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封装：SOT-26

AP2552/53 和 AP2552A/53A 是单通道精密可调限流开关，针对需要精密限流的应用进行了优化，或可在重载/短路期间提供高达 2.1A 的连续负载电流。这些器件可通过外部电阻将限流阈值设置在 75mA 至 2.36A（典型值）之间。在高限流设置下，限流精度可达±6%

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￥0.9811
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型号：AP2191WG-7 编号：C141321

封装：SOT-25-5

品牌：DIODES(美台)

AP2181和AP2191是集成式高端功率开关，专为通用串行总线（USB）及其他热插拔应用而优化。该系列器件符合USB 2.0标准，且使能输入具有两种极性可选。

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型号：WS4601E-5/TR 编号：C213171

封装：SOT-23-5L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS4601是一款采用超低导通电阻P沟道MOSFET的高端开关。集成的限流功能可对大容性负载的浪涌电流、过载电流和短路电流进行限制，从而保护电源。WS4601还集成了反向保护功能，可在器件关断时消除开关两端的任何反向电流

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￥1.2547
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￥1.0307
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型号：RS2582YF5 编号：C42459544

封装：SOT-23-5

品牌：RUNIC(润石)

RS2582 是一款用于自供电和总线供电的通用串行总线（USB）应用的集成电源开关。RS2582 是一款经济高效、低电压的单 P 沟道 MOSFET 负载开关，其导通电阻 RDS(ON) 为 70mΩ，无寄生体二极管，且无反向输入输出泄漏电流。当输出电压高于输入电压时，内部输出反压保护器会关闭电源开关

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￥1.2906
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型号：SI3865DDV 编号：C5371025

封装：SOT23-6L

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

1.5V至12V输入。1.8V至8V逻辑电平控制。薄型、小尺寸SOT23-6封装。输入开关具有2000V ESD保护。可调转换速率

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￥1.2945
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￥1.0034
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型号：RS2580XTDE8 编号：C5372478

封装：DFN-8L(2x2)

品牌：RUNIC(润石)

单通道负载开关，可配置上升时间以最大程度降低浪涌电流。该器件包含一个 N 沟道 MOSFET，可在 0.8V 至 5.5V 的输入电压范围内工作，最大连续电流支持 6A。该开关由通断输入（ON）控制，能够直接与低压控制信号接口

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￥1.3927
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型号：AP2151DWG-7 编号：C264075

封装：SOT-25-5

品牌：DIODES(美台)

AP2141D和AP2151D是集成式高端功率开关，专为通用串行总线（USB）和其他热插拔应用而优化。该系列器件符合USB 2.0标准，使能输入具备两种极性可选。它们具备电流和热限制、短路保护功能，以及可控上升时间和欠压锁定功能

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￥1.4272
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型号：UM3865P 编号：C7542900

封装：SOT-363

品牌：Union(英联)

UM3865P在单个SOT363封装中集成了一个P沟道和一个N沟道MOSFET。低导通电阻的P沟道MOSFET专门用作负载开关。通过外接一个电阻，N沟道MOSFET可用于电平转换，以驱动P沟道负载开关

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￥1.441128 ￥1.5496
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￥1.039182 ￥1.1174
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￥1.013049 ￥1.0893

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型号：NSG4427 编号：C7421045

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

双通道（双同）、拉/灌电流：2/2A，输入耐受低至-10V

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￥1.457775 ￥1.5345
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型号：BD82030FVJ-GE2 编号：C2680391

封装：TSSOP-B8J

品牌：ROHM(罗姆)

BD82030FVJ 是一款单通道高端开关 IC，采用低导通电阻和低电源电流的 N 沟道功率 MOSFET，适用于通用串行总线（USB）电源线。该 IC 内置过流检测电路、热关断电路、欠压锁定和软启动电路。

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￥2.011
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￥1.6359
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￥1.1853
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型号：BD2270HFV-TR 编号：C3294505

封装：HVSOF-5

品牌：ROHM(罗姆)

是用于高端N沟道MOSFET的栅极驱动器，带有用于输出电容性负载的放电电路。内部电荷泵使该IC无需使用任何外部部件即可驱动外部高端NMOSFET的栅极。上电顺序由具有迟滞功能的比较器控制。采用节省空间的HVSOF5封装。

