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首页 > 热门关键词 > 美信功率开关芯片
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5V、3A逻辑控制的高端电源开关
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  • 1+

    ¥4.84
  • 10+

    ¥4.73
  • 30+

    ¥4.65
  • 有货
  • ADP190/ADP191是高端负载开关,设计用于1.1 V至3.6 V的工作电压。这些负载开关可为电源域提供隔离,以延长电池续航时间
    数据手册
    • 1+

      ¥7.65
    • 10+

      ¥6.31
    • 30+

      ¥5.58
  • 有货
  • 采用反向电流阻挡的1 A逻辑控制型高端负载开关
    数据手册
    • 1+

      ¥10.25
    • 10+

      ¥9.99
    • 30+

      ¥9.82
  • 有货
  • 是一款正高压理想二极管控制器,驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。在二极管或和大电流二极管应用中,可降低功耗、散热、电压损失和印刷电路板面积。能轻松实现电源“或”操作,以提高整个系统的可靠性。在二极管或应用中,控制MOSFET两端的正向压降,确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径而不产生振荡。如果电源发生故障或短路,快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。
    数据手册
    • 1+

      ¥30.33
    • 10+

      ¥25.96
    • 30+

      ¥23.36
  • 有货
  • 是一款正高压理想二极管控制器,驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。在二极管或和大电流二极管应用中,可降低功耗、散热、电压损失和印刷电路板面积。能轻松实现电源“或”操作,以提高整个系统的可靠性。在二极管或应用中,控制MOSFET两端的正向压降,确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径而不产生振荡。如果电源发生故障或短路,快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。
    数据手册
    • 1+

      ¥35.41
    • 10+

      ¥30.33
    • 30+

      ¥27.24
  • 有货
  • 是一款正高压理想二极管控制器,驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。在二极管或和大电流二极管应用中,可降低功耗、散热、电压损失和印刷电路板面积。能轻松实现电源“或”操作,以提高整个系统的可靠性。在二极管或应用中,控制MOSFET两端的正向压降,确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径而不产生振荡。如果电源发生故障或短路,快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。
    数据手册
    • 1+

      ¥35.72
    • 10+

      ¥30.57
    • 30+

      ¥27.51
  • 有货
  • LTC4415包含两个单片式PowerPath理想二极管,每个二极管能够提供高达4A的电流,典型正向导通电阻为50mΩ。在低电流正向导通期间,二极管压降被调节至15mV,这扩展了电源工作范围,并确保在电源切换期间不会出现振荡。从输出端(OUT)到输入端(IN)的反向电流小于1A,这使得该器件非常适合用于电源“或”应用
    数据手册
    • 1+

      ¥71.92
    • 10+

      ¥61.85
    • 30+

      ¥55.71
  • 有货
  • 是单电池和双电池笔记本电脑及其他便携式设备电源管理解决方案的核心。它将来自两个电池组和一个直流电源的电力引导至主系统开关稳压器的输入。它与相关的电源管理产品协同工作,从电池和直流电源开始,到计算机复杂负载的输入结束。系统提供的电源管理微处理器对其进行监控和主动控制。使用低损耗N沟道MOSFET开关来引导来自三个主要电源的电力。自适应限流方案通过在过渡期间控制MOSFET开关的栅极来降低电容器和电池的浪涌电流。可直接连接到电池充电电路。
    数据手册
    • 单价:

      ¥135 / 个
  • 有货
  • MAX14575A/MAX14575AL/MAX14575B/MAX14575C,250mA至2.5A限流范围,提供高度灵活的设计支持
    数据手册
    • 1+

      ¥18.12
    • 10+

      ¥15.38
    • 30+

      ¥13.66
  • 有货
  • 双/四通道摄像机电源保护器、 业界唯一的ASIL级摄像机保护器,通过I2C提供诊断
    • 1+

      ¥19.51
    • 10+

      ¥16.61
    • 30+

      ¥14.89
  • 有货
  • LT8309是一款次级侧同步整流驱动器,在反激拓扑中替代输出整流二极管。通过用N沟道MOSFET替换二极管,应用不再受制于输出二极管的热限制。该IC通过检测漏源电压来确定电流何时变为负值,从而模拟二极管的行为。LT8309的低最小导通和关断时间有助于提高噪声免疫力。26ns的快速传播延迟允许在不连续传导模式(DCM)和临界传导模式(CrCM)下工作。栅极驱动器具有一个0.8Ω拉低器件,实现快速关闭。40V VCC额定值允许该部件由输出电压或MOSFET整流漏极电压驱动。400uA的低静态电流在低输出电流时最大化效率。
    数据手册
    • 1+

