美信功率开关芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：LTC4359HMS8#WTRPBF 编号：C688240

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

具反向输入保护功能的理想二极管控制器

数据手册

1+
￥20.85
10+
￥20.37
30+
￥20.04

有货

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型号：LTC4359HDCB#TRMPBF 编号：C580867

封装：DFN-6-EP(2x3)

品牌：ADI(亚德诺)

具反向输入保护功能的理想二极管控制器

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1+
￥20.85
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￥20.37
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型号：LTC4362CDCB-1#TRMPBF 编号：C688274

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4362单片过压/过流保护器保护2.5V至5.5V系统免受电源过压的影响。它专为具有多种电源选项的便携式设备设计，包括墙适配器、汽车电池适配器和USB端口。LTC4362控制与输入电源串联的内部40mΩ N沟道MOSFET。在过压瞬态期间，LTC4362在1µs内关闭MOSFET，将下游组件与输入电源隔离。在大多数应用中，LTC4362能够通过电感电缆瞬态而无需使用瞬态电压抑制器或其他外部组件。内部电流检测电阻用于实现过流保护。LTC4362在插电时具有延迟启动，并且具有受控的dV/dt斜坡上升以限制浪涌电流。PWRGD引脚提供VIN的电源监控。LTC4362具有由ON引脚控制的软关断功能，并可驱动一个可选的外部P沟道MOSFET以实现负电压保护。在过压条件之后，LTC4362会自动重启并有130ms的延迟。在过流故障后，LTC4362-1保持关闭状态，而LTC4362-2会在130ms延迟后自动重启。

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1+
￥23.75
10+
￥23.17
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￥22.79

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型号：MAX6496ATA+T 编号：C2682644

封装：TQFN-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

72V、过压保护开关/限幅控制器，外置MOSFET

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1+
￥29.39
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￥25.37
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￥22.98

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型号：LTC4357CDCB#TRPBF 编号：C688217

封装：DFN-6-EP(2x3)

品牌：ADI(亚德诺)

是一款正高压理想二极管控制器，驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。在二极管或和大电流二极管应用中，可降低功耗、散热、电压损失和印刷电路板面积。能轻松实现电源“或”操作，以提高整个系统的可靠性。在二极管或应用中，控制MOSFET两端的正向压降，确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径而不产生振荡。如果电源发生故障或短路，快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。

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1+
￥38.79
10+
￥33.57
30+
￥28.85

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型号：MAX17615ATB+ 编号：C17246584

封装：TDFN-10(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

特性：强大的保护功能，减少系统停机时间。宽输入电源范围：4.25V 至 60V。热插拔耐受，在高达 35V 输入电源下无需 TVS。应用：传感器系统

单价：
￥39.55 / 个

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型号：LTC4416IMS#TRPBF 编号：C688497

封装：MSOP-10

品牌：ADI(亚德诺)

用于大 PFET 的 36V、低损耗、双通道、PowerPath 控制器

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1+
￥39.85
10+
￥34.38
30+
￥29.38

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型号：LTC4372HMS8#PBF 编号：C3231452

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

正向高压理想二极管控制器驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。控制MOSFET两端的正向压降，以确保即使在轻负载下也能实现电流传输或从一条路径到另一条路径的电流转移。5µA的工作电流可为间歇性负载应用或始终开启的备用电源实现高效率。如果电源发生故障或短路，快速关断可将反向电流瞬变降至最低。控制背对背N沟道MOSFET以实现浪涌电流控制和负载切换。SHDN引脚可使MOSFET保持关断状态，并将静态电流降至3.5µA。具有UV引脚用于欠压监测，而UVOUT引脚提供迟滞调整和状态信息。在欠压期间，背对背MOSFET会被切断，静态电流降至0.5µA。

1+
￥83.04
10+
￥79.16
30+
￥72.45

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型号：LTC4370CDE#PBF 编号：C688404

封装：DFN-16-EP(3x4)

品牌：ADI(亚德诺)

该产品是一个双电源电流共享控制器，集成了MOSFET理想二极管。在启动和故障条件下，二极管可阻止反向和直通电流。通过调整其正向电压，可在电源之间共享负载电流。与其他共享方法不同，既不需要共享总线，也不需要电源上的微调引脚

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1+
￥97
10+
￥92.29
30+
￥84.12

