美信功率开关芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：LTC4416EMS-1#PBF 编号：C688495

封装：MSOP-10

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4416/LTC4416 - 1可控制两组外部P沟道MOSFET，为电源切换电路构建两个近乎理想的二极管功能。这使得多个电源能高效“或”操作，从而延长电池寿命并降低自身发热。导通时，MOSFET两端的压降通常为25mV

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1+
￥44.3352 ￥52.78
10+
￥38.5224 ￥45.86
50+
￥34.9776 ￥41.64
100+
￥32.004 ￥38.1

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型号：MAX1607ESA+ 编号：C1556569

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

USB限流开关，采用引脚兼容封装,单通道USB限流开关，带有故障屏蔽

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1+
￥17.526 ￥19.05
10+
￥14.9868 ￥16.29
30+
￥13.478 ￥14.65
100+
￥11.9508 ￥12.99
500+
￥11.2516 ￥12.23
1000+
￥10.9296 ￥11.88

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型号：ADP198ACPZ-R7 编号：C659031

封装：LFCSP-8(2x2)

品牌：ADI(亚德诺)

采用反向电流阻挡的1 A逻辑控制型高端负载开关

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1+
￥17.85
10+
￥15.16
30+
￥13.47

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型号：LTC4357CMS8#PBF 编号：C107961

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

是一款正高压理想二极管控制器，驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。在二极管或和大电流二极管应用中，可降低功耗、散热、电压损失和印刷电路板面积。能轻松实现电源“或”操作，以提高整个系统的可靠性。在二极管或应用中，控制MOSFET两端的正向压降，确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径而不产生振荡。如果电源发生故障或短路，快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。

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1+
￥29.86
10+
￥25.62
50+
￥23.1

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型号：LTC4357IMS8#PBF 编号：C580864

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

是一款正高压理想二极管控制器，驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。在二极管或和大电流二极管应用中，可降低功耗、散热、电压损失和印刷电路板面积。能轻松实现电源“或”操作，以提高整个系统的可靠性。在二极管或应用中，控制MOSFET两端的正向压降，确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径而不产生振荡。如果电源发生故障或短路，快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。

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1+
￥32.82
10+
￥28.28
50+
￥25.58

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型号：LTC4357CDCB#TRPBF 编号：C688217

封装：DFN-6-EP(2x3)

品牌：ADI(亚德诺)

是一款正高压理想二极管控制器，驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。在二极管或和大电流二极管应用中，可降低功耗、散热、电压损失和印刷电路板面积。能轻松实现电源“或”操作，以提高整个系统的可靠性。在二极管或应用中，控制MOSFET两端的正向压降，确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径而不产生振荡。如果电源发生故障或短路，快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。

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1+
￥35.1296 ￥39.92
10+
￥30.536 ￥34.7
30+
￥26.3824 ￥29.98
100+
￥24.0328 ￥27.31

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型号：LTC4352CDD#TRPBF 编号：C688175

封装：DFN-12(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

创建接近理想的二极管，使用外部 N 沟道 MOSFET。取代高功率肖特基二极管和相关散热器，节省功率和电路板面积。理想二极管功能允许低损耗功率 OR 操作和电源保持应用。调节 MOSFET 两端的正向压降，确保在二极管 OR 应用中实现平滑的电流转移

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1+
￥44.0544 ￥45.89
10+
￥42.9504 ￥44.74
30+
￥42.2112 ￥43.97
100+
￥41.472 ￥43.2

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型号：LTC4355IDE#PBF 编号：C688210

封装：DFN-14-EP(3x4)

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4355是一款正压理想二极管“或”控制器，可驱动两个外部N沟道MOSFET。用N沟道MOSFET而非肖特基二极管构成二极管“或”电路，可降低功耗、减少散热并节省印刷电路板面积。借助LTC4355，电源可轻松实现“或”连接，从而提高整个系统的可靠性

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1+
￥56.9
10+
￥48.94
30+
￥44.09

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型号：ADP197ACBZ-R7 编号：C659027

封装：WLCSP-6(1x1.4)

品牌：ADI(亚德诺)

