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首页 > 热门关键词 > 美信功率开关芯片
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LTC4355是一款正压理想二极管“或”控制器,可驱动两个外部N沟道MOSFET。用N沟道MOSFET而非肖特基二极管构成二极管“或”电路,可降低功耗、减少散热并节省印刷电路板面积。借助LTC4355,电源可轻松实现“或”连接,从而提高整个系统的可靠性
数据手册
  • 1+

    ¥43.12
  • 10+

    ¥41.99
  • 30+

    ¥41.24
  • 有货
  • 是一款正高压理想二极管控制器,驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。在二极管或和大电流二极管应用中,可降低功耗、散热、电压损失和印刷电路板面积。能轻松实现电源“或”操作,以提高整个系统的可靠性。在二极管或应用中,控制MOSFET两端的正向压降,确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径而不产生振荡。如果电源发生故障或短路,快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。
    数据手册
    • 1+

      ¥45.09
    • 10+

      ¥43.94
    • 30+

      ¥43.17
  • 有货
    • 1+

      ¥49.42
    • 10+

      ¥48.27
    • 30+

      ¥47.5
  • 有货
    • 1+

      ¥49.42
    • 10+

      ¥48.27
    • 30+

      ¥47.5
  • 有货
  • LTC4372/LTC4373 是正高压理想二极管控制器,可驱动外部 N 沟道 MOSFET 以替代肖特基二极管。它们控制 MOSFET 两端的正向压降,即使在轻载情况下也能确保电流输送或从一条路径转移到另一条路径。5µA 的工作电流可为间歇性负载应用或始终开启的备用电源实现高效率
    • 1+

      ¥50.78
    • 10+

      ¥49.6
    • 30+

      ¥48.81
  • 有货
  • LT4320/LT4320-1是理想的二极管电桥控制器,可驱动四个N沟道MOSFET,支持典型从直流到600Hz的电压整流。通过最大化可用电压并降低功耗,理想二极管电桥简化了电源设计并降低了电源成本,尤其适用于低电压应用。理想二极管电桥还消除了热设计问题和昂贵的散热器,并大幅减少了印刷电路板面积。LT4320的内部电荷泵支持全NMOS设计,从而消除了更大且更昂贵的PMOS开关。如果电源发生故障或短路,快速关断可将反向电流瞬变降至最低。LT4320设计用于典型直流至60Hz的电压整流,而LT4320-1则设计用于典型直流至600Hz的电压整流。根据MOSFET尺寸和工作负载电流,也可以实现更高的工作频率。
    数据手册
    • 1+

      ¥54.92
    • 10+

      ¥53.69
    • 30+

      ¥52.86
  • 有货
  • LTC4376是一款7A理想二极管,在二极管“或”及大电流二极管应用中,它采用内部15mΩ N沟道MOSFET来替代肖特基二极管。LTC4376可降低功耗、减少散热并节省印刷电路板面积。LTC4376控制内部MOSFET两端的正向压降,确保即使在轻载情况下也能平稳输送电流且无振荡
    数据手册
    • 1+

      ¥67.97
    • 10+

      ¥65.83
    • 30+

      ¥62.48
  • 有货
  • LT4320/LT4320-1是理想的二极管电桥控制器,可驱动四个N沟道MOSFET,支持典型从直流到600Hz的电压整流。通过最大化可用电压并降低功耗,理想二极管电桥简化了电源设计并降低了电源成本,尤其适用于低电压应用。理想二极管电桥还消除了热设计问题和昂贵的散热器,并大幅减少了印刷电路板面积。LT4320的内部电荷泵支持全NMOS设计,从而消除了更大且更昂贵的PMOS开关。如果电源发生故障或短路,快速关断可将反向电流瞬变降至最低。LT4320设计用于典型直流至60Hz的电压整流,而LT4320-1则设计用于典型直流至600Hz的电压整流。根据MOSFET尺寸和工作负载电流,也可以实现更高的工作频率。
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    • 1+

      ¥70.26
    • 10+

      ¥59.8
    • 30+

      ¥53.43
  • 有货
  • LT4320/LT4320-1是理想的二极管电桥控制器,可驱动四个N沟道MOSFET,支持典型从直流到600Hz的电压整流。通过最大化可用电压并降低功耗,理想二极管电桥简化了电源设计并降低了电源成本,尤其适用于低电压应用。理想二极管电桥还消除了热设计问题和昂贵的散热器,并大幅减少了印刷电路板面积。LT4320的内部电荷泵支持全NMOS设计,从而消除了更大且更昂贵的PMOS开关。如果电源发生故障或短路,快速关断可将反向电流瞬变降至最低。LT4320设计用于典型直流至60Hz的电压整流,而LT4320-1则设计用于典型直流至600Hz的电压整流。根据MOSFET尺寸和工作负载电流,也可以实现更高的工作频率。
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    • 1+

