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型号：LTC4451AV#TRPBF 编号：C3216388

封装：LQFN-16(2x3)

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4451 是一款高性能肖特基二极管替代产品，采用集成 N 沟道功率 MOSFET。它能轻松实现电源“或”功能，提高系统可靠性并防止反向导通。与肖特基二极管相比，LTC4451 将正向电压调节在 15mV，以最大限度降低功率损耗

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￥74.81
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型号：LTC4362CDCB-1#TRMPBF 编号：C688274

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4362单片过压/过流保护器保护2.5V至5.5V系统免受电源过压的影响。它专为具有多种电源选项的便携式设备设计，包括墙适配器、汽车电池适配器和USB端口。LTC4362控制与输入电源串联的内部40mΩ N沟道MOSFET。在过压瞬态期间，LTC4362在1µs内关闭MOSFET，将下游组件与输入电源隔离。在大多数应用中，LTC4362能够通过电感电缆瞬态而无需使用瞬态电压抑制器或其他外部组件。内部电流检测电阻用于实现过流保护。LTC4362在插电时具有延迟启动，并且具有受控的dV/dt斜坡上升以限制浪涌电流。PWRGD引脚提供VIN的电源监控。LTC4362具有由ON引脚控制的软关断功能，并可驱动一个可选的外部P沟道MOSFET以实现负电压保护。在过压条件之后，LTC4362会自动重启并有130ms的延迟。在过流故障后，LTC4362-1保持关闭状态，而LTC4362-2会在130ms延迟后自动重启。

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型号：MAX14699EWC+T 编号：C2156270

封装：WLP-12

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

High-Accuracy, Surge-Protected Overvoltage Protectors

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型号：LTC4358CDE#PBF 编号：C688225

封装：DFN-14-EP(3x4)

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4358是一款5A理想二极管，在二极管“或”和大电流二极管应用中，它使用内部20mΩ的N沟道MOSFET来替代肖特基二极管。LTC4358可降低功耗、减少散热并节省印刷电路板面积。LTC4358能轻松将多个电源进行“或”操作，以提高整个系统的可靠性

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型号：MAX4995BAUT+T 编号：C2155763

封装：SOT-23-6

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

50mA至600mA、可编程限流开关,采用微小的1.4mmx1.8mmUTQFN封装

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型号：MAX16141AAF/V+T 编号：C2653673

封装：TQFN-16-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

3.5V至36V理想二极管控制器，带有电压和电流断路器、防止汽车电源受反向电流条件损害，以及下游负载受高电压/电流瞬态损害

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型号：LTC4354IS8#PBF 编号：C688200

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

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型号：LTC4355CMS#PBF 编号：C688204

封装：MSOP-16

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4355是一款正压理想二极管“或”控制器，可驱动两个外部N沟道MOSFET。用N沟道MOSFET而非肖特基二极管构成二极管“或”电路，可降低功耗、减少散热并节省印刷电路板面积。借助LTC4355，电源可轻松实现“或”连接，从而提高整个系统的可靠性

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型号：LTC4412ES6#WTRMPBF 编号：C3236178

封装：TSOT-23-6

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4412控制一个外部P沟道MOSFET，以实现近乎理想的二极管功能，用于电源切换或负载共享。这使得多个电源能够高效“或”操作，从而延长电池使用寿命并降低自身发热。导通时，MOSFET两端的压降通常为20mV

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型号：LT4320IMSE#TRPBF 编号：C672465

封装：MSOP-12-EP-0.65mm

品牌：ADI(亚德诺)

LT4320/LT4320-1是理想的二极管电桥控制器，可驱动四个N沟道MOSFET，支持典型从直流到600Hz的电压整流。通过最大化可用电压并降低功耗，理想二极管电桥简化了电源设计并降低了电源成本，尤其适用于低电压应用。理想二极管电桥还消除了热设计问题和昂贵的散热器，并大幅减少了印刷电路板面积。LT4320的内部电荷泵支持全NMOS设计，从而消除了更大且更昂贵的PMOS开关。如果电源发生故障或短路，快速关断可将反向电流瞬变降至最低。LT4320设计用于典型直流至60Hz的电压整流，而LT4320-1则设计用于典型直流至600Hz的电压整流。根据MOSFET尺寸和工作负载电流，也可以实现更高的工作频率。

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型号：LTC4372HDD#PBF 编号：C3229231

封装：DFN-8(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4372/LTC4373 是正高压理想二极管控制器，可驱动外部 N 沟道 MOSFET 以替代肖特基二极管。它们控制 MOSFET 两端的正向压降，即使在轻载情况下也能确保电流输送或从一条路径转移到另一条路径。5µA 的工作电流可为间歇性负载应用或始终开启的备用电源实现高效率

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型号：LTC4352HMS#PBF 编号：C688180

封装：MSOP-12-0.65mm

品牌：ADI(亚德诺)

创建接近理想的二极管，使用外部 N 沟道 MOSFET。取代高功率肖特基二极管和相关散热器，节省功率和电路板面积。理想二极管功能允许低损耗功率 OR 操作和电源保持应用。调节 MOSFET 两端的正向压降，确保在二极管 OR 应用中实现平滑的电流转移

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型号：LT4320HMSE#PBF 编号：C672455

封装：MSOP-12-EP-0.65mm

品牌：ADI(亚德诺)