ADP197是一款高端负载开关，采用1.8 V至5.5 V电源供电。该负载开关可提供电池域隔离，有助于扩大电源域隔离范围。它内置一个低导通电阻N沟道MOSFET，支持3 A以上的连续电流，功率损耗极小。

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1+
￥7.3563 ￥7.91
10+
￥7.1796 ￥7.72
30+
￥7.0587 ￥7.59
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￥6.9471 ￥7.47

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型号：ADP199ACBZ-R7 编号：C659032

封装：WLCSP-4(0.7x0.7)

品牌：ADI(亚德诺)

ADP199是一款高端负载开关，设计工作电压范围为0.9 V至3.6 V。负载开关可实现电源域隔离，有助于使子系统相互隔离并独立供电，从而降低功耗。ADP199内置低导通电阻的N沟道MOSFET，可将功率损耗降至最低，支持超过500 mA的连续负载电流

1+
￥9.8256 ￥11.04
10+
￥9.5942 ￥10.78
30+
￥9.4429 ￥10.61
100+
￥9.2916 ￥10.44

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型号：LTC4357HDCB#TRPBF 编号：C688219

封装：DFN-6-EP(2x3)

品牌：ADI(亚德诺)

是一款正高压理想二极管控制器，驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。在二极管或和大电流二极管应用中，可降低功耗、散热、电压损失和印刷电路板面积。能轻松实现电源“或”操作，以提高整个系统的可靠性。在二极管或应用中，控制MOSFET两端的正向压降，确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径而不产生振荡。如果电源发生故障或短路，快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。

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1+
￥32.121 ￥37.35
10+
￥27.7608 ￥32.28
30+
￥25.0948 ￥29.18
100+
￥22.8674 ￥26.59

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型号：LTC4357IDCB#TRMPBF 编号：C580863

封装：DFN-6-EP(2x3)

品牌：ADI(亚德诺)

是一款正高压理想二极管控制器，驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。在二极管或和大电流二极管应用中，可降低功耗、散热、电压损失和印刷电路板面积。能轻松实现电源“或”操作，以提高整个系统的可靠性。在二极管或应用中，控制MOSFET两端的正向压降，确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径而不产生振荡。如果电源发生故障或短路，快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。

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1+
￥34.14
10+
￥29.31
30+
￥26.44

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型号：LTC4359HS8#PBF 编号：C1523986

封装：SO-8

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4359是一款正高压理想二极管控制器，可驱动外部N沟道MOSFET来替代肖特基二极管。它控制MOSFET两端的正向压降，确保即使在轻负载情况下也能平稳输送电流且无振荡。若电源出现故障或短路，快速关断功能可将反向电流瞬变降至最低

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1+
￥64.19
10+
￥55.37
30+
￥49.99

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型号：LT4320HDD-1#PBF 编号：C672453

封装：DFN-8-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)

LT4320/LT4320-1是理想的二极管电桥控制器，可驱动四个N沟道MOSFET，支持典型从直流到600Hz的电压整流。通过最大化可用电压并降低功耗，理想二极管电桥简化了电源设计并降低了电源成本，尤其适用于低电压应用。理想二极管电桥还消除了热设计问题和昂贵的散热器，并大幅减少了印刷电路板面积。LT4320的内部电荷泵支持全NMOS设计，从而消除了更大且更昂贵的PMOS开关。如果电源发生故障或短路，快速关断可将反向电流瞬变降至最低。LT4320设计用于典型直流至60Hz的电压整流，而LT4320-1则设计用于典型直流至600Hz的电压整流。根据MOSFET尺寸和工作负载电流，也可以实现更高的工作频率。

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1+
￥65.704 ￥76.4
10+
￥56.7686 ￥66.01
30+
￥51.3334 ￥59.69
100+
￥46.7668 ￥54.38

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型号：LTC4355IS#PBF 编号：C688214

封装：SO-16

品牌：ADI(亚德诺)

具输入电源和熔丝监视器的正高电压理想二极管“或”控制器

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1+
￥73.93
10+
￥64.01
30+
￥57.96

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型号：LTC4415IMSE#PBF 编号：C580903

