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1个N沟道+1个P沟道耐压:200V 电流:2A

型号：TC6320TG-G 编号：C624992

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

由高压、低阈值 N 沟道和 P 沟道 MOSFET 组成，采用 8 引脚 SOIC 和 DFN 封装。两个 MOSFET 都集成了栅源电阻和栅源齐纳二极管钳位，适用于高压脉冲应用。是互补、高速、高压、栅极钳位的 N 沟道和 P 沟道 MOSFET 对，采用先进的垂直 DMOS 结构和成熟的硅栅制造工艺。结合了双极晶体管的功率处理能力以及 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。具有 MOS 结构的特性，不会出现热失控和热致二次击穿。适用于需要非常低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。

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1+
￥23.08
10+
￥20.09
30+
￥18.31
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￥16.28

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23LCV512-I/SN

型号：23LCV512-I/SN 编号：C1349237

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23LCV512 是一款 512 Kbit 的 SPI 串行 SRAM，支持外部电池备份和 SDI 接口。该设备支持无限次读写操作，具有低功耗 CMOS 技术，适用于工业温度范围。

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1+
￥18.59
10+
￥15.91
30+
￥14.32
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￥12.71

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高速CAN收发器

型号：MCP2551-E/SN 编号：C635953

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

支持1 Mb/s操作，符合ISO-11898标准物理层要求，适用于12V和24V系统，具有多种保护功能。

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1+
￥19.04
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￥16.21
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￥14.44
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采用XLP技术的28/40/44引脚闪存微控制器

型号：PIC16F1516-I/SO 编号：C150810

封装：SOIC-28-300mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：C编译器优化架构。仅49条指令。工作速度：2.5V时，直流-20MHz时钟输入。1.8V时，直流-16MHz时钟输入。直流-200ns指令周期。具备自动上下文保存的中断能力。 16级深度硬件堆栈，可选溢出/下溢复位。直接、间接和相对寻址模式：两个完整的16位文件选择寄存器（FSRs）

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1+
￥19.1
10+
￥16.12
27+
￥14.25
108+
￥12.34

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带USB接口的20引脚高性能闪存微控制器

型号：PIC18F14K50-I/SS 编号：C12460

封装：SSOP-20-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：USB V2.0 兼容 SIE。低速 (1.5 Mb/s) 和全速 (12 Mb/s)。支持控制、中断、同步和批量传输。支持多达 16 个端点 (8 个双向)。 256 字节双端口 RAM (DPRAM) 用于 USB。片上 USB 收发器

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1+
￥19.47
10+
￥17.12
30+
￥15.65
67+
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采用XLP技术的28/40/44引脚，低功耗、高性能微控制器

型号：PIC18F26K22-I/SS 编号：C556910

封装：SSOP-28-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：C编译器优化架构：可选扩展指令集，用于优化可重入代码。高达1024字节的数据EEPROM。高达64KB的线性程序内存寻址。高达3896字节的线性数据内存寻址。高达16MIPS的操作。 16位宽指令，8位宽数据路径。中断优先级。 31级软件可访问硬件堆栈

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1+
￥20.21
10+
￥17.34
30+
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基于闪存的20引脚、8位CMOS微控制器

型号：PIC16F690-I/SO 编号：C22689

封装：SOIC-20-300mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：高性能RISC CPU：仅需学习35条指令，除分支指令外均为单周期指令。工作速度：直流-20 MHz振荡器/时钟输入，直流-200 ns指令周期。中断能力。8级深度硬件堆栈。直接、间接和相对寻址模式。特殊微控制器特性：精密内部振荡器：工厂校准至±1%，软件可选8 MHz至32 kHz频率范围，软件可调，双速启动模式，关键应用的晶体故障检测，运行期间时钟模式切换以节省功耗。节能睡眠模式。宽工作电压范围（2.0V-5.5V）

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1+
￥20.75
10+
￥17.75
30+
￥15.88

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基于AVR增强型RISC架构的低功耗CMOS 8位微控制器