LT4320/LT4320-1是理想的二极管电桥控制器，可驱动四个N沟道MOSFET，支持典型从直流到600Hz的电压整流。通过最大化可用电压并降低功耗，理想二极管电桥简化了电源设计并降低了电源成本，尤其适用于低电压应用。理想二极管电桥还消除了热设计问题和昂贵的散热器，并大幅减少了印刷电路板面积。LT4320的内部电荷泵支持全NMOS设计，从而消除了更大且更昂贵的PMOS开关。如果电源发生故障或短路，快速关断可将反向电流瞬变降至最低。LT4320设计用于典型直流至60Hz的电压整流，而LT4320-1则设计用于典型直流至600Hz的电压整流。根据MOSFET尺寸和工作负载电流，也可以实现更高的工作频率。

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型号：LTC4372CDD#TRPBF 编号：C3229230

封装：DFN-8(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

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￥82.24
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型号：LTC4376IDHD#TRPBF 编号：C688423

封装：DFN-16-EP(4x5)

品牌：ADI(亚德诺)

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型号：LTC4370CDE#PBF 编号：C688404

封装：DFN-16-EP(3x4)

品牌：ADI(亚德诺)

该产品是一个双电源电流共享控制器，集成了MOSFET理想二极管。在启动和故障条件下，二极管可阻止反向和直通电流。通过调整其正向电压，可在电源之间共享负载电流。与其他共享方法不同，既不需要共享总线，也不需要电源上的微调引脚

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型号：LTC4417CGN#PBF 编号：C688500

封装：SSOP-24-150mil

品牌：ADI(亚德诺)

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型号：ADP1290ACBZ-R7 编号：C658739

封装：WLCSP-6(1x1.4)

品牌：ADI(亚德诺)

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型号：MAX4829ELT+T 编号：C17184632

封装：UDFN-6(1x1.5)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

MAX4826 - MAX4831 是正向/反向限流开关，工作输入电压范围为 +2.3V 至 +5.5V，针对不同选项可保证 50mA 和 100mA 的最小限流阈值。

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型号：LTC4359HDCB#TRMPBF 编号：C580867

封装：DFN-6-EP(2x3)

品牌：ADI(亚德诺)

具反向输入保护功能的理想二极管控制器

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￥22.61
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型号：MAX4866LELT+T 编号：C7454223

封装：UDFN-6(2x2)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

过压保护控制器可保护低压系统免受高达 +28V 的高压故障和低至 -28V 的负电压影响。这些设备驱动低成本互补 MOSFET。如果输入电压超过过压阈值，这些设备会关闭 n 沟道 MOSFET，以防止受保护组件损坏。如果输入电压降至地以下，设备会关闭 p 沟道 MOSFET，以防止受保护组件损坏

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￥28.7
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￥28.25

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型号：MAX6496ATA+T 编号：C2682644

封装：TQFN-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

72V、过压保护开关/限幅控制器，外置MOSFET

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￥30.14
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￥26.12
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￥23.73

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型号：MAX1823BEUB+T 编号：C2155982

封装：MSOP-10

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

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￥35.24
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￥34.42
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型号：MAX4789EUK+T 编号：C2653860

封装：SOT-23-5

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

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￥38.63
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￥38.01

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型号：LTC4416EMS-1#TRPBF 编号：C688496

封装：MSOP-10

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4416/LTC4416 - 1可控制两组外部P沟道MOSFET，为电源切换电路构建两个近乎理想的二极管功能。这使得多个电源能高效“或”操作，从而延长电池寿命并降低自身发热。导通时，MOSFET两端的压降通常为25mV

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￥42.21
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￥36.47
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￥32.98

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型号：LTC4415IDHC#PBF 编号：C688492

封装：DFN-16-EP(3x5)

品牌：ADI(亚德诺)

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￥51.42
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￥50.27
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￥49.5

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型号：LTC4415IDHC#TRPBF 编号：C688493

封装：DFN-16-EP(3x5)

品牌：ADI(亚德诺)

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1+
￥51.42
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￥50.27
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￥49.5

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型号：MAX4788EXS+T 编号：C2155887

封装：SC-70-4

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

开关具有内部限流功能，可防止主机设备因负载故障而损坏。这些模拟开关导通电阻低至0.7Ω，工作输入电压范围为2.3V至5.5V。它们具有50mA和100mA的限流能力，非常适合负载开关应用。当开关开启且端口连接负载时，14ms的消隐时间可确保瞬态电压稳定。如果消隐时间后负载电流超过限流值，部分型号会进入锁存关闭状态，开关关闭并向微处理器发出FLAG信号，可通过循环电源或ON引脚重新开启开关。部分型号具有自动重试功能，开关在消隐时间后关闭，并持续检查是否存在过载情况，过载消失后开关保持开启。部分型号采用节省空间的4引脚或5引脚SC70封装。

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￥52.38

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型号：MAX6397LATA+T 编号：C2073273

封装：TDFN-8-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

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￥61.58
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￥60.19
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￥59.26

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型号：LTC4376CDHD#PBF 编号：C688419

封装：DFN-16-EP(4x5)

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4376是一款7A理想二极管，在二极管“或”及大电流二极管应用中，它采用内部15mΩ N沟道MOSFET来替代肖特基二极管。LTC4376可降低功耗、减少散热并节省印刷电路板面积。LTC4376控制内部MOSFET两端的正向压降，确保即使在轻载情况下也能平稳输送电流且无振荡

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