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首页 > 热门关键词 > ST模拟芯片
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描述
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高性能电流模式PWM控制器
型号：UC3845BN 编号：C5175
封装：DIP-8
品牌：ST(意法半导体)
UC384xB系列控制IC具备实现离线或DC - DC固定频率电流模式控制方案所需的特性，且外部元件数量极少。内部集成的电路包括：一个经过微调的振荡器，用于在欠压锁定状态下实现精确的占空比控制，启动电流小于0.5 mA；一个在误差放大器输入端进行精度微调的精密基准源；确保锁存操作的逻辑电路；一个同时提供电流限制控制的PWM比较器；以及一个图腾柱输出级，设计用于提供或吸收高峰值电流。该输出级适用于驱动N沟道MOSFET，在关断状态下为低电平。该系列各成员之间的差异在于欠压锁定阈值和最大占空比范围。UC3842B和UC3844B的欠压锁定（UVLO）阈值为16V（开启）和10V（关断），非常适合离线应用。UC3843B和UC3845B的相应阈值为8.5V和7.9V。UC3842B和UC3843B可在接近100%的占空比下工作。UC3844B和UC3845B通过增加一个内部触发触发器，使输出每隔一个时钟周期关断，从而实现0至< 50%的占空比范围。
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    宽带宽（8MHz）低偏移轨到轨输入/输出5V CMOS单路运算放大器
    型号：TSV911AILT 编号：C361052
    封装：SOT-23-5
    品牌：ST(意法半导体)
    TSV91x运算放大器提供低电压操作、轨到轨输入和输出，以及出色的速度/功耗比，在5V电压下最大仅消耗1.1mA电流，同时提供8MHz的增益带宽积。该运算放大器具有单位增益稳定性，且输入偏置电流极低。这些器件非常适合用于传感器接口、电池供电和便携式应用以及有源滤波。
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:100V 电流:35A
    型号：STP30NF10 编号：C60609
    封装：TO-220
    品牌：ST(意法半导体)
    N沟道,100V,35A,38mΩ@10V
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    5 V供电多通道RS-232驱动器和接收器
    型号：ST232CDR 编号：C6869
    封装：SOIC-16
    品牌：ST(意法半导体)
    ST232是一款2驱动器，2接收器设备，符合EIA/TIA-232和V.28通信标准。它特别适用于没有±12 V电源的应用。
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    4A双路低端MOSFET驱动器
    型号：PM8834TR 编号：C221495
    封装：SO-8
    品牌：ST(意法半导体)
    4 A双低侧MOSFET驱动器
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    NPN 电流:8A 电压:80V
    型号：MJD44H11T4 编号：C138779
    封装：DPAK
    品牌：ST(意法半导体)
    低压NPN功率晶体管
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    耐压:600V 电流:8A 反向恢复时间：75ns
    型号：STTH8L06FP 编号：C77956
    封装：TO-220-2
    品牌：ST(意法半导体)
    600 V、8 A低压降超高速二极管
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
    型号：STP55NF06 编号：C10657
    封装：TO-220
    品牌：ST(意法半导体)
    N沟道,60V,50A,15mΩ@10V
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    15V 1.5A 35V
    型号：L7815CD2T-TR 编号：C314016
    封装：D2PAK
    品牌：ST(意法半导体)
    该系列三端正电压调节器有 TO-220、TO-220FP、D²PAK 和 DPAK 封装以及几种固定输出电压，适用于广泛的应用领域。这些调节器可提供板载局部调节，消除了单点调节带来的分配问题。每种类型都内置了内部电流限制、热关断和安全区域保护，基本不会损坏。如果提供足够的散热，它们可以提供超过 1A 的输出电流。虽然主要设计为固定电压调节器，但这些器件也可以与外部组件一起使用，以获得可调电压和电流。
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    ST3232EB, ST3232EC ±15 kV ESD保护 3到5.5 V低功耗，最高250 kbps，RS-232驱动器和接收器
    型号：ST3232EBTR 编号：C435947
    封装：TSSOP-16
    品牌：ST(意法半导体)
    ST3232E是一款3V供电的EIA/TIA-232和V.28/V.24通信接口，具有低功耗、高速数据传输能力和增强的静电放电保护。
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    512 Kbit串行SPI总线EEPROM
    型号：M95512-RDW6TP 编号：C122886
    封装：TSSOP-8
    品牌：ST(意法半导体)
    512 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟
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    高速双比较器
    型号：LM219DT 编号：C7545
    封装：SOIC-14
    品牌：ST(意法半导体)
    这些产品是精密高速双比较器，设计用于在宽范围的电源电压下工作，最低可使用单5 V逻辑电源和接地。它们具有低输入电流和高增益的特点。 输出级的集电极开路使其与晶体管 - 晶体管逻辑（TTL）兼容，并且能够以高达25 mA的电流驱动灯和继电器。 虽然这些比较器主要设计用于需要数字逻辑电源供电的应用，但它们在高达±15 V的电源下也有完整的规格说明。 与LM111相比，它们的响应时间更快，但代价是电流消耗更高。然而，高速、宽工作电压范围和较少的封装引脚数使LM119、LM219和LM319更加通用。
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      ￥4.29

