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封装：LQFP-100(14x14)

针对成本敏感型应用进行了优化，这些应用需要低功耗、USB/以太网连接以及高达256 KB的嵌入式SRAM。该产品具备以下特点:运行功耗低至250 μA/MHz。静态功耗低至5.8 μA，具备全状态保留功能，唤醒时间为5 μs，最低静态模式功耗低至339 nA。具备USB LS/FS OTG 2.0，内置3.3 V、120 mA LDO稳压器，支持USB设备无晶振运行。具备10/100 Mbit/s以太网MAC，支持MII和RMII接口

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型号：MMA1200KEG575 编号：C3224858

封装：-

品牌：NXP(恩智浦)

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型号：LPC4333JET100E 编号：C1337809

封装：TFBGA-100

品牌：NXP(恩智浦)

是基于ARM Cortex-M4的微控制器，带有浮点单元（FPU），适用于嵌入式应用。包含ARM Cortex-M0协处理器，高达1 MB的闪存、136 kB的片上SRAM、16 kB的EEPROM内存、两个高速USB控制器、以太网、LCD、外部内存控制器、支持执行即取的Quad SPI闪存接口（SPIFI）、先进的可配置外设（如状态可配置定时器（SCTimer/PWM）和串行通用I/O（SGPIO）接口）以及多个数字和模拟外设。可在高达204 MHz的CPU频率下运行。ARM Cortex-M4是32位内核，具有低功耗、增强的调试功能和高度的支持块集成等系统增强特性

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型号：MK22FN1M0AVLQ12 编号：C3216026

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：NXP(恩智浦)

优化用于对成本敏感、需要低功耗、USB连接性、带浮点单元处理效率的应用。具备Kinetis系列的全面支持和可扩展性。提供高达1 MB的闪存和高达128 KB的SRAM，小封装高内存密度，运行功耗低至279μA/MHz，静态功耗低至5.1μA（全状态保留，5μs唤醒），最低静态模式低至268 nA，具备USB LS/FS OTG 2.0和嵌入式3.3V 120 mA LDO稳压器。

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型号：MK10DN512ZVLL10 编号：C3210353

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：NXP(恩智浦)

特性：工作特性: 电压范围：1.71 至 3.6V。闪存写入电压范围：1.71 至 3.6V。温度范围（环境）：-40 至 105℃。性能: 高达 100MHz 的 ARM Cortex-M4 内核，带有 DSP 指令，每 MHz 可提供 1.25 Dhrystone MIPS。存储器和存储器接口: 非 FlexMemory 设备上高达 512KB 的程序闪存。高达 128KB 的 RAM

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型号：FS32K148HAT0MLQT 编号：C1344967

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：NXP(恩智浦)

特性：电压范围：2.7 V至5.5 V。环境温度范围：HSRUN模式下为 -40℃至105℃，RUN模式下为 -40℃至150℃。 Arm Cortex-M4F/M0+ 32位CPU核心。支持高达112 MHz频率（HSRUN模式），每MHz 1.25 Dhrystone MIPS。基于Armv7架构和Thumb-2 ISA的Arm核心。集成数字信号处理器（DSP）。可配置嵌套向量中断控制器（NVIC）。单精度浮点单元（FPU）

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型号：MC908LJ24CFUE 编号：C5192871

封装：SOT-1697-1

品牌：NXP(恩智浦)

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型号：MC9S12C64CFAE 编号：C5193279

封装：SOT-313-3

品牌：NXP(恩智浦)

特性：第1章MC9S12C和MC9S12GC设备概述中1.1.1 Features部分内容（文档未给出具体内容）。第2章端口集成模块（PIM9C32）中2.1.1 Features部分内容（文档未给出具体内容）。第3章模块映射控制（MMCV4）中3.1.1 Features部分内容（文档未给出具体内容）。第4章复用外部总线接口（MEBIV3）中4.1.1 Features部分内容（文档未给出具体内容）

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型号：LPC4357JBD208K 编号：C1012848

封装：LQFP-208(28x28)

品牌：NXP(恩智浦)

是基于ARM Cortex-M4的微控制器，带有浮点单元（FPU），适用于嵌入式应用。包含ARM Cortex-M0协处理器，高达1 MB的闪存、136 kB的片上SRAM、16 kB的EEPROM内存、两个高速USB控制器、以太网、LCD、外部内存控制器、支持执行即取的Quad SPI闪存接口（SPIFI）、先进的可配置外设（如状态可配置定时器（SCTimer/PWM）和串行通用I/O（SGPIO）接口）以及多个数字和模拟外设。可在高达204 MHz的CPU频率下运行。ARM Cortex-M4是32位内核，具有低功耗、增强的调试功能和高度的支持块集成等系统增强特性