封装：MSOP-16-EP

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4415包含两个单片式PowerPath理想二极管，每个二极管能够提供高达4A的电流，典型正向导通电阻为50mΩ。在低电流正向导通期间，二极管压降被调节至15mV，这扩展了电源工作范围，并确保在电源切换期间不会出现振荡。从输出端（OUT）到输入端（IN）的反向电流小于1A，这使得该器件非常适合用于电源“或”应用

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1+
￥74.1
10+
￥64.03
30+
￥57.9

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型号：LTC4372HMS8#PBF 编号：C3231452

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

正向高压理想二极管控制器驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。控制MOSFET两端的正向压降，以确保即使在轻负载下也能实现电流传输或从一条路径到另一条路径的电流转移。5µA的工作电流可为间歇性负载应用或始终开启的备用电源实现高效率。如果电源发生故障或短路，快速关断可将反向电流瞬变降至最低。控制背对背N沟道MOSFET以实现浪涌电流控制和负载切换。SHDN引脚可使MOSFET保持关断状态，并将静态电流降至3.5µA。具有UV引脚用于欠压监测，而UVOUT引脚提供迟滞调整和状态信息。在欠压期间，背对背MOSFET会被切断，静态电流降至0.5µA。

1+
￥82.71
10+
￥71.28
30+
￥64.31

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型号：ADP194ACBZ-R7 编号：C659020

封装：WLCSP-4(0.7x0.7)

品牌：ADI(亚德诺)

ADP194是一款高端负载开关，设计工作电压范围为1.1 V至3.6 V，可防止电流从输出端反向流向输入端。该负载开关能够实现电源域隔离，延长电池续航时间

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1+
￥13.0491 ￥16.11
10+
￥11.1699 ￥13.79
30+
￥10.0035 ￥12.35
100+
￥8.7966 ￥10.86
500+
￥8.2539 ￥10.19
1000+
￥8.019 ￥9.9

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型号：MAX1607ESA+T 编号：C3235376

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

USB限流开关，采用引脚兼容封装,单通道USB限流开关，带有故障屏蔽

1+
￥16.6786 ￥18.74
10+
￥16.2959 ￥18.31
30+
￥16.0378 ￥18.02
100+
￥15.7797 ￥17.73

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型号：MAX20313EWC+T 编号：C2653863

封装：WLP-12(1.65x1.45)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

500mA至6A可调限流开关

1+
￥17.4393 ￥21.53
10+
￥17.0667 ￥21.07
30+
￥16.8156 ￥20.76
100+
￥16.5726 ￥20.46

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型号：MAX4995CAVB+T 编号：C2155769

封装：UQFN-10(1.4x1.8)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

50mA至600mA、可编程限流开关,采用微小的1.4mmx1.8mmUTQFN封装

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1+
￥17.504 ￥21.88
10+
￥17.136 ￥21.42
30+
￥16.888 ￥21.11
100+
￥16.64 ￥20.8

有货

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型号：MAX20086ATPA/VY+ 编号：C3216883

封装：TQFN-20-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

双/四通道摄像机电源保护器、业界唯一的ASIL级摄像机保护器，通过I2C提供诊断

1+
￥29.2
10+
￥25.18
30+
￥22.79

有货

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型号：LT4351IMS#TRPBF 编号：C672479

封装：MSOP-10

品牌：ADI(亚德诺)

LT4351利用外部单个或背对背N沟道MOSFET构建了近乎理想的二极管。这种理想二极管功能可实现多个电源的低损耗“或”操作。多个电源可以轻松地进行“或”连接，以增加系统总功率和可靠性，同时对电源电压或效率的影响降至最低

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1+
￥30.9225 ￥33.25
10+
￥30.1692 ￥32.44
30+
￥29.667 ￥31.9
100+
￥29.1648 ￥31.36

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型号：LTC4357IDCB#TRPBF 编号：C688222

封装：DFN-6-EP(2x3)

品牌：ADI(亚德诺)

是一款正高压理想二极管控制器，驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。在二极管或和大电流二极管应用中，可降低功耗、散热、电压损失和印刷电路板面积。能轻松实现电源“或”操作，以提高整个系统的可靠性。在二极管或应用中，控制MOSFET两端的正向压降，确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径而不产生振荡。如果电源发生故障或短路，快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。

