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首页 > 热门关键词 > DIODES模拟芯片
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特性:外延平面芯片结构,非常适合自动化组装过程。 适用于中功率开关或放大应用。 设计无铅/RoHS 合规。 “绿色”器件
数据手册
  • 5+

    ¥1.421691 ¥1.5287
  • 50+

    ¥1.035923 ¥1.2481
  • 150+

    ¥0.823367 ¥1.1279
  • 500+

    ¥0.713867 ¥0.9779
  • 2500+

    ¥0.665103 ¥0.9111
  • 5000+

    ¥0.63583 ¥0.871
  • 有货
  • AH1911/AH1921是一款超低功耗数字全极霍尔效应开关IC。得益于休眠时钟系统,在3V电压下,其平均供电电流仅为1.6μA,这使得AH1911/AH1921非常适合用于电池供电的消费产品、燃气表或水表、烟雾探测器以及物联网设备。更宽的供电电压范围(1.6V至5.5V)可延长电池工作时间,并支持低压系统微控制器,为系统设计提供了极大的灵活性
    • 5+

      ¥1.4338
    • 50+

      ¥1.1455
    • 150+

      ¥1.0219
    • 500+

      ¥0.8678
  • 有货
  • 双N沟道,20V,8A,24mΩ@4.5V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4348
    • 50+

      ¥1.1354
    • 150+

      ¥1.0071
    • 500+

      ¥0.847
  • 有货
  • 这款DESD1FLEX2SOQ是一款下一代静电放电(ESD)和浪涌保护器件,采用小尺寸表面贴装封装。它符合AEC Q101标准,具备生产件批准程序(PPAP)文件支持,旨在保护两条汽车FlexRay总线免受静电放电和其他瞬态干扰影响。
    • 5+

      ¥1.4432
    • 50+

      ¥1.1484
    • 150+

      ¥1.0221
    • 500+

      ¥0.8645
  • 有货
  • ZXTR2105F将晶体管、齐纳二极管和电阻单片集成,用作线性稳压器。该器件在15mA电流下可提供5V标称输出电压。它专为标准线性稳压器无法使用的高压应用而设计。此功能完全集成在SOT23封装中,与多芯片分立解决方案相比,可最小化PCB面积并减少元件数量。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4484
    • 50+

      ¥1.1356
    • 150+

      ¥1.0015
    • 500+

      ¥0.8343
    • 3000+

      ¥0.7572
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片结构。 低正向压降,高电流能力。 浪涌过载额定值达50A峰值。 专为表面贴装应用设计。 UL列于认可组件索引下,文件编号E525394。 无铅涂层;符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4854
    • 50+

      ¥1.1779
    • 150+

      ¥1.0461
    • 1500+

      ¥0.8817
  • 有货
  • 该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻(RDS(ON)),同时保持出色的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4923
    • 50+

      ¥1.2148
    • 150+

      ¥1.0958
    • 500+

      ¥0.9474
  • 有货
  • VBR=13.3V VC=19.9V IPP=75.3A 单向
    数据手册
    • 5+

      ¥1.576287 ¥1.9953
    • 50+

      ¥1.095582 ¥1.5878
    • 150+

      ¥0.833729 ¥1.4131
    • 500+

      ¥0.705168 ¥1.1952
    • 3000+

      ¥0.647938 ¥1.0982
    • 6000+

      ¥0.613541 ¥1.0399
  • 有货
  • AH1887配备两个霍尔效应片和双CMOS输出驱动器,主要为电池供电的手持设备(如手机、无绳电话、个人数字助理)而设计。在1.8V电源供电时,总工作功耗低至15μW。足够强度的北极或南极磁场都会使输出开启
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5767
    • 50+

      ¥1.2287
    • 150+

      ¥1.0796
    • 500+

      ¥0.8935
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片结构。 低正向压降,高电流能力。 浪涌过载额定值达50A峰值。 专为表面贴装应用设计。 UL列于认可组件索引下,文件编号E525394。 无铅涂层;符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 5+

      ¥1.618
    • 50+

      ¥1.2752
    • 150+

      ¥1.1284
  • 有货
  • 该系列设备旨在以最少的外部组件满足卫星接收器低噪声模块 (LNB) 中常用的 GaAs 和 HEMT FET 的偏置要求,同时在最小电压电源下运行并使用最小电流。该设备有六个 FET 偏置级。为了优化系统的噪声和增益,六个级中的两个级的漏极电流可以在 4mA 至 15mA 的范围内进行编程。通过连接到 RCAL1 引脚的电阻器来实现对 FET D1 和 D4 的漏极电流的编程。其余四个 FET D2、D3、D5 和 D6 的漏极电流在内部设置为 10mA。放大器级的漏极电压设置为 2.0V,并限制电流至其相关 RCAL 电阻器设置的近似电流
    数据手册
    • 1+