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型号：LTC4370IDE#TRPBF 编号：C688408

封装：DFN-16-EP(3x4)

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4370是一款双电源均流控制器，集成了MOSFET理想二极管。这些二极管可在启动和故障情况下阻断反向电流和直通电流。其正向电压经过调整，可实现电源之间的负载电流共享

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1+
￥122.14
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￥119.61

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型号：ADP199ACBZ-R7 编号：C659032

封装：WLCSP-4(0.7x0.7)

品牌：ADI(亚德诺)

ADP199是一款高端负载开关，设计工作电压范围为0.9 V至3.6 V。负载开关可实现电源域隔离，有助于使子系统相互隔离并独立供电，从而降低功耗。ADP199内置低导通电阻的N沟道MOSFET，可将功率损耗降至最低，支持超过500 mA的连续负载电流

1+
￥11.03
10+
￥10.78
30+
￥10.61
100+
￥10.44

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型号：LTC4352IMS#TRPBF 编号：C688185

封装：MSOP-12-0.65mm

品牌：ADI(亚德诺)

具监视功能的低电压理想二极管控制器

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1+
￥29.02
10+
￥28.37
30+
￥26.62

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型号：MAX4794EUS+T 编号：C5289034

封装：SOT-143-4

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

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1+
￥30.4
10+
￥29.69
30+
￥29.21

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型号：LTC4352IMS#PBF 编号：C688184

封装：MSOP-12-0.65mm

品牌：ADI(亚德诺)

具监视功能的低电压理想二极管控制器

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1+
￥30.47
10+
￥29.76
30+
￥29.28

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型号：MAX14914ATE+T 编号：C778249

封装：TQFN-16-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

具有可设置限流、推挽驱动器选项和数字输入配置的高侧开关

1+
￥35.18
10+
￥34.35
30+
￥33.79

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型号：LT4321IUF#PBF 编号：C580182

封装：QFN-16-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)

LT4321是一款双理想二极管电桥控制器，可使以太网供电（PoE）受电设备（PD）通过RJ - 45数据对、备用线对或两者同时接收任意极性的电压供电。LT4321与八个N沟道MOSFET可替代无源PoE整流桥中的八个二极管。LT4321简化了热设计并提高了供电功率

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1+
￥35.43
10+
￥30.47
30+
￥27.44

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型号：LTC4358CDE#PBF 编号：C688225

封装：DFN-14-EP(3x4)

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4358是一款5A理想二极管，在二极管“或”和大电流二极管应用中，它使用内部20mΩ的N沟道MOSFET来替代肖特基二极管。LTC4358可降低功耗、减少散热并节省印刷电路板面积。LTC4358能轻松将多个电源进行“或”操作，以提高整个系统的可靠性

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1+
￥40.33
10+
￥38.35

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型号：LTC4416EMS-1#TRPBF 编号：C688496

封装：MSOP-10

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4416/LTC4416 - 1可控制两组外部P沟道MOSFET，为电源切换电路构建两个近乎理想的二极管功能。这使得多个电源能高效“或”操作，从而延长电池寿命并降低自身发热。导通时，MOSFET两端的压降通常为25mV

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1+
￥40.96
10+
￥35.23
30+
￥31.73

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型号：MAX16141AAF/V+T 编号：C2653673

封装：TQFN-16-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

3.5V至36V理想二极管控制器，带有电压和电流断路器、防止汽车电源受反向电流条件损害，以及下游负载受高电压/电流瞬态损害

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1+
￥42.63
10+
￥41.63
30+
￥40.97

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型号：LTC4354IS8#PBF 编号：C688200

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

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1+
￥45.73
10+
￥44.6
30+
￥43.85

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型号：LTC4352CDD#TRPBF 编号：C688175

封装：DFN-12(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

创建接近理想的二极管，使用外部 N 沟道 MOSFET。取代高功率肖特基二极管和相关散热器，节省功率和电路板面积。理想二极管功能允许低损耗功率 OR 操作和电源保持应用。调节 MOSFET 两端的正向压降，确保在二极管 OR 应用中实现平滑的电流转移

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1+
￥48.6
10+
￥47.44
30+
￥46.68

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型号：LTC4417IGN#TRPBF 编号：C688509