数据手册

1+
￥40.8844 ￥47.54
10+
￥35.3288 ￥41.08
30+
￥31.9404 ￥37.14
100+
￥29.1024 ￥33.84

有货

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型号：LTC4416IMS-1#TRPBF 编号：C688499

封装：MSOP-10

品牌：ADI(亚德诺)

用于大 PFET 的 36V、低损耗、双通道、PowerPath 控制器

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1+
￥41.75
10+
￥36.01
30+
￥32.52

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型号：LTC4414IMS8#TRPBF 编号：C688489

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

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1+
￥46.75
10+
￥45.65
30+
￥44.92

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型号：MAX16141ADF/V+T 编号：C23785669

封装：TQFN-16-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

MAX16141/MAX16141A理想二极管控制器可为系统提供针对各种系统故障的保护，如反向电流、反向电压、过流、输入过压/欠压和过热情况。3.5V至36V的宽工作电压范围，加上5μA（典型值）的关断电流，使MAX16141/MAX16141A非常适合汽车应用。集成的电荷泵将背对背外部nFET的栅极驱动至比源极连接电压高9V（典型值），从而最大限度地降低源极和负载之间的功率损耗。快速响应比较器使MAX16141/MAX16141A能够在输入电压降至输出电压以下1μs（最大值）内阻断反向电流。RS和OUT之间的外部电流检测电阻提供过载监测功能。两个输入引脚OVSET和UVSET通过简单的电阻分压器提供设定点，以防止输入过压和欠压事件。启动期间，MAX16141/MAX16141A监测外部nFET两端的电压降（VIN - VOUT）和负载电流，以检测过流故障，确保VOUT大于0.9×VIN。启动事件完成后，MAX16141/MAX16141A即可对系统故障进行保护。在正常运行期间，一些系统会经历电源电压骤降或短暂的电源中断。为确保系统从这些中断中平稳恢复，MAX16141/MAX16141A包含一个辅助电源输入（VCC），以使关键电路保持工作。当主输入电源恢复时，MAX16141/MAX16141A以快速模式（70μs，最大值）启用栅极，为输出电容充电。两款器件均具有通过逻辑输入启用的低功耗模式。在低功耗模式下，器件允许有限的电流从源极流向负载。对于MAX16141，使用低电平有效逻辑输入SLEEP启用低功耗模式。对于MAX16141A，使用高电平有效逻辑输入（SLEEP）激活低功耗模式。其他特性包括一个内部开关，该开关在关断模式下将监测与UVSET和OVSET电阻网络隔离，有助于最大限度地降低系统功率损耗。MAX16141/MAX16141A采用4mm x 4mm x 0.75mm、16引脚TQFN封装，工作温度范围为汽车级的 -40℃至 +125℃。

1+
￥48.1938 ￥51.27
10+
￥47.0188 ￥50.02
30+
￥46.2292 ￥49.18
100+
￥45.449 ￥48.35

有货

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型号：LTC4416IMS#PBF 编号：C580906

封装：MSOP-10

品牌：ADI(亚德诺)

用于大 PFET 的 36V、低损耗、双通道、PowerPath 控制器

数据手册

1+
￥51.82
10+
￥45.18
30+
￥37.96

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型号：LTC4415EMSE#TRPBF 编号：C580902

封装：MSOP-16-EP

品牌：ADI(亚德诺)

LTC4415包含两个单片式PowerPath理想二极管，每个二极管能够提供高达4A的电流，典型正向导通电阻为50mΩ。在低电流正向导通期间，二极管压降被调节至15mV，这扩展了电源工作范围，并确保在电源切换期间不会出现振荡。从输出端（OUT）到输入端（IN）的反向电流小于1A，这使得该器件非常适合用于电源“或”应用

数据手册

1+
￥52.5976 ￥61.16
10+
￥45.451 ￥52.85
30+
￥41.0994 ￥47.79
100+
￥37.4444 ￥43.54

有货

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型号：MAX4995CAUT+T 编号：C2653859

封装：SOT-23-6

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

50mA至600mA、可编程限流开关,采用微小的1.4mmx1.8mmUTQFN封装

数据手册

单价：
￥53.3192 / 个￥60.59 / 个

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