      ¥74.15
    • 10+

      ¥63.76
    • 30+

      ¥57.44
  • 有货
  • LT4320/LT4320-1是理想的二极管电桥控制器,可驱动四个N沟道MOSFET,支持典型从直流到600Hz的电压整流。通过最大化可用电压并降低功耗,理想二极管电桥简化了电源设计并降低了电源成本,尤其适用于低电压应用。理想二极管电桥还消除了热设计问题和昂贵的散热器,并大幅减少了印刷电路板面积。LT4320的内部电荷泵支持全NMOS设计,从而消除了更大且更昂贵的PMOS开关。如果电源发生故障或短路,快速关断可将反向电流瞬变降至最低。LT4320设计用于典型直流至60Hz的电压整流,而LT4320-1则设计用于典型直流至600Hz的电压整流。根据MOSFET尺寸和工作负载电流,也可以实现更高的工作频率。
    数据手册
    • 1+

      ¥80.26
    • 10+

      ¥76.33
    • 30+

      ¥69.52
  • 有货
  • 是一款易于使用的谐振复位正激转换器控制器,可通过内部稳压的10V电源驱动低端N沟道MOSFET的栅极。采用占空比模式控制,使用单个电源变压器产生稳定、稳压的隔离输出。通过光耦合器(隔离)或直接布线(非隔离)添加输出电压反馈,可激活电流模式调节,提高输出精度和负载响应。用户可将开关频率编程为100kHz至500kHz,以优化效率、性能或外部组件尺寸。同步输出可用于控制次级侧同步整流,以提高效率。用户可编程保护功能包括输入电压(欠压锁定和过压锁定)和开关电流(过流限制)监测。软启动功能有助于保护变压器免受磁通饱和影响。
    数据手册
    • 1+

      ¥96.44
    • 10+

      ¥91.94
    • 30+

      ¥84.14
  • 有货
  • ADP197是一款高端负载开关,采用1.8 V至5.5 V电源供电。该负载开关可提供电池域隔离,有助于扩大电源域隔离范围。它内置一个低导通电阻N沟道MOSFET,支持3 A以上的连续电流,功率损耗极小。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.77
    • 10+

      ¥7.58
    • 30+

      ¥7.46
  • 有货
  • ADP194是一款高端负载开关,设计工作电压范围为1.1 V至3.6 V,可防止电流从输出端反向流向输入端。该负载开关能够实现电源域隔离,延长电池续航时间
    数据手册
    • 1+

      ¥15.72
    • 10+

      ¥13.41
    • 30+

      ¥11.96
  • 有货
    • 1+

      ¥16
    • 10+

      ¥15.63
    • 30+

      ¥15.38
  • 有货
  • USB限流开关,采用引脚兼容封装,单通道USB限流开关,带有故障屏蔽
    • 1+

      ¥17.99
    • 10+

      ¥17.55
    • 30+

      ¥17.26
  • 有货
  • USB限流开关,采用引脚兼容封装,单通道USB限流开关,带有故障屏蔽
    数据手册
    • 1+

      ¥18.84
    • 10+

      ¥16.08
    • 30+

      ¥14.44
  • 有货
  • 50mA至600mA、可编程限流开关,采用微小的1.4mmx1.8mmUTQFN封装
    数据手册
    • 1+

      ¥21.08
    • 10+

      ¥20.62
    • 30+

      ¥20.31
  • 有货
  • MAX14575A/MAX14575AL/MAX14575B/MAX14575C,250mA至2.5A限流范围,提供高度灵活的设计支持
    数据手册
    • 1+

      ¥23.9
    • 10+

      ¥23.34
    • 30+

      ¥22.97
  • 有货
  • 可编程电流限制开关具有内部限流功能,可防止因负载故障损坏主机设备。这些电流限制开关具有低导通电阻(典型值23mΩ),工作输入电压范围为+3.5V至+22V(MAX20333/A/B/C/D/E/F/G/H/I/J/K)或+3.3V至+22V(MAX20333L/M/N)。 该系列有三种工作模式:正常模式(NM)、高电流模式(HCM)和低功耗模式(LPM)。在NM模式下,设备提供0.2A至4.75A的可编程限流保护。通过将合适的电阻连接到SETI引脚可对限流阈值进行编程。当电流达到编程阈值时,该部件可防止电流进一步增加
    • 1+

      ¥25.06
    • 10+

      ¥24.52
    • 30+

      ¥24.15
  • 有货
  • High-Accuracy, Surge-Protected Overvoltage Protectors
    数据手册
    • 1+

      ¥31.08
    • 10+

      ¥30.35
    • 30+

      ¥29.87
  • 有货
  • LT4351利用外部单个或背对背N沟道MOSFET构建了近乎理想的二极管。这种理想二极管功能可实现多个电源的低损耗“或”操作。多个电源可以轻松地进行“或”连接,以增加系统总功率和可靠性,同时对电源电压或效率的影响降至最低
    数据手册
    • 1+

