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首页 > 热门关键词 > DIODES模拟芯片
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是一款白色 LED 驱动器,能够在 2.7V 至 5.5V 的输入电压范围内串联驱动 10 个或更多 WLED(取决于 LED 的正向电压)。具有过流保护、过压保护、欠压锁定和过温保护功能,可防止设备损坏。LED 调光可以通过以下应用信息中描述的四种方法完成。
数据手册
  • 1+

    ¥2.2
  • 10+

    ¥1.92
  • 30+

    ¥1.77
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    ¥1.55
  • 1000+

    ¥1.5
  • 有货
  • DMN61D8LVTQ为汽车应用中切换继电器、螺线管和小型直流电机等感性负载提供了单组件解决方案,无需续流二极管。DMN61D8LVTQ接受逻辑电平输入,因此可由逻辑门、反相器和微控制器驱动。它非常适合用于车门、车窗和天线继电器线圈
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2232
    • 50+

      ¥1.7575
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      ¥1.5579
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      ¥1.3089
  • 有货
  • 这款双极结型晶体管(BJT)旨在满足汽车应用的严格要求。
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      ¥2.2478
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      ¥1.7844
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      ¥1.2278
  • 有货
  • 特性:BVCEO > 180V。 连续集电极电流高,Ic = 0.5A。 脉冲峰值电流,IcM = 1A。 高增益器件,在 Ic = 100mA 时 > 500。 完全无铅,完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,环保器件。应用:电压调节晶体管。 启动开关
    数据手册
    • 1+

      ¥2.28
    • 10+

      ¥2.03
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      ¥1.79
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      ¥1.74
    • 1000+

      ¥1.7
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片结构。 低正向压降和高电流能力。 浪涌过载额定值达100A峰值。 非常适合自动组装。 无铅表面处理;符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2887
    • 50+

      ¥1.8077
    • 150+

      ¥1.6015
    • 500+

      ¥1.3443
  • 有货
  • 特性:BVCEO >-40V。 高连续集电极电流:IC =-3A。 峰值脉冲电流:ICM =-5A。 低饱和电压:VCE(sat) <-140mV @-1A。 hFE指定高达-5A以实现高增益保持。 无铅涂层;符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 该部件符合JEDEC标准,具有高可靠性
    • 1+

      ¥2.32
    • 10+

      ¥2.04
    • 30+

      ¥1.89
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      ¥1.75
    • 500+

      ¥1.55
    • 1000+

      ¥1.5
  • 有货
  • 该MOSFET旨在最小化导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
    • 1+

      ¥2.35
    • 10+

      ¥2.1
    • 30+

      ¥1.99
    • 100+

      ¥1.85
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      ¥1.79
    • 1000+

      ¥1.76
  • 有货
  • AP5727 是一款高效的升压转换器,采用紧凑的 SOT25 封装,为 OLED 辅显示屏和 TFT-LCD(液晶显示器)提供偏压电源。1.2MHz 的高开关频率和内部补偿功能减少了外部元件数量、PCB 面积和成本。集成的软启动功能降低了浪涌电流。AP5727 具有 1.25V 的反馈电压,使其与用于 LCD 面板偏压的标准升压转换器兼容。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.3567
    • 50+

      ¥1.8661
    • 150+

      ¥1.6559
    • 500+

      ¥1.3936
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片结构。 低正向压降,高电流能力。 浪涌过载额定值达50A峰值。 专为表面贴装应用设计。 UL列于认可元件索引中,文件编号E525394。 无铅涂层;符合RoHS标准
    数据手册
    • 5+

      ¥2.376
    • 50+

      ¥1.9163
    • 150+

      ¥1.7193
  • 有货
  • 特性:设计用作太阳能电池板的旁路二极管。 最高结温选择性额定为 +200°C,具有高耐热可靠性。 采用专利的超级势垒整流器技术(SBR)。 正向压降较低。 高温稳定性优异。 无铅涂层;符合 RoHS 标准。应用:开关电源(SMPS)。 DC-DC 转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥2.39
    • 10+