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型号：MC33772BSP2AE 编号：C5191767

封装：SOT-1571-1

品牌：NXP(恩智浦)

33772 是一款 SMARTMOS 锂离子电池单元控制器 IC，专为混合动力汽车(HEV)和电动汽车(EV)等汽车应用以及能源存储系统(ESS)和不间断电源(UPS)系统等工业应用而设计。该器件对差分电池单元电压和电流执行 ADC 转换，并进行电池库仑计数和电池温度测量。该信息通过串行外设接口(SPI)或变压器隔离(TPL)以数字方式传输到微控制器进行处理。

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型号：MCIMX6G2DVM05AB 编号：C1522492

封装：MAPBGA-289

品牌：NXP(恩智浦)

i.MX 32-bit MPU, ARM Cortex-A7 core, 500MHz, 289BGAArm Cortex-A7Core: Number of cores (SPEC)1SRAM (kB)128支持外部存储器DDR3 SDRAM, DDR3L SDRAM, LPDDR2 DRAMSerial Communication4 x I?C, 4 x SPI, 8 x UARTI2S-CAN-Serial Audio Interface (SAI)-EthernetGPIOUSB ControllersTimer (bits)-PWM8ADC [Number, bits]2 x 12Supply Voltage [Min to Max] (V)Ambient Operating Temperature (Min to Max) (℃)

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型号：MPXV6115VC6U 编号：C5190632

封装：SO-8

品牌：NXP(恩智浦)

传感器集成了片上双极运算放大器电路和薄膜电阻网络，以提供高输出信号和温度补偿。小尺寸和片上集成的高可靠性，使该压力传感器成为系统设计人员合理且经济的选择。该压阻式传感器是一种先进的单片、信号调节式硅压力传感器。该传感器结合了先进的微加工技术、薄膜金属化和双极半导体工艺，以提供与施加压力成比例的准确、高电平模拟输出信号。

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型号：FRDM-MCXA153 编号：C22420049

封装：-

品牌：NXP(恩智浦)

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型号：MK60FN1M0VMD15 编号：C1337841

封装：MAPBGA-144

品牌：NXP(恩智浦)

特性：电压范围：1.71至3.6V。闪存写入电压范围：1.71至3.6V。温度范围（环境）：-40至105℃。高达150MHz Arm Cortex-M4内核，带DSP指令，每MHz提供1.25 Dhrystone MIPS。非FlexMemory设备上高达1024KB程序闪存。 FlexMemory设备上高达512KB程序闪存

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型号：MIMXRT117FCVM8A 编号：C3220094

封装：LFBGA-289

品牌：NXP(恩智浦)

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型号：MPXA6115AC7U 编号：C3253712

封装：DIP-8

品牌：NXP(恩智浦)

传感器集成了片上双极运算放大器电路和薄膜电阻网络，以提供高输出信号和温度补偿。片上集成的小尺寸和高可靠性使压力传感器成为系统设计人员合理且经济的选择。该压阻式传感器是一种先进的单片式、信号调理型硅压力传感器。该传感器结合了先进的微加工技术、薄膜金属化和双极半导体工艺，以提供与施加压力成比例的精确、高电平模拟输出信号。

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型号：MPX5050GP 编号：C3241240

封装：SIP-6

品牌：NXP(恩智浦)

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￥154.41 / 个

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型号：S32K314NHT1VPBSR 编号：C20234352

封装：QFP-172(16x16)

品牌：NXP(恩智浦)

支持多种型号。工作电压范围为2.97V至5.5V，环境温度范围在所有电源模式下为 -40℃至125℃。采用Arm Cortex-M7内核，32位CPU，M7支持高达320 MHz频率，基于Armv7和Thumb-2 ISA的Arm内核，集成数字信号处理器（DSP）、可配置嵌套向量中断控制器（NVIC）、单精度浮点单元（FPU）。具有多种时钟接口、I/O和封装选项，多达32通道DMA，多种内存和内存接口，混合信号模拟模块，人机接口（HMI）

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型号：MCF52255CAF80 编号：C1338891

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：NXP(恩智浦)

该产品是32位微控制器，基于版本2 ColdFire内核，工作频率高达80 MHz，具有高性能和低功耗的特点。片上内存与处理器核心紧密相连，包括高达512 KB的闪存和64 KB的静态随机存取存储器（SRAM）。

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型号：SPC5746CHK1AVKU6 编号：C1345745

封装：LQFP-176(24x24)

品牌：NXP(恩智浦)

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型号：LPC2468FBD208,551 编号：C32397

封装：LQFP-208(28x28)

品牌：NXP(恩智浦)