      ¥31.85
    • 10+

      ¥31.04
    • 30+

      ¥30.5
  • 有货
  • 双/四通道摄像机电源保护器、 业界唯一的ASIL级摄像机保护器,通过I2C提供诊断
    • 1+

      ¥35.83
    • 10+

      ¥35
    • 30+

      ¥34.44
  • 有货
  • IC 是 2/4 通道高边隔离/保护开关,内置限流和诊断功能。输入电源范围为 3V 至 15V,输出最高可承受 26V 电压。
    • 1+

      ¥36.28
    • 10+

      ¥35.47
    • 30+

      ¥34.93
  • 有货
  • 是一款正高压理想二极管控制器,驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。在二极管或和大电流二极管应用中,可降低功耗、散热、电压损失和印刷电路板面积。能轻松实现电源“或”操作,以提高整个系统的可靠性。在二极管或应用中,控制MOSFET两端的正向压降,确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径而不产生振荡。如果电源发生故障或短路,快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。
    数据手册
    • 1+

      ¥46.14
    • 10+

      ¥39.68
    • 30+

      ¥35.74
  • 有货
  • MAX16141/MAX16141A理想二极管控制器可为系统提供针对各种系统故障的保护,如反向电流、反向电压、过流、输入过压/欠压和过热情况。3.5V至36V的宽工作电压范围,加上5μA(典型值)的关断电流,使MAX16141/MAX16141A非常适合汽车应用。集成的电荷泵将背对背外部nFET的栅极驱动至比源极连接电压高9V(典型值),从而最大限度地降低源极和负载之间的功率损耗。快速响应比较器使MAX16141/MAX16141A能够在输入电压降至输出电压以下1μs(最大值)内阻断反向电流。RS和OUT之间的外部电流检测电阻提供过载监测功能。两个输入引脚OVSET和UVSET通过简单的电阻分压器提供设定点,以防止输入过压和欠压事件。启动期间,MAX16141/MAX16141A监测外部nFET两端的电压降(VIN - VOUT)和负载电流,以检测过流故障,确保VOUT大于0.9×VIN。启动事件完成后,MAX16141/MAX16141A即可对系统故障进行保护。在正常运行期间,一些系统会经历电源电压骤降或短暂的电源中断。为确保系统从这些中断中平稳恢复,MAX16141/MAX16141A包含一个辅助电源输入(VCC),以使关键电路保持工作。当主输入电源恢复时,MAX16141/MAX16141A以快速模式(70μs,最大值)启用栅极,为输出电容充电。两款器件均具有通过逻辑输入启用的低功耗模式。在低功耗模式下,器件允许有限的电流从源极流向负载。对于MAX16141,使用低电平有效逻辑输入SLEEP启用低功耗模式。对于MAX16141A,使用高电平有效逻辑输入(SLEEP)激活低功耗模式。其他特性包括一个内部开关,该开关在关断模式下将监测与UVSET和OVSET电阻网络隔离,有助于最大限度地降低系统功率损耗。MAX16141/MAX16141A采用4mm x 4mm x 0.75mm、16引脚TQFN封装,工作温度范围为汽车级的 -40℃至 +125℃。
    • 1+

      ¥49.09
    • 10+

      ¥47.84
    • 30+

      ¥47
  • 有货
  • LTC4412控制一个外部P沟道MOSFET,以实现近乎理想的二极管功能,用于电源切换或负载共享。这使得多个电源能够高效“或”操作,从而延长电池使用寿命并降低自身发热。导通时,MOSFET两端的压降通常为20mV
    • 单价:

      ¥50.43 / 个
  • 有货
  • 50mA/100mA限流开关,带有空载标记,μDFN封装
    数据手册
    • 1+

      ¥52.1
    • 10+

      ¥50.77
    • 30+

      ¥49.89
  • 有货
  • 开关具有内部限流功能,可防止主机设备因负载故障而损坏。这些模拟开关导通电阻低至0.7Ω,工作输入电压范围为2.3V至5.5V。它们具有50mA和100mA的限流能力,非常适合负载开关应用。当开关开启且端口连接负载时,14ms的消隐时间可确保瞬态电压稳定。如果消隐时间后负载电流超过限流值,部分型号会进入锁存关闭状态,开关关闭并向微处理器发出FLAG信号,可通过循环电源或ON引脚重新开启开关。部分型号具有自动重试功能,开关在消隐时间后关闭,并持续检查是否存在过载情况,过载消失后开关保持开启。部分型号采用节省空间的4引脚或5引脚SC70封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥52.3
    • 10+

      ¥51.08
    • 30+

      ¥50.27
  • 有货
  • 具反向输入保护功能的理想二极管控制器
    数据手册
    • 1+

      ¥55.16
    • 10+

      ¥53.86
    • 30+

      ¥53
  • 有货
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