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    1个N沟道 耐压:600V 电流:11A
    型号：STF13NM60N 编号：C46175
    封装：TO-220FP
    品牌：ST(意法半导体)
    N沟道,600V,11A,360mΩ@10V
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    耐压:1.2kV 电流:8A 反向恢复时间：50ns
    型号：STTH812FP 编号：C495249
    封装：TO-220AC
    品牌：ST(意法半导体)
    1200 V，8 A超高速二极管
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    10mA 电流源 40V
    型号：LM234DT 编号：C157402
    封装：SOIC-8
    品牌：ST(意法半导体)
    LM134/LM234/LM334 是三端可调电流源，其特点如下：工作电流范围为 10000:1；具有出色的电流调节能力；动态电压范围宽，为 1V 至 10V。
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    • 1+

      ￥4.82

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    1个双向可控硅 600V 15mA
    型号：T1635-600G-TR 编号：C37520
    封装：D2PAK
    品牌：ST(意法半导体)
    D2PAK封装的16A Snubberless 三端双向可控硅
    数据手册

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    低功耗双运算放大器，低输入偏置电流
    型号：LM158DT 编号：C7923
    封装：SO-8
    品牌：ST(意法半导体)
    这些电路由两个独立的、高增益的、内部频率补偿的运放组成，专门设计用于在宽电压范围内从单一电源供电。低功耗电源汲取与电源电压幅值无关。应用领域包括传感器放大器、直流增益模块以及所有传统的运放电路，现在可以更轻松地在单电源系统中实现。例如，这些电路可以直接由标准 5 V 供电，该电压用于逻辑系统，并且可以轻松提供所需的接口电子设备，而无需额外的电源。在线性模式下，输入共模电压范围包括地，并且输出电压也可以摆动至地，即使仅从单一电源电压供电。
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    600V 8.85V~16V
    型号：L6599ATDTR 编号：C726096
    封装：SO-16
    品牌：ST(意法半导体)
    改进的高压谐振控制器
    数据手册

    • 1+

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    低功耗，具有CMOS输入
    型号：TS912AIDT 编号：C283508
    封装：SO-8
    品牌：ST(意法半导体)
    TS912器件是一款轨到轨CMOS双运算放大器，设计用于单电源或双电源电压供电。输入电压范围V(icm)涵盖两个电源轨V(CC+)和V(CC')。
    数据手册

    • 1+

      ￥6.74

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    1个N沟道 耐压:650V 电流:16A
    型号：STF22NM60N 编号：C46172
    封装：TO-220FP
    品牌：ST(意法半导体)
    N沟道,650V,16A,220mΩ@10V
    数据手册

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    主流超值系列8位MCU，具有32 KB Flash、16 MHz CPU和集成EEPROM
    型号：STM8S005K6T6CTR 编号：C967653
    封装：LQFP-32(7x7)
    品牌：ST(意法半导体)
    特性：最大CPU频率：16 MHz。 采用哈佛架构和3级流水线的先进STM8内核。 扩展指令集。 中等密度闪存/EEPROM。 程序存储器：32 KB闪存，在55℃下经过100个周期后数据可保留20年。 数据存储器：128字节真实数据EEPROM，耐久性高达100k次写/擦除周期
    数据手册

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    全保护型低端驱动器
    型号：VNL5050S5TR-E 编号：C2149847
    封装：SO-8
    品牌：ST(意法半导体)
    OMNIFET III全保护下桥臂驱动器
    数据手册

    • 1+

      ￥7.4

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    输出100mA
    型号：STP16CP05TTR 编号：C127267
    封装：TSSOP-24
    品牌：ST(意法半导体)
    低压16位恒定电流LED灌驱动器
    数据手册