封装：SSOP-24-150mil

品牌：ADI(亚德诺)

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1+
￥72.42
10+
￥62.04
30+
￥55.71

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型号：LT4320IDD#PBF 编号：C672461

封装：DFN-8-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

LT4320/LT4320-1是理想的二极管电桥控制器，可驱动四个N沟道MOSFET，支持典型从直流到600Hz的电压整流。通过最大化可用电压并降低功耗，理想二极管电桥简化了电源设计并降低了电源成本，尤其适用于低电压应用。理想二极管电桥还消除了热设计问题和昂贵的散热器，并大幅减少了印刷电路板面积。LT4320的内部电荷泵支持全NMOS设计，从而消除了更大且更昂贵的PMOS开关。如果电源发生故障或短路，快速关断可将反向电流瞬变降至最低。LT4320设计用于典型直流至60Hz的电压整流，而LT4320-1则设计用于典型直流至600Hz的电压整流。根据MOSFET尺寸和工作负载电流，也可以实现更高的工作频率。

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1+
￥74.99
10+
￥64.24
30+
￥57.69

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型号：MAX14915AFM+ 编号：C1556660

封装：QFN-48-EP(6x6)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

紧凑型工业八路高边开关，带诊断功能

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1+
￥100.67
10+
￥98.38

有货

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型号：MAX1922ESA+T 编号：C2150290

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

MAX1922 P沟道MOSFET功率开关将输出电流限制在最小值1.4A和最大值2.1A。当输出电流增加超过电流限制（ILIMIT）时，流经复制开关的电流（IOUT / 13000）也会增加。

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单价：
￥10.54 / 个

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型号：MAX20313EWC+T 编号：C2653863

封装：WLP-12(1.65x1.45)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

500mA至6A可调限流开关

1+
￥18.04
10+
￥17.58
30+
￥17.27

有货

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型号：MAX4829ELT+T 编号：C17184632

封装：UDFN-6(1x1.5)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

MAX4826 - MAX4831 是正向/反向限流开关，工作输入电压范围为 +2.3V 至 +5.5V，针对不同选项可保证 50mA 和 100mA 的最小限流阈值。

1+
￥18.33
10+
￥17.92
30+
￥17.65

有货

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型号：MAX17608ATC+T 编号：C2155884

封装：TDFN-12-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

4.5V至60V、1A、OV/UV/反向电压保护器，带正向/反向限流、业界集成度最高的OCP和OVP方案，可靠阻止反向电流

数据手册

1+
￥31.61
10+
￥27.05
30+
￥24.34

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型号：MAX16163ANT0D+ 编号：C7455948

封装：WLP-6(1.1x1.5)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

MAX16163和MAX16164是具有可编程休眠时间的微功耗开/关控制器。这些器件集成了一个电源开关来控制输出，可提供高达200mA的负载电流。 MAX16163/MAX16164可使用外部电阻来编程休眠时间，也可通过I2C总线对休眠时间进行编程。当器件上电时，它会检查PB/SLP引脚的连接情况；如果PB/SLP引脚与地之间的电阻大于5.5MΩ，则器件配置为I2C可编程模式。否则，器件配置为电阻可编程模式。当MAX16163上电时，它会测量PB/SLP引脚与地之间的电阻，并适当设置休眠时间。然后使能OUT输出。当下游设备（如微控制器）完成其任务时，它会在CLRB引脚上产生一个下降沿；随后MAX16163会禁用OUT输出，休眠定时器开始计时。当休眠定时器计时结束时，MAX16163会再次使能OUT输出。当MAX16164上电时，它会测量PB/SLP引脚与地之间的电阻，并适当设置休眠时间。然后保持OUT输出禁用，并使器件进入关断状态。直到PB/SLP引脚上的按钮闭合，MAX16164才会使能OUT输出。 MAX16163/MAX164的工作温度范围为-40°C至+125°C，提供1.54mm × 1.11mm、6凸点薄晶圆级封装（WLP）和6引脚ADFN封装。

1+
￥39.18
10+
￥38.15
30+
￥37.46

有货

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型号：LTC4359IDCB#TRPBF 编号：C688241

封装：DFN-6-EP(2x3)

品牌：ADI(亚德诺)

具反向输入保护功能的理想二极管控制器

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1+
￥39.55
10+
￥34.01
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