设计围绕16位/32位ARM7TDMI-S CPU核心，具有实时调试接口，包括JTAG和嵌入式跟踪。拥有512 kB片上高速闪存，具备特殊的128位宽内存接口和加速器架构，使CPU能以最高72 MHz系统时钟速率从闪存执行顺序指令，可执行32位ARM和16位Thumb指令。适用于多用途通信应用，集成10/100以太网媒体访问控制器（MAC）、USB全速设备/主机/OTG控制器、四个UART、两个CAN通道、SPI接口、两个同步串行端口（SSP）、三个I2C接口和I2S接口。支持多种串行通信接口的功能组件包括片上4 MHz内部精密振荡器、98 kB总RAM等

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型号：MIMX8MN5CVPIZAA 编号：C3220512

封装：FCBGA-306

品牌：NXP(恩智浦)

i.MX 8M Nano UltraLite QuadArm Cortex-A53, Arm Cortex-M7Core: Number of cores (SPEC)1, 2SRAM (kB)512支持外部存储器DDR3L SDRAM, DDR4 SDRAM, ECC, LPDDR4 DRAM, NAND FLASH, NOR FLASH, QSPISerial Communication3 x SPI, 4 x I?C, 4 x UARTI2S-CAN-Serial Audio Interface (SAI)1EthernetGPIOUSB ControllersTimer (bits)-PWM-ADC [Number, bits]Supply Voltage [Min to Max] (V)Ambient Operating Temperature (Min to Max) (℃)

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型号：MIMXRT1166XVM5A 编号：C3220096

封装：LFBGA-289

品牌：NXP(恩智浦)

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型号：MCF5272VM66 编号：C462559

封装：LBGA-196(15x15)

品牌：NXP(恩智浦)

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型号：SPC5634MF1MLQ80 编号：C1338427

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：NXP(恩智浦)

完全静态操作，工作频率范围为0 MHz-80 MHz（加上2%频率调制-82 MHz）。结温工作范围为 -40℃ 至 150℃。低功耗设计，标称功耗小于400 mW。专为核心和外设的动态电源管理而设计。外设的软件控制时钟门控。低功耗停止模式，所有时钟停止

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型号：MPVZ5010GW6U 编号：C5190599

封装：SO-8

品牌：NXP(恩智浦)

用于家电、消费、医疗、工业和汽车市场。模拟输出可以直接接入飞思卡尔微控制器的A/D输入。该传感器结合了先进的微加工技术、薄膜金属化和双极处理技术，可提供与施加压力成比例的精确、高电平模拟输出信号。轴向端口经过修改，以适应工业级管道。

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型号：MC9S12D64CFUE 编号：C1338463

封装：QFP-80(14x14)

品牌：NXP(恩智浦)

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型号：SPC5743RK1MLU5 编号：C1341616

封装：LQFP-176(24x24)

品牌：NXP(恩智浦)

32位微控制器系列是集成汽车应用控制器的最新成果，属于不断扩展的汽车专用产品系列，设计灵活，可支持各种应用。汽车控制器系列的先进且经济高效的主处理器内核符合Power Architecture嵌入式类别。它的运行速度高达200 MHz，提供针对低功耗优化的高性能处理。它利用当前Power Architecture设备的现有开发基础设施，并配有软件驱动程序、操作系统和配置代码，以帮助用户进行实施。

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型号：MCF52233CAF60 编号：C2688056

封装：LQFP-80(14x14)

品牌：NXP(恩智浦)

这是一款基于V2 ColdFire内核的32位设备，工作频率高达60 MHz，具有高性能和低功耗的特点。片上存储器与处理器内核紧密相连，包括高达256 Kbytes的闪存和32 Kbytes的静态随机存取存储器（SRAM）。片上模块包括:V2 ColdFire内核，在60 MHz频率下，使用增强型乘累加（EMAC）和硬件除法器，从片上闪存执行时可提供56 Dhrystone 2.1 MIPS。增强型乘累加单元（EMAC）和硬件除法模块。密码加速单元（CAU）协处理器。快速以太网控制器（FEC）

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型号：MCF52235CAL60 编号：C3210839

封装：LQFP-112(20x20)

品牌：NXP(恩智浦)

这是一款基于V2 ColdFire内核的32位设备，工作频率高达60 MHz，具有高性能和低功耗的特点。片上存储器与处理器内核紧密相连，包括高达256 Kbytes的闪存和32 Kbytes的静态随机存取存储器（SRAM）。片上模块包括:V2 ColdFire内核，在60 MHz频率下，使用增强型乘累加（EMAC）和硬件除法器，从片上闪存执行时可提供56 Dhrystone 2.1 MIPS。增强型乘累加单元（EMAC）和硬件除法模块。密码加速单元（CAU）协处理器。快速以太网控制器（FEC）

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