型号：ATMEGA328-PU 编号：C613508

封装：PDIP-28

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P 是一款基于增强型RISC架构的低功耗CMOS 8位微控制器。通过在一个时钟周期内执行强大的指令，ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P实现了接近每MHz 1 MIPS的吞吐量，使系统设计者能够在功耗和处理速度之间进行优化。AVR核心结合了丰富的指令集和32个通用工作寄存器。所有32个寄存器都直接连接到算术逻辑单元（ALU），允许在单个时钟周期内执行的一条指令中访问两个独立的寄存器。由此产生的架构在代码效率上更高，同时比传统的CISC微控制器快达十倍。ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P提供了以下功能：具有读写同时能力的4K/8K字节的片上可编程Flash，256/512/512/1K字节EEPROM，512/1K/1K/2K字节SRAM，23条通用I/O线，32个通用工作寄存器，三个带比较模式的灵活定时器/计数器，内部和外部中断，一个串行可编程USART，面向字节的两线制串行接口，SPI串行端口，6通道10位ADC（TQFP和VQFN封装中有8个通道），带有内部振荡器的可编程看门狗定时器，以及五种软件可选的节能模式。空闲模式停止CPU运行，但允许SRAM、定时器/计数器、USART、两线制串行接口、SPI端口和中断系统继续运作。掉电模式保存寄存器内容，但冻结振荡器，禁用其他所有芯片功能直到下一个中断或硬件复位。在节能模式下，异步定时器继续运行，允许用户在设备其余部分处于睡眠状态时维持一个定时基准。ADC降噪模式停止CPU和所有I/O模块，除了异步定时器和ADC，以减少ADC转换期间的开关噪声。在待机模式下，晶体/谐振器振荡器运行，而设备的其余部分处于睡眠状态。这使得快速启动与低功耗相结合成为可能。Microchip为将电容触摸按钮、滑块和转轮功能嵌入AVR微控制器提供了QTouch库。专利的电荷转移信号采集技术提供了强大的感应，并包括完全去抖动的触摸键报告，还包括相邻键抑制(AKS)技术，用于明确检测按键事件。易于使用的QTouch套件工具链让您能够探索、开发和调试自己的触摸应用。该设备使用Microchip的高密度非易失性存储器技术制造。片上ISP Flash允许通过SPI串行接口、常规非易失性存储器编程器或运行于AVR核心上的片上引导程序来对程序存储器进行片上重新编程。引导程序可以使用任何接口下载应用程序到应用程序Flash存储器中。当应用程序Flash部分被更新时，引导Flash部分中的软件将继续运行，提供真正的读写同时操作。通过将8位RISC CPU与片上自编程Flash结合在同一芯片上，ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P是一款强大的微控制器，为许多嵌入式控制应用提供了高度灵活且成本效益高的解决方案。ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P AVR得到了一套完整的程序和系统开发工具的支持，包括：C编译器、宏汇编器、程序调试器/模拟器、在线仿真器和评估套件。

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1+
￥20.84
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基于闪存的28/40/44引脚，8位CMOS微控制器

型号：PIC16F887T-I/PT 编号：C2651962

封装：TQFP-44(10x10)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：仅需学习35条指令，除分支指令外均为单周期指令。工作速度：DC-20 MHz振荡器/时钟输入，DC-200 ns指令周期。中断能力。 8级深度硬件堆栈。直接、间接和相对寻址模式。精密内部振荡器：工厂校准精度±1%，软件可选8 MHz至31 kHz频率范围，软件可调双速启动模式，关键应用的晶体故障检测，运行期间可进行时钟模式切换以节省功耗。节能睡眠模式。宽工作电压范围（2.0V-5.5V）

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1+
￥21.24
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￥18.3
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14/20引脚、8位闪存USB微控制器，具备XLP技术

型号：PIC16F1455-I/SL 编号：C640946

封装：SOIC-14

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：C编译器优化架构。仅49条指令。 14 Kbytes线性程序内存寻址。 1024 Bytes线性数据内存寻址。工作速度：DC – 48 MHz时钟输入；DC – 83 ns指令周期；特定频率可选3x或4x PLL。具有自动上下文保存的中断能力。 16级深度硬件堆栈，可选溢出/下溢复位。直接、间接和相对寻址模式：两个完整的16位文件选择寄存器（FSRs），能够访问数据或程序内存；FSRs可读取程序和数据内存