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    主流基本型系列8位MCU，具有32 KB Flash、16 MHz CPU和集成EEPROM
    型号：STM8S105K6T6C 编号：C8254
    封装：LQFP-32(7x7)
    品牌：ST(意法半导体)
    特性：16MHz 先进 STM8 内核，采用哈佛架构和 3 级流水线，指令集扩展。 程序存储器：高达 32 Kbyte Flash；在 55℃ 下经过 10 k 周期后数据保留 20 年。 数据存储器：高达 1 Kbyte 真数据 EEPROM；耐久性 300 k 周期。 RAM：高达 2 Kbyte。 2.95 至 5.5V 工作电压。 灵活的时钟控制，4 个主时钟源：低功率晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调 16 MHz RC、内部低功率 128 kHz RC
    数据手册

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    • 30+

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    双功率运算放大器
    型号：L272D013TR 编号：C443843
    封装：SO-16
    品牌：ST(意法半导体)
    L272是一款采用Powerdip、Minidip和SO封装的单片集成电路，可用作功率运算放大器，适用于多种应用场景，包括伺服放大器、电源、光盘、录像机等。无论在何种需要运算放大器/功率提升器组合的场合，其高增益和高输出功率能力都能提供卓越的性能。
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    功率因数校正器，功率因数高达0.99，通用输入电源
    型号：L4981AD013TR 编号：C37111
    封装：SOIC-20-300mil
    品牌：ST(意法半导体)
    L4981A：固定频率，平均电流模式； L4981B：线性调制频率，平均电流模式
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    智能卡接口
    型号：ST8024CTR 编号：C2652900
    封装：TSSOP-28
    品牌：ST(意法半导体)
    ST8024 是一个完整的低成本模拟接口，适用于异步3V和5V智能卡。它可以放置在卡和微控制器之间，只需少量外部组件即可执行所有电源保护和控制功能。
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    实时输入输出轨到轨 / 低畸变（0.01%）
    型号：TS952IDT 编号：C179480
    封装：SO-8
    品牌：ST(意法半导体)
    TS951、TS952和TS954系列器件是轨到轨BiCMOS运算放大器，针对3V和5V工作电压进行了优化并给出了完整的参数规格。TS951器件采用节省空间的5引脚SOT23封装，非常适合电池供电系统。这种微型封装能够安装在紧凑空间内（外部尺寸为2.8mm×2.9mm），从而简化了印刷电路板设计
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    主流ARM Cortex-M0基本型系列MCU，具有64 KB Flash、48 MHz CPU、运动控制和CEC功能
    型号：STM32F051C8T6 编号：C9863
    封装：LQFP-48(7x7)
    品牌：ST(意法半导体)
    STM32F051X 系列集成了高性能的 ARM CorteX-M0 32 位 RISC 内核，工作频率为 48 MHz，高速嵌入式存储器（闪存最高达 64 KB，SRAM 最高达 8 KB），以及一系列增强型外设和 I/O。所有设备都提供标准通信接口（最多两个 I2C、两个 SPI、一个 I2S、一个 HDMI CEC 和最多两个 USART），一个 12 位 ADC，一个 12 位 DAC，最多五个通用 16 位定时器，一个 32 位定时器和一个高级控制 PWM 定时器。STM32F051X 系列的工作温度范围为 -40 至 +85 ℃ 和 -40 至 +105 ℃，电源电压范围为 2.0 至 3.6 V。全面的节能模式允许设计低功耗应用。STM32F051X 系列包括四种不同封装的设备，从 32 引脚到 64 引脚不等。根据所选设备的不同，包含不同的外设组合。以下描述提供了该系列提供的完整外设概述。这些特性使得 STM32F051X 微控制器系列适用于广泛的应用领域，如应用控制和用户界面、手持设备、A/V 接收机和数字电视、PC 外设、游戏和 GPS 平台、工业应用、PLC、逆变器、打印机、扫描仪、报警系统、可视对讲机和 HVAC 等。
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    主流ARM Cortex-M0基本型系列MCU，具有256 KB Flash、48 MHz CPU、CAN和CEC功能
    型号：STM32F091CCT6TR 编号：C2053338
    封装：LQFP-48(7x7)
    品牌：ST(意法半导体)
    基于 ARM 的 32 位 MCU，高达 256 KB 闪存，具备 CAN、12 个定时器、ADC、DAC 和通信接口，工作电压 2.0-3.6V。
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