      ¥2.13
    • 30+

      ¥2.02
    • 100+

      ¥1.88
    • 500+

      ¥1.82
    • 1000+

      ¥1.79
  • 有货
  • AP2166和AP2176是集成式高端功率开关,专为通用串行总线(USB)及其他热插拔应用而优化。该系列器件符合USB 2.0标准,且使能输入具有两种极性可选。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.44
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      ¥1.94
    • 150+

      ¥1.72
    • 500+

      ¥1.45
  • 有货
  • ZXTR2012FF 单片集成了一个晶体管、一个齐纳二极管和一个电阻,可作为高压线性稳压器使用。该器件在 15mA 电流下的标称输出电压为 12V。它专为标准线性稳压器无法使用的高压应用而设计
    • 1+

      ¥2.44
    • 10+

      ¥1.89
    • 30+

      ¥1.66
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      ¥1.16
  • 有货
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      ¥2.579
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      ¥2.0801
    • 150+

      ¥1.8662
    • 500+

      ¥1.5994
  • 有货
  • AP2301和AP2311是单通道限流集成高端功率开关,专为通用串行总线(USB)和其他热插拔应用而优化。该系列器件符合USB标准,使能输入具有两种极性可选。这些器件具有快速的短路响应时间,可提高整个系统的稳健性,并且集成了输出放电功能,以确保对输出电压电容进行完全可控的放电
    数据手册
    • 1+

      ¥2.6
    • 10+

      ¥2.03
    • 30+

      ¥1.79
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      ¥1.49
    • 500+

      ¥1.35
    • 1000+

      ¥1.27
  • 有货
  • 该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.69
    • 10+

      ¥2.16
    • 30+

      ¥1.94
    • 100+

      ¥1.65
    • 500+

      ¥1.48
    • 1000+

      ¥1.4
  • 有货
  • SDT20B100D1具有极低的正向压降(VF),且在高温下具有极其出色的反向漏电流稳定性。它非常适合用作以下设备中的整流二极管、续流二极管或阻塞二极管:直流-直流转换器、交流-直流适配器。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.69
    • 10+

      ¥2.1
    • 30+

      ¥1.85
    • 100+

      ¥1.54
  • 有货
  • 此MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.73
    • 10+

      ¥2.16
    • 30+

      ¥1.91
    • 100+

      ¥1.61
    • 500+

      ¥1.47
    • 1000+

      ¥1.39
  • 有货
  • APX393/339 是低压(2.5V 至 5.5V)双路和四路比较器。APX393 为双路版本,提供 8 引脚 SOP 和 MSOP 封装。APX339 为四路版本,提供 14 引脚 TSSOP 封装。它们旨在有效降低便携式消费产品的成本、占用空间和功耗。它们具有开漏输出,可通过上拉电阻连接到逻辑电源,并允许与各种逻辑系列接口。
    • 1+

      ¥2.76
    • 10+

      ¥2.46
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    • 500+

      ¥2.09
    • 1000+

      ¥2.04
  • 有货
  • 双NPN,Vceo=80V,Ic=2A
    数据手册
    • 5+

      ¥2.7614
    • 50+

      ¥2.2322
    • 150+

      ¥2.0054
    • 1000+

      ¥1.5148
  • 有货
  • 这款肖特基势垒整流器旨在满足商业应用的严格要求。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.8323
    • 50+

      ¥2.2705
    • 150+

      ¥2.0297
    • 500+

      ¥1.7293
  • 有货
  • VBR=94.4V VC=137V IPP=10.4A 单向
    数据手册
    • 1+

      ¥2.85
    • 10+

      ¥2.32
    • 30+

      ¥2.1
    • 100+

      ¥1.82
    • 500+

      ¥1.69
    • 1000+

      ¥1.62
  • 有货
  • 特性:BVCEO > 40V。 连续高电流:IC = 1A。 峰值脉冲电流:ICM = 2A。 低饱和电压:VCESAT < 500mV @ 1A。 互补PNP型。 无铅涂层,符合RoHS标准。应用:功率MOSFET栅极驱动。 低损耗功率开关
    数据手册
    • 1+