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1+
￥22.84
10+
￥19.5
30+
￥17.51
100+
￥15.5

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7/8位单通道、+36V (±18V) 带SPI串行接口和易失性存储器的数字电位器

型号：MCP41HV51-503E/ST 编号：C637064

封装：TSSOP-14

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MCP41HVX1 是一款支持高电压的单通道数字电位器，具有 SPI 接口和易失性存储器。

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1+
￥22.89
10+
￥19.66
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￥17.73

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ATA5785-GHQW-VAO

型号：ATA5785-GHQW-VAO 编号：C28749133

封装：QFN-32

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

1+
￥23.42
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￥22.94
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高性能、低功耗AVR 8位微控制器

型号：ATTINY26L-8SUR 编号：C2053204

封装：SOIC-20-300mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是低功耗CMOS 8位微控制器，基于AVR增强型RISC架构。通过在单个时钟周期内执行强大的指令，可实现接近每MHz 1 MIPS的吞吐量，使系统设计人员能够优化功耗与处理速度。AVR内核将丰富的指令集与32个通用工作寄存器相结合。所有32个寄存器都直接连接到算术逻辑单元（ALU），允许在一个时钟周期内执行的单条指令中访问两个独立的寄存器。由此产生的架构代码效率更高，同时实现的吞吐量比传统CISC微控制器快达十倍。拥有高精度ADC，多达11个单端通道和8个差分通道

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1+
￥26.3384 ￥32.12
10+
￥19.8504 ￥27.57
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￥15.4132 ￥24.86
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￥13.7144 ￥22.12
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￥12.9332 ￥20.86
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￥12.5798 ￥20.29

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基于闪存的28/40/44引脚，8位CMOS微控制器

型号：PIC16F887-I/P 编号：C1337531

封装：PDIP-40

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：仅需学习35条指令，除分支指令外均为单周期指令。工作速度：DC-20 MHz振荡器/时钟输入，DC-200 ns指令周期。中断能力。 8级深度硬件堆栈。直接、间接和相对寻址模式。精密内部振荡器：工厂校准精度±1%，软件可选8 MHz至31 kHz频率范围，软件可调双速启动模式，关键应用的晶体故障检测，运行期间可进行时钟模式切换以节省功耗。节能睡眠模式。宽工作电压范围（2.0V-5.5V）

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1+
￥27.33
10+
￥23.09
30+
￥20.96
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￥18.81

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3.3V单电源10/100 Base-TX/FX MI1物理层收发器

型号：KSZ8721BLI-TR 编号：C514071

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

工作在2.5V内核以满足低电压和低功耗要求，使用MII和RMII接口进行数据的发送和接收。包含10BASE-T物理介质连接（PMA）、物理介质相关（PMD）和物理编码子层（PCS）功能。还具备片上10BASE-T输出滤波，无需外部滤波器，允许使用一组线路磁性元件来满足100BASE-TX和10BASE-T的要求。通过片上自动协商算法自动配置为100或10Mbps以及全双工或半双工操作，是100BASE-TX/10BASE-T应用的理想物理层收发器。

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1+
￥28.87
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￥24.77
30+
￥22.33
100+
￥19.86

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1个N沟道+1个P沟道耐压:200V

型号：TC6320K6-G 编号：C624991

封装：DFN-8-EP(4x4)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

由高压、低阈值的N沟道和P沟道MOSFET组成，采用8引脚SOIC和DFN封装。两个MOSFET都集成了栅源电阻和栅源齐纳二极管钳位，适用于高压脉冲应用。这是一款互补、高速、高压、栅极钳位的N沟道和P沟道MOSFET对，采用先进的垂直DMOS结构和成熟的硅栅制造工艺。这种组合使器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有MOS结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。适用于需要非常低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。

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1+
￥29.35
10+
￥25.44
30+
￥23.11

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KSZ8061MNX/MNG 10BASE-T/100BASE-TX 物理层收发器