      ¥34.43
    • 10+

      ¥33.6
    • 30+

      ¥33.04
  • 有货
  • 确定了优先级的双通道 PowerPath 控制器
    数据手册
    • 1+

      ¥41.48
    • 10+

      ¥35.67
    • 30+

      ¥32.13
  • 有货
  • 用于大 PFET 的 36V、低损耗、双通道、PowerPath 控制器
    数据手册
    • 1+

      ¥43.88
    • 10+

      ¥38.12
    • 30+

      ¥31.86
  • 有货
  • LTC4415包含两个单片式PowerPath理想二极管,每个二极管能够提供高达4A的电流,典型正向导通电阻为50mΩ。在低电流正向导通期间,二极管压降被调节至15mV,这扩展了电源工作范围,并确保在电源切换期间不会出现振荡。从输出端(OUT)到输入端(IN)的反向电流小于1A,这使得该器件非常适合用于电源“或”应用
    数据手册
    • 1+

      ¥59.36
    • 10+

      ¥51.05
    • 30+

      ¥45.99
  • 有货
  • 创建接近理想的二极管,使用外部 N 沟道 MOSFET。取代高功率肖特基二极管和相关散热器,节省功率和电路板面积。理想二极管功能允许低损耗功率 OR 操作和电源保持应用。调节 MOSFET 两端的正向压降,确保在二极管 OR 应用中实现平滑的电流转移
    数据手册
    • 1+

      ¥67.31
    • 10+

      ¥66.54
    • 30+

      ¥66.03
  • 有货
  • 工业八进制高侧开关
    数据手册
    • 1+

      ¥76.87
    • 10+

      ¥73.26
    • 30+

      ¥67
  • 有货
  • 采用反向电流阻挡的逻辑控制型高端电源开关
    数据手册
    • 1+

      ¥17.07
    • 10+

      ¥14.35
    • 30+

      ¥12.64
    • 100+

      ¥10.9
  • 有货
  • 双/四通道摄像机电源保护器、 业界唯一的ASIL级摄像机保护器,通过I2C提供诊断
    • 1+

      ¥30.7362 ¥46.57
    • 10+

      ¥30.0168 ¥45.48
    • 30+

      ¥29.535 ¥44.75
    • 100+

      ¥29.0532 ¥44.02
  • 有货
  • 4.5V至60V、1A、OV/UV/反向电压保护器,带正向/反向限流、业界集成度最高的OCP和OVP方案,可靠阻止反向电流
    数据手册
    • 1+

      ¥31.9
    • 10+

      ¥27.34
    • 30+

      ¥24.64
  • 有货
  • 是一款双理想二极管桥控制器,使以太网供电 (PoE) 受电设备 (PD) 能够从 RJ-45 数据对、备用对或两者接收任一电压极性的功率。该控制器和八个 N 沟道 MOSFET 取代了无源 PoE 整流桥中的八个二极管,简化了热设计并增加了输出功率。内部电荷泵允许使用全 NMOS 桥,消除了更大且更昂贵的 PMOS 开关。该控制器适用于 2 对和 4 对应用。高阻抗输入感测引脚可防止未使用对上的反向电流。如果电源出现故障或短路,快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。与分立理想桥解决方案不同,该控制器可在瞬变期间运行,而不会使未供电对上的 MOSFET 导通。
    数据手册
    • 1+

      ¥36.64
    • 10+

      ¥35.66
    • 30+

      ¥35
  • 有货
  • 50mA至600mA、可编程限流开关,采用微小的1.4mmx1.8mmUTQFN封装
    数据手册
    • 1+

      ¥40.93
    • 10+

      ¥39.98
    • 30+

      ¥39.35
  • 有货
  • 用于大 PFET 的 36V、低损耗、双通道、PowerPath 控制器
    数据手册
    • 1+

      ¥40.96
    • 10+

      ¥35.23
    • 30+

      ¥31.73
  • 有货
  • LTC4355是一款正压理想二极管“或”控制器,可驱动两个外部N沟道MOSFET。用N沟道MOSFET而非肖特基二极管构成二极管“或”电路,可降低功耗、减少散热并节省印刷电路板面积。借助LTC4355,电源可轻松实现“或”连接,从而提高整个系统的可靠性
    数据手册
    • 1+

