13NM60N 编号：C46175
    封装：TO-220FP
    品牌：ST(意法半导体)
    N沟道,600V,11A,360mΩ@10V
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