型号：KSZ8061MNXV 编号：C5236030

封装：VQFN-32(5x5)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

单芯片10BASE-T/100BASE-TX以太网物理层收发器，支持Quiet-Wire技术减少线缆辐射并增强抗干扰能力。适用于汽车和工业网络。

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1+
￥29.74
10+
￥25.45
30+
￥22.9
100+
￥20.32
490+
￥19.13

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8位串行输入锁存驱动器

型号：MIC5841YWM-TR 编号：C632126

封装：SOIC-18-300mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

采用 BiCMOS 技术制造的 MIC5841/5842 集成电路，可广泛应用于各种外设功率驱动场景。这两款器件均配备一个 8 位 CMOS 移位寄存器、CMOS 控制电路、8 个 CMOS 数据锁存器和 8 个双极型电流吸收达林顿输出驱动器。这两款器件仅在最大电压额定值上有所不同

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1+
￥30.34
10+
￥26.32
30+
￥23.94

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具备LCD驱动器和纳瓦级XLP技术的64/80引脚高性能微控制器

型号：PIC18F87K90-I/PT 编号：C219126

封装：TQFP-80(12x12)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：电源管理模式：运行：CPU 开启，外设开启。空闲：CPU 关闭，外设开启。睡眠：CPU 关闭，外设关闭。双速振荡器启动。故障安全时钟监视器。节能外设模块禁用 (PMD)

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1+
￥31.54
10+
￥27.26
30+
￥24.72
100+
￥22.15

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ATmega406 8位带有电池管理功能的AVR微控制器

型号：ATMEGA406-1AAU 编号：C1338456

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

ATmega406 是一款基于 AVR 增强 RISC 架构的低功耗 CMOS 8 位微控制器。通过在单个时钟周期内执行强大的指令，ATmega406 在 1 MHz 时可达到接近 1 MIPS 的吞吐量。ATmega406 提供以下特性：电压调节器、专用电池保护电路、集成的电池平衡 FET、高压模拟前端以及带有两个 ADC 和片上电压参考的 MCU，用于电池电量计。电压调节器可以在 4.0 - 25 伏特的宽电压范围内工作。该电压被调节为恒定的 3.3 伏特（标称值），用于集成逻辑和模拟功能。电池保护电路监测电池电压和充放电电流，以检测非法状态并在必要时保护电池。非法状态包括放电时的深度欠压、放电时的短路以及充电和放电时的过流。集成的电池平衡 FET 允许通过软件实现电池平衡算法。MCU 提供以下特性：40K 字节的 In-System Programmable Flash，具有读写同时进行的能力；512 字节 EEPROM；2K 字节 SRAM；32 个通用工作寄存器；18 条通用 I/O 线；11 条高压 I/O 线；一个 JTAG 接口，支持片上调试和编程；两个灵活的 Timer/Counters，具有 PWM 和比较模式；一个唤醒定时器；符合 SM-Bus 标准的 TWI 模块；内部和外部中断；一个 12 位 Sigma Delta ADC 用于电压和温度测量；一个高分辨率 Sigma Delta ADC 用于库仑计数和瞬时电流测量；一个带内部振荡器的可编程看门狗定时器；以及四种软件可选的节能模式。AVR 核心结合了丰富的指令集与 32 个通用工作寄存器。所有 32 个寄存器都直接连接到算术逻辑单元 (ALU)，允许在一个时钟周期内执行的单条指令中访问两个独立的寄存器。这种架构比传统的 CISC 微控制器更高效，并且可以实现高达十倍的吞吐量。空闲模式停止 CPU，但允许芯片上的其他功能继续运行。掉电模式允许电压调节器、电池保护、调节器电流检测、看门狗定时器和唤醒定时器运行，同时禁用所有其他芯片功能，直到下一个中断或硬件复位。在节能模式下，唤醒定时器和库仑计数 ADC 继续运行。该设备采用 Atmel 的高压高密度非易失性存储器技术制造。片上 ISP Flash 允许程序存储器通过常规的非易失性存储器编程器或由运行在 AVR 核心上的片上引导程序进行系统内重新编程。引导程序可以使用任何接口将应用程序下载到应用 Flash 存储器中。当应用 Flash 部分更新时，引导 Flash 部分中的软件将继续运行，从而提供真正的读写同时操作。通过将 8 位 RISC CPU 与系统内自编程 Flash、电量计 ADC、专用电池保护电路、电池平衡 FET 和电压调节器集成在一块单片上，Atmel ATmega406 成为了一个功能强大的微控制器，为锂离子智能电池应用提供了高度灵活且成本效益高的解决方案。

