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首页 > 热门关键词 > DIODES模拟芯片
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描述
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75V 150mA
型号：BAV99W-7-F 编号：C93035
封装：SOT-323
品牌：DIODES(美台)
特性：快速开关速度。 小表面贴装封装。 适用于通用开关应用。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用，该产品符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产
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    ￥0.1448
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    电压:30V 电流:30mA
    型号：SDM03U40-7 编号：C151333
    封装：SOD-523
    品牌：DIODES(美台)
    特性：低正向压降。 用于瞬态保护的保护环芯片结构。 适用于低逻辑电平应用。 低电容
    数据手册

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    75V 150mA
    型号：1N4148WS-13-F 编号：C112343
    封装：SOD-323
    品牌：DIODES(美台)
    特性：快速开关速度。 小表面贴装封装。 用于通用开关应用。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用，该部件符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF16949认证的工厂生产
    数据手册

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    电压:40V 电流:30mA
    型号：SDMK0340L-7-F 编号：C139440
    封装：SOD-323
    品牌：DIODES(美台)
    特性：低正向压降。 用于瞬态保护的保护环芯片结构。 适用于低逻辑电平应用。 低电容。 无铅、无卤素和无锑，符合RoHS标准的“绿色”器件
    数据手册

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    80V 95mA
    型号：1N4448HLP-7 编号：C154874
    封装：DFN-2(0.6x1)
    品牌：DIODES(美台)
    特性：快速开关速度。 超小表面贴装封装。 低反向漏电流。 适用于电池供电的便携式应用。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性
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    电压:30V 电流:200mA
    型号：BAT54SW-7-F 编号：C83575
    封装：SOT-323-3
    品牌：DIODES(美台)
    特性：低正向压降。 快速开关。 超小表面贴装封装。 PN结保护环，用于瞬态和ESD保护。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 有符合汽车标准的产品可供选择
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    独立式 耐压:13V 电流:0.1uA@1.0V
    型号：BZT52C13-7-F 编号：C260858
    封装：SOD-123
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 500mW 功耗。 通用型，中等电流。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准
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    独立式 耐压:5.1V 电流:5uA@2.0V
    型号：MMSZ5231BS-7-F 编号：C435914
    封装：SOD-323
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 小表面贴装封装。 通用。 非常适合自动化组装过程。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

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    独立式 耐压:14.66V 电流:50nA@11V
    型号：D3Z15BF-7 编号：C460830
    封装：SOD-323F
    品牌：DIODES(美台)
    特性：400mW功率耗散（FR-4 PCB）。 VZ容差极小。 非常适合自动化装配工艺。 完全无铅，完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
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    75V 150mA
    型号：BAS16TW-7-F 编号：C155382
    封装：SOT-363
    品牌：DIODES(美台)
    特性：快速开关速度。 超小表面贴装封装。 用于通用开关应用。 高电导。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
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    200V 200mA
    型号：BAV21W-7-F 编号：C155214
    封装：SOD-123
    品牌：DIODES(美台)
    特性：快速开关速度。 表面贴装封装，非常适合自动插入。 用于通用开关应用。 高反向击穿电压。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用，这些部件符合AEC-Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF 16949认证的工厂生产
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    耐压:7.5V 电流:0.1uA@5.7V
    型号：DDZ9693T-7 编号：C460858
    封装：SOD-523
    品牌：DIODES(美台)
    特性：小型、薄型表面贴装封装。 非常尖锐的击穿特性。 非常适合自动化装配工艺。 极低的漏电流。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
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    独立式 耐压:5.6V 电流:5uA@3V
    型号：MMBZ5232B-7-F 编号：C260870
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 350mW功率耗散（FR-4 PCB）。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合JEDEC标准，高可靠性
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    NPN 电流:600mA 电压:160V
    型号：MMBT5551-7-F 编号：C87893
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > 160V。 适用于低功率放大和开关。 有互补PNP类型。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
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    单缓冲门
    型号：74AUP1G34FS3-7 编号：C842353
    封装：X2-DFN0808-4
    品牌：DIODES(美台)
    先进微功耗（AUP）CMOS 逻辑系列专为便携式应用的低功耗和延长电池续航而设计。74AUP1G34 是一款单缓冲门，具有标准推挽输出，设计工作电源电压范围为 0.8V 至 3.6V。该器件针对使用 IOFF 的部分掉电应用进行了全面规格定义
    数据手册

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    耐压:10V 电流:0.2uA@7.0V
    型号：BZT52C10LP-7 编号：C150509
    封装：X1-DFN1006-2
    品牌：DIODES(美台)
    特性：超小无铅表面贴装封装。 非常适合自动化组装工艺。 设计无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，可靠性高
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    独立式 耐压:6.2V 电流:2uA@4.0V
    型号：BZT52C6V2S-7-F 编号：C177018
    封装：SOD-323
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 小表面贴装封装。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，具有高可靠性
    数据手册