      ¥1.6188 ¥2.28
    • 10+

      ¥1.2261 ¥2.01
    • 30+

      ¥0.9639 ¥1.89
    • 100+

      ¥0.8925 ¥1.75
    • 500+

      ¥0.8568 ¥1.68
    • 1000+

      ¥0.8364 ¥1.64
  • 有货
  • AP2552/53 和 AP2552A/53A 是单通道精密可调限流开关,针对需要精密限流的应用进行了优化,或可在重载/短路期间提供高达 2.1A 的连续负载电流。这些器件可通过外部电阻将限流阈值设置在 75mA 至 2.36A(典型值)之间。在高限流设置下,限流精度可达 ±6%
    数据手册
    • 5+

      ¥1.6378
    • 50+

      ¥1.2747
    • 150+

      ¥1.119
    • 500+

      ¥0.9249
    • 3000+

      ¥0.7952
  • 有货
  • 是一款 1A、可调且固定输出电压的超低压差线性稳压器,带有使能功能。该器件包括传输元件、误差放大器、带隙基准、电流限制和热关断电路。当 EN 引脚设置为逻辑高电平时,器件开启。低压差和低静态电流特性使其适用于中低功率应用,例如笔记本电脑、音频和视频应用以及电池供电设备。典型静态电流约为 60μA。内置电流限制和热关断功能可防止 IC 在故障条件下损坏。提供 U-DFN3030-8 (Type E)、SOT89-5、SOT223、TO252 (DPAK) 和 SO-8EP 封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.6463
    • 50+

      ¥1.2762
    • 150+

      ¥1.1175
    • 500+

      ¥0.9196
  • 有货
  • 是高性能、高功率因数、高效率和高电流的精密降压-升压和反激式可调光LED控制器/驱动器,适用于可控硅调光LED灯应用。该拓扑结构可在较宽的线路和负载调节范围内提供精确的输出电流。宽开关频率工作在边界传导模式(BCM),以简化EMI/EMC设计和测试,满足最新的监管标准。控制器搭配外部MOSFET可支持高达25W的更高输出功率应用
    数据手册
    • 单价:

      ¥0.917946 / 个
    这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC - Q101标准,具备生产件批准程序(PPAP)支持,非常适合用于以下场景:;- 电机控制;- 背光源;- 电源管理功能;- DC - DC转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥1.6685 ¥2.35
    • 10+

      ¥1.2627 ¥2.07
    • 30+

      ¥0.9945 ¥1.95
    • 100+

      ¥0.918 ¥1.8
    • 500+

      ¥0.8874 ¥1.74
    • 1000+

      ¥0.867 ¥1.7
  • 有货
  • 这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC - Q101标准,有生产件批准程序(PPAP)支持,非常适合用于: - 电机控制
    • 5+

      ¥1.7079
    • 50+

      ¥1.3652
    • 150+

      ¥1.2183
    • 500+

      ¥1.035
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片结构。 低正向压降和高电流能力。 浪涌过载额定值达100A峰值。 非常适合自动组装。 无铅表面处理;符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 5+

      ¥1.7213
    • 50+

      ¥1.3665
    • 150+

      ¥1.2144
    • 500+

      ¥1.0247
    • 3000+

      ¥0.9402
  • 有货
  • AZ1084C 是一系列低压差正电压稳压器,在 5A 负载电流下,最大压差为 1.5V。该系列具备片上热限制功能,可防止因过载和环境温度共同作用导致结温过高。它还集成了经过微调的带隙基准和限流电路
    数据手册
    • 5+

      ¥1.7229
    • 50+

      ¥1.3822
    • 150+

      ¥1.2362
    • 500+

      ¥1.054
  • 有货
  • 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
    • 5+

      ¥1.7237
    • 50+

      ¥1.3684
    • 150+

      ¥1.2161
    • 500+

      ¥1.0261
    • 3000+

      ¥0.9415
  • 有货
  • 是一款 1A、可调且固定输出电压的超低压差线性稳压器,带有使能功能。该器件包括传输元件、误差放大器、带隙基准、电流限制和热关断电路。当 EN 引脚设置为逻辑高电平时,器件开启。低压差和低静态电流特性使其适用于中低功率应用,例如笔记本电脑、音频和视频应用以及电池供电设备。典型静态电流约为 60μA。内置电流限制和热关断功能可防止 IC 在故障条件下损坏。提供 U-DFN3030-8 (Type E)、SOT89-5、SOT223、TO252 (DPAK) 和 SO-8EP 封装。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.8212
    • 50+