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1+
￥32.64
10+
￥28.34
30+
￥25.63
250+
￥23.05

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支持GMII/MII的千兆以太网收发器

型号：KSZ9031RNXIA 编号：C2979608

封装：QFN-48(7x7)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

KSZ9031MNx 是一款完全集成的三速（10BASE-T/100BASE-Tx/1000BASE-T）以太网物理层收发器，用于在标准 CAT-5 无屏蔽双绞线 (UTP) 电缆上传输和接收数据。KSZ9031MNx 提供行业标准的 GMII/MII（千兆介质独立接口/介质独立接口），用于连接千兆以太网处理器和交换机中的 GMII/MII MAC，以 1000 Mbps 或 10/100 Mbps 的速度传输数据。KSZ9031MNx 通过使用片上终止电阻来实现四个差分对，并通过集成 LDO 控制器来驱动低成本 MOSFET 以提供 1.2V 核心，从而降低板材成本并简化板材布局。KSZ9031MNx 提供诊断功能，以方便在生产测试和产品部署中进行系统启动和调试。参数 NAND 树支持可检测 KSZ9031MNx I/O 和板之间的故障。 LinkMD 基于 TDR 的电缆诊断可识别有故障的铜电缆。远程和本地环回功能可验证模拟和数字数据路径。KSZ9031MNx 采用 64 引脚无铅 QFN 封装。

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1+
￥33.36
10+
￥28.53
30+
￥25.65

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低噪声 24Bit模数转换器

型号：MCP3561RT-E/NC 编号：C5200798

封装：UQFN-20(3x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MCP3561/2/4R 是 1/2/4 通道、24 位的 Δ-Σ 模数转换器 (ADC)，可编程数据速率高达 153.6 ksps。它们具备集成特性，如内部电压基准、内部振荡器、温度传感器和烧断传感器检测功能，以减少系统组件数量和总体解决方案成本。 MCP3561/2/4R ADC 可通过过采样率 (OSR) 从 32 到 98304 以及增益从 1/3x 到 64x 进行完全配置。这些器件包含一个带有多个监控通道的内部定序器（扫描模式）和一个 24 位定时器，能够自动创建转换循环序列，无需 MCU 通信。先进的安全特性，如 CRC 和寄存器映射锁定，可确保配置锁定和完整性，以及安全环境下的通信数据完整性。这些器件配备一个 20 MHz 的 SPI 兼容串行接口。通过 8 位命令，通信得到了极大简化，包括各种连续读/写模式和 24/32 位多数据格式，可通过 8 位、16 位或 32 位 MCU 的直接内存访问 (DMA) 进行访问。 MCP3561/2/4R 器件有带引脚的 20 引脚 TSSOP 封装，以及超小型 3 mm x 3 mm x 0.55 mm 的 20 引脚 UQFN - 20 封装，工作温度范围扩展至 -40°C 至 +125°C。

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1+
￥34.99
10+
￥30.19
30+
￥26.27
100+
￥23.39

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MCP73855-I/MF

型号：MCP73855-I/MF 编号：C635277

封装：DFN-10-EP(3x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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1+
￥36.39
10+
￥31.16
30+
￥28.05