    • 20+

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    独立式 耐压:8.2V 电流:0.1uA
    型号：DDZ9694T-7 编号：C151367
    封装：SOD-523
    品牌：DIODES(美台)
    特性：小型、薄型表面贴装封装。 非常尖锐的击穿特性。 非常适合自动化装配工艺。 极低的漏电流。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

    • 10+

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    PNP 电流:500mA 电压:300V
    型号：MMBTA92-7-F 编号：C85182
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > 300V。适用于中功率放大和开关。互补 NPN 类型。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤和无锑，“绿色”器件。符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性。具备 PPAP 能力
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    • 20+

      ￥0.2368

    • 200+

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    • 3000+

      ￥0.1471
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    耐压:30V 电流:380mA
    型号：DMN63D8LW-13 编号：C212323
    封装：SOT-323
    品牌：DIODES(美台)
    N沟道,30V,380mA,13Ω@2.5V
    数据手册

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      ￥0.2376

    • 200+

      ￥0.189

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      ￥0.1458
  • 有货
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    独立式 耐压:9.1V 电流:0.5uA
    型号：BZT52C9V1-7-F 编号：C260913
    封装：SOD-123
    品牌：DIODES(美台)
    特性：平面芯片结构。 500mW 功耗。 通用型，中等电流。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2502

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    • 600+

      ￥0.176
  • 有货
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    NPN 电流:100mA 电压:45V
    型号：BC847BS-7-F 编号：C156292
    封装：SOT-363
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO >45V。超小表面贴装封装。非常适合自动插入。用于开关和音频放大器应用。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

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      ￥0.2536

    • 100+

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      ￥0.1526
  • 有货
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    400V 1A
    型号：S1G-13-F 编号：C85102
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：DIODES(美台)
    特性：玻璃钝化芯片结构，高可靠性。 浪涌过载额定值达30A峰值。 非常适合自动组装。 无铅涂层；符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2668

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      ￥0.185
  • 有货
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    独立式 耐压:36V 电流:0.05uA@30V
    型号：DDZ36-7 编号：C444414
    封装：SOD-123
    品牌：DIODES(美台)
    特性：非常严格的Vz公差。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2687

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      ￥0.2168

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    耐压:10V 电流:0.1uA@7.6V
    型号：DDZ9697T-7 编号：C5712055
    封装：SOD-523
    品牌：DIODES(美台)
    特性：小型、薄型表面贴装封装。 非常尖锐的击穿特性。 非常适合自动化装配工艺。 极低的漏电流。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件

    • 20+

      ￥0.271

    • 200+

      ￥0.2171

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      ￥0.1692
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    ESD 3.3V截止 峰值浪涌电流：5A@8/20us
    型号：DESD3V3S1BLP3-7 编号：C526556
    封装：DFN0603-2
    品牌：DIODES(美台)
    特性：超小、薄型无铅表面贴装封装 (0.6 x 0.3 x 0.3mm)。 符合 IEC 61000-4-2 标准提供 ESD 保护：空气放电 ±30kV，接触放电 ±25kV。 单通道 ESD 保护。 低通道输入电容。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。应用：手机。 便携式电子设备
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2714

    • 100+

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      ￥0.1546
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    单路，二输入，正或非门
    型号：74LVC1G02SE-7 编号：C460515
    封装：SOT-353
    品牌：DIODES(美台)
    74LVC1G02 是一款单路 2 输入正或非门，具有标准推挽输出。该器件设计用于 1.65V 至 5.5V 的电源电压范围
    数据手册

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    50V 1A
    型号：S1A-13-F 编号：C150735
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：DIODES(美台)
    特性：玻璃钝化芯片结构，高可靠性。 浪涌过载额定值达30A峰值。 非常适合自动组装。 无铅涂层；符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件
    数据手册

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      ￥0.1906
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    2.8V 300mA 5.25V
    型号：AP7343D-28FS4-7B 编号：C260891
    封装：X2-DFN1010-4-EP
    品牌：DIODES(美台)
    是一款低压差稳压器，具有高输出电压精度、低导通电阻 (RDS(ON))、高电源抑制比 (PSRR)、低输出噪声和低静态电流等特点。该稳压器基于CMOS工艺。包含一个电压基准、误差放大器、限流电路和一个使能输入，用于开启和关闭。通过集成电阻网络，可以提供固定输出电压版本。凭借其低功耗以及良好的线路和负载瞬态响应，适用于低功耗手持通信设备。采用X2-DFN1010-4 (Type B) 和SOT25封装，可实现最小的占位面积和密集的PCB布局。
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    电压:30V 电流:200mA
    型号：BAT54LP-7 编号：C134410
    封装：X1-DFN1006-2
    品牌：DIODES(美台)
    特性：低正向电压降。 快速开关。 超小无铅表面贴装封装。 PN结保护环，用于瞬态和ESD保护。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 该产品符合JEDEC标准（如AEC-Q中所述），具有高可靠性
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