      ¥2.85
    • 10+

      ¥2.31
    • 30+

      ¥2.07
    • 100+

      ¥1.78
    • 500+

      ¥1.59
  • 有货
  • VBR=53.3V VC=77.4V IPP=19.4A 单向
    数据手册
    • 1+

      ¥2.89
    • 10+

      ¥2.33
    • 30+

      ¥2.09
    • 100+

      ¥1.79
    • 500+

      ¥1.66
    • 1000+

      ¥1.58
  • 有货
  • 该器件是CMOS集成电路,用于Fast-mode Plus (Fm+) I2C总线或SMBus应用。它可以提供低电压(低至0.6V)和高电压(2.2V至5.5V)之间的电平转换。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.21
    • 10+

      ¥2.52
    • 30+

      ¥2.23
    • 100+

      ¥1.87
    • 500+

      ¥1.62
    • 1000+

      ¥1.52
  • 有货
  • DiODEsTM AP74700G是一款符合汽车应用标准的理想二极管MOSFET控制器,当与合适的外部N沟道功率MOSFET配合使用时,它能在单向电源路径以及反向电压情况下提供正向压降仅20mV的低损耗整流器。AP74700Q支持3.2V至65V的宽输入工作范围,可控制多种常见的直流母线电压,如12V、24V或更高电压的汽车电池系统。支持3.2V输入电压满足汽车系统在严重冷启动时的需求
    数据手册
    • 1+

      ¥3.23
    • 10+

      ¥2.58
    • 30+

      ¥2.25
    • 100+

      ¥1.93
    • 500+

      ¥1.74
    • 1000+

      ¥1.64
  • 有货
  • 特性:BVCEO >-500V。 高连续电流:IC =-150mA。 峰值脉冲电流:ICM =-500mA。 无铅表面处理;符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件
    数据手册
    • 5+

      ¥3.2824
    • 50+

      ¥2.6473
    • 150+

      ¥2.3752
  • 有货
  • 该器件适用于各种开关电源及其他功率不连续导通模式(DCM)和连续导通模式(CCM)功率因数校正(PFC)应用中,作为续流和钳位二极管。它特别适用于开关模式电源(SMPS)、家用电器、办公设备和电信应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.36
    • 10+

      ¥3.04
    • 30+

      ¥2.88
    • 100+

      ¥2.72
    • 500+

      ¥2.62
    • 1000+

      ¥2.57
  • 有货
  • 这款新一代 MOSFET 的设计旨在最大限度地降低导通电阻 $(R_{DS}(on))$,同时保持卓越的开关性能,使其非常适合高效电源管理应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.4
    • 10+

      ¥2.76
    • 30+

      ¥2.43
    • 100+

      ¥2.11
    • 500+

      ¥1.92
    • 1000+

      ¥1.82
  • 有货
  • 设计用于保护敏感电子电路免受感应开关产生的电力线瞬变影响,适用于广泛的汽车应用。提供14V至36V的反向关断电压选择,有单向和双向器件可供选择,能够在10/1000μs脉冲瞬变下分别耗散高达400W(SMA)、600W(SMB)和3000W(SMC)的功率。所有器件均符合汽车负载突降标准ISO7637-2(脉冲1、2a、2b、3)和ESD标准ISO10605。
    • 1+

      ¥3.44
    • 10+

      ¥2.8
    • 30+

      ¥2.47
    • 100+

      ¥2.15
    • 500+

      ¥1.96
    • 1000+

      ¥1.86
  • 有货
  • 此MOSFET旨在最小化导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.46
    • 10+

      ¥2.74
    • 30+

      ¥2.43
    • 100+

      ¥2.05
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