      ¥48.98
    • 10+

      ¥47.79
    • 30+

      ¥46.99
  • 有货
  • 连接三个有效电源之一到公共输出端,基于引脚分配定义优先级,V1 优先级最高,V3 最低。当电源电压在过压 (OV) 和欠压 (UV) 窗口内持续至少 256ms 时被定义为有效。若最高优先级有效输入超出 OV/UV 窗口,该通道立即断开,次高优先级有效输入连接到公共输出。两个或多个可级联以实现三个以上输入之间的切换。集成快速非重叠开关电路,防止反向和交叉传导,同时最小化输出下垂。栅极驱动器包括 6V 钳位以保护外部 MOSFET。受控输出斜坡功能可最小化启动浪涌电流。开漏 VALID 输出指示输入电源已在其 OV/UV 窗口内保持 256ms。
    数据手册
    • 1+

      ¥54
    • 10+

      ¥46.44
    • 30+

      ¥41.83
  • 有货
  • LTC4372/LTC4373 是正高压理想二极管控制器,可驱动外部 N 沟道 MOSFET 以替代肖特基二极管。它们控制 MOSFET 两端的正向压降,即使在轻载情况下也能确保电流输送或从一条路径转移到另一条路径。5µA 的工作电流可为间歇性负载应用或始终开启的备用电源实现高效率
    • 1+

      ¥72.85
    • 10+

      ¥70.91
  • 有货
  • MAX6495-MAX6499 是一系列小型、低电流的过压保护电路,适用于汽车和工业应用中常见的高电压瞬态系统。这些设备监测输入电压,并在输入过压情况下控制外部 nMOSFET 开关以隔离输出负载。这些设备的工作电源电压范围很宽,从 5.5V 到 72V。当被监测的输入电压低于用户可调的过压阈值时,nMOSFET 的栅极被驱动到高电平。一个集成的电荷泵电路提供 10V 的栅源电压以完全增强 nMOSFET。当输入电压超过用户调整的过压阈值时,MOSFET 的栅极迅速被拉低,从而断开负载与输入之间的连接。在某些应用中,断开输出与负载的连接是不希望的。在这种情况下,保护电路可以配置为电压限制器,其中 GATE 输出呈锯齿状以限制负载上的电压(MAX6495/MAX6496/MAX6499)。MAX6496 支持更低的输入电压,并通过用外部串联 pMOSFET 替换外部反向电池二极管来减少功率损耗。MAX6496 生成适当的偏置电压以确保 pMOSFET 在正常操作期间导通。在负载突降条件下,栅源电压被箝位,在反向电池条件下,pMOSFET 关断。MAX6497/MAX6498 具有一个开漏、未指定用途的比较器,如果输出低于编程阈值,该比较器会通知系统。MAX6497 会使 MOSFET 开关保持关断状态,直到输入电源或 SHDN 引脚重新上电。MAX6498 会在 VOVSET 低于 130mV 时自动重试。这些设备采用小型、热增强型 6 引脚和 8 引脚 TDFN 封装,工作温度范围从 -40°C 到 +125°C。
    • 1+

      ¥77.21
    • 10+

      ¥73.52
    • 30+

      ¥67.12
  • 有货
  • LT4320/LT4320-1是理想的二极管电桥控制器,可驱动四个N沟道MOSFET,支持典型从直流到600Hz的电压整流。通过最大化可用电压并降低功耗,理想二极管电桥简化了电源设计并降低了电源成本,尤其适用于低电压应用。理想二极管电桥还消除了热设计问题和昂贵的散热器,并大幅减少了印刷电路板面积。LT4320的内部电荷泵支持全NMOS设计,从而消除了更大且更昂贵的PMOS开关。如果电源发生故障或短路,快速关断可将反向电流瞬变降至最低。LT4320设计用于典型直流至60Hz的电压整流,而LT4320-1则设计用于典型直流至600Hz的电压整流。根据MOSFET尺寸和工作负载电流,也可以实现更高的工作频率。
    数据手册
    • 1+

      ¥82.88
    • 10+

      ¥78.87
    • 30+

      ¥71.94
  • 有货
  • 50mA至600mA、可编程限流开关,采用微小的1.4mmx1.8mmUTQFN封装
    数据手册
    • 1+

      ¥11.26
    • 10+

      ¥11
    • 30+

      ¥10.82
  • 有货
  • ADP197是一款高端负载开关,采用1.8 V至5.5 V电源供电。该负载开关可提供电池域隔离,有助于扩大电源域隔离范围。它内置一个低导通电阻N沟道MOSFET,支持3 A以上的连续电流,功率损耗极小。
    数据手册
    • 1+

      ¥20.21
    • 10+

      ¥19.74
    • 30+

      ¥19.43
  • 有货
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