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8位微控制器，带20KB可重编程闪存

型号：AT89C55WD-24PU 编号：C48867

封装：DIP-40

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT89C55WD 是一款低功耗、高性能的 CMOS 8 位微控制器，带有 20K 字节的 Flash 可编程只读存储器和 256 字节的 RAM。该器件采用 Atmel 的高密度非易失性存储器技术制造，并与工业标准 80C51 和 80C52 指令集和引脚兼容。片上 Flash 允许用户通过常规的非易失性存储器编程器对程序存储器进行编程。通过将多功能 8 位 CPU 与 Flash 集成在单片芯片上，Atmel AT89C55WD 成为一种功能强大的微型计算机，为许多嵌入式控制应用提供了高度灵活且成本效益高的解决方案。AT89C55WD 提供以下标准特性：20K 字节的 Flash、256 字节的 RAM、32 条 I/O 线、三个 16 位定时器/计数器、六向量两级中断结构、全双工串行端口、片上振荡器和时钟电路。此外，AT89C55WD 采用静态逻辑设计，可在零频率下工作，并支持两种软件可选的节能模式。空闲模式停止 CPU 运行，但允许 RAM、定时器/计数器、串行端口和中断系统继续运行。掉电模式保存 RAM 内容，但冻结振荡器，禁用所有其他芯片功能，直到下一个外部中断或硬件复位。

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1+
￥36.54
10+
￥31.7
30+
￥28.74

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USB 2.0高速7端口集线器控制器

型号：USB2517I-JZX-TR 编号：C626667

封装：QFN-64-EP(9x9)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

低功耗、OEM可配置的多事务转换器(MTT)集线器控制器IC，具有7个下游端口，适用于嵌入式USB解决方案。

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1+
￥36.63
10+
￥31.31
30+
￥28.15
100+
￥24.95

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集成4端口10/100管理型以太网交换机，带千兆RGMII/MI/RMII接口

型号：KSZ8794CNXIC-TR 编号：C631662

封装：QFN-64-EP(8x8)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

集成4端口10/100管理型以太网交换机，支持千兆RGMII/MI/RMII接口，适用于工业以太网、VoIP电话、机顶盒、游戏机、汽车、工业控制等应用。

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1+
￥38.49
10+
￥33.23
30+
￥30.03
100+
￥27.34

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高速USB 2.0至10/100/1000以太网控制器

型号：LAN7500I-ABZJ-TR 编号：C625079

封装：QFN-56-EP(8x8)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

单芯片高速USB 2.0至10/100/1000以太网控制器，支持自动协商、自动极性校正和HP Auto-MDIX。

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￥41.06
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16位数字信号控制器，用于数字电源应用，具备互连高速PWM、ADC、PGA和比较器

型号：DSPIC33EP64GS506-I/PT 编号：C514082

封装：TQFP-64(10x10)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：工作条件：3.0V 至 3.6V，-40°C 至 +85°C，直流至 70 MIPS；3.0V 至 3.6V，-40°C 至 +125°C，直流至 60 MIPS。闪存架构：双分区闪存程序存储器，支持实时更新（64 KB 设备），支持操作时编程，支持分区软交换。内核：16 位 dsPIC33E CPU，代码高效（C 和汇编）架构，两个 40 位宽累加器，单周期（MAC/MPY）双数据提取，单周期混合符号乘法加硬件除法，32 位乘法支持，两个额外工作寄存器组（减少上下文切换）。

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￥44.46
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4GHz 1:4 LVPECL 扇出缓冲器/转换器

型号：SY58021UMG-TR 编号：C632377

封装：TQFN-16-EP(3x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款2.5V/3.3V精密、高速、全差分1:4 LVPECL扇出缓冲器。优化为提供四个相同的输出副本，输出偏斜小于15ps，相位抖动仅为70fsRMS，可处理高达4GHz的时钟信号。差分输入包括独特的3引脚输入终端架构，可连接低至100mV的差分LVPECL、CML和LVDS信号（交流或直流耦合），信号路径中无需任何电平转换或终端电阻网络。对于交流耦合输入接口应用，提供板载输出参考电压(VREFAC)来偏置VT引脚

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￥44.39
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64 Mbit（x16）多功能FlashPlus

型号：SST39VF6401B-70-4C-EKE 编号：C11321

封装：TSOP-48-18.4mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39VF640xB 器件是采用 SST 专有的高性能 CMOS SuperFlash 技术制造的 4M x16 CMOS 多功能闪存增强版（MPF+）。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器可实现更高的可靠性和可制造性。SST39VF640xB 在 2.7 - 3.6V 电源下进行写入（编程或擦除）操作

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