      ¥1.6329
    • 150+

      ¥1.5522
    • 500+

      ¥1.3977
    • 2500+

      ¥1.3529
  • 有货
  • 特性:快速开关速度。 超小表面贴装封装。 用于通用开关应用。 高电导率。 无铅/RoHS 合规。 “绿色”器件
    数据手册
    • 5+

      ¥1.833203 ¥1.8899
    • 50+

      ¥1.328838 ¥1.5274
    • 150+

      ¥1.05644 ¥1.372
    • 500+

      ¥0.907214 ¥1.1782
    • 3000+

      ¥0.840763 ¥1.0919
    • 6000+

      ¥0.800877 ¥1.0401
  • 有货
  • 专为满足汽车应用的严格要求而设计。它非常适合用作:极性保护二极管、续流二极管、开关二极管。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.8612
    • 50+

      ¥1.4832
    • 150+

      ¥1.3212
    • 500+

      ¥1.1191
  • 有货
  • 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
    • 5+

      ¥1.8821
    • 50+

      ¥1.5132
    • 150+

      ¥1.355
    • 500+

      ¥1.1577
  • 有货
  • AZV831/AZV832 是单/双通道轨到轨输入输出放大器,可为低电源电压应用中的最大信号摆幅提供宽输入共模电压范围和输出电压摆幅能力。该器件经过全面规格设计,可在 1.6V 至 5.0V 单电源或 ±0.8V 和 ±2.5V 双电源应用中工作。其每通道的电源电流耗散极低,仅为 70μA,非常适合当今的低电压和/或便携式系统
    数据手册
    • 5+

      ¥1.9047
    • 50+

      ¥1.375647 ¥1.5117
    • 150+

      ¥1.088073 ¥1.3433
    • 500+

      ¥0.917892 ¥1.1332
    • 3000+

      ¥0.842076 ¥1.0396
    • 6000+

      ¥0.796554 ¥0.9834
  • 有货
  • 特性:BVCEO > 50V。IC = 4A 连续集电极电流。低饱和电压(1A 时最大 100mV)。RSAT = 68mΩ,低等效导通电阻。hEE 在高达 6A 时指定,保持高电流增益。双 NPN 节省电路板空间和元件数量。应用:DC-DC 转换器。MOSFET 栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥1.9133 ¥3.61
    • 10+

      ¥1.4147 ¥3.29
    • 30+

      ¥1.0329 ¥3.13
    • 100+

      ¥0.9834 ¥2.98
    • 500+

      ¥0.9504 ¥2.88
    • 1000+

      ¥0.9339 ¥2.83
  • 有货
  • VBR=8.33V VC=12.9V IPP=116.3A 单向
    数据手册
    • 1+

      ¥1.9296 ¥2.68
    • 10+

      ¥1.3206 ¥2.13
    • 30+

      ¥0.988 ¥1.9
    • 100+

      ¥0.8372 ¥1.61
    • 500+

      ¥0.7696 ¥1.48
    • 1000+

      ¥0.728 ¥1.4
  • 有货
  • 封装在紧凑且热效率高的 PowerDI5 中,提供非常低的 VF 和出色的高温反向泄漏稳定性,适合用作整流器、续流二极管或阻塞二极管。
    • 1+

      ¥1.95
    • 10+

      ¥1.72
    • 30+

      ¥1.62
    • 100+

      ¥1.5
    • 500+

      ¥1.45
    • 1000+

      ¥1.41
  • 有货
  • 特性:非常适合自动化装配工艺。 超低集电极-发射极饱和电压。 有互补NPN类型。 适用于中功率开关或放大应用。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 有符合汽车标准的部件(单独的数据手册)
    数据手册
    • 5+

      ¥1.9519
    • 50+

      ¥1.599
    • 150+

      ¥1.4477
    • 500+

      ¥1.259
  • 有货
  • P沟道,-60V,-3A,125mΩ@-10V
    数据手册
    • 1+

      ¥1.96
    • 10+

      ¥1.39
    • 30+

      ¥1.1
    • 100+

      ¥0.82
    • 500+

      ¥0.65
    • 1000+

      ¥0.56
  • 有货
  • 这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC - Q101标准,有生产件批准程序(PPAP)支持,非常适合用于:- 电池管理应用
    数据手册
    • 1+

      ¥1.972 ¥3.4
    • 10+

      ¥1.464 ¥3.05
    • 30+

      ¥1.0906 ¥2.87
    • 100+

      ¥1.0222 ¥2.69
    • 500+

      ¥0.9804 ¥2.58
    • 1000+

      ¥0.9614 ¥2.53
  • 有货
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