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￥2.84
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￥2.53
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型号：RT9746HWSC 编号：C3001124

封装：WLCSP-12(1.3x1.9)

品牌：RICHTEK(立锜)

是一款过压保护设备，具有低 35mΩ（典型值）导通电阻的内部 FET 和 PTVS 二极管。PTVS 还可保护设备免受高达 100V 的浪涌影响。当输入电压超过过压阈值时，内部 FET 会关闭，以防止受保护的下游组件损坏。内部过压保护 (OVP) 阈值预设为典型值 6.8V。采用小型 WL-CSP-12B (BSC) 封装，适用于小 PCB 面积应用。

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￥3.43
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型号：NJW4832KH1-B-TE3 编号：C3655699

封装：DFN-6(2x2)

品牌：Nisshinbo

是单高端开关，可提供0.2A电流。Pch MOS FET内置有源钳位电路、过流和热关断功能。可直接输入逻辑信号（3V/5V）。特别适用于各种PNP型传感器输出模块。FLT逻辑有两种版本：高电平有效（A版本）和低电平有效（B版本）。

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￥4.27
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型号：BV1HD090FJ-CE2 编号：C2150182

封装：SOIC-8

品牌：ROHM(罗姆)

BV1HD090FJ - C是一款汽车用单通道高端开关IC，内置过流限制电路（OCP）、热关断电路（TTSD）、开路负载检测功能（OLD）和欠压锁定功能（UVLO）。检测到错误时，它还配备了诊断输出（ST）。

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￥6.54
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型号：BTS4175SGA 编号：C152451

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS4175SGA是一款单通道智能高端功率开关。它采用PG-DSO-8-24封装，具备保护功能和诊断功能。功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道功率MOSFET构成

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￥9.63
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￥8.04
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￥7.17
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￥6.18
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型号：BV2HD045EFU-CE2 编号：C1858380

封装：HSSOP-16-EP-150mil

品牌：ROHM(罗姆)

BV2HD045EFU-C是一款用于汽车应用的双通道高端开关。它内置过流保护功能、热关断保护功能、开路负载检测功能和欠压锁定功能。它配备了用于异常检测的诊断输出功能

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￥10.25
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￥6.16
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型号：MP5061GQV-Z 编号：C33545687

封装：QFN-22(3x5)

品牌：MPS(芯源)

MP5061是一款热插拔保护器件，旨在保护其输出端的电路免受输入端瞬态信号的影响。它还能保护其输入端免受来自输出端的意外短路和瞬态信号的影响。启动时，输出端的压摆率会限制浪涌电流

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￥18.3512
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￥14.7465
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￥12.1249

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型号：VNQ7040AYTR 编号：C2680486

封装：PowerSSO-36

品牌：ST(意法半导体)

适用于汽车应用的具有 MultiSense 模拟反馈的四通道高侧驱动器

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￥24.57
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￥23.17
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￥22.32
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￥21.6

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型号：VNB35N07TR-E 编号：C2150139

封装：D2PAK

品牌：ST(意法半导体)

OMNIFET II全自动保护功率MOSFET

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￥26.46
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￥22.49
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￥20.13
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型号：MIC2027-2YM 编号：C220189

封装：SOIC-16

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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￥35.94
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￥30.93
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型号：TP30E11S3L 编号：C41408041

封装：SOT-23-3L

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VIN工作范围：2.7至30V。内部过压保护（OvP）：6.3V。内部过流保护（OCP）：1.1A（典型值）。典型导通电阻：在0.7A时为500mΩ。过压保护响应时间：50ns（典型值）。启动去抖时间：20ms。应用：电子烟。单反数码相机

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￥0.507604 ￥0.6679
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￥0.398164 ￥0.5239
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￥0.343444 ￥0.4519
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￥0.302404 ￥0.3979
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￥0.269572 ￥0.3547
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￥0.25308 ￥0.333

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型号：AP22802AW5-7 编号：C211404

封装：SOT-25-5

品牌：DIODES(美台)

AP22802是一款单通道限流集成高端功率开关，专为通用串行总线（USB）和其他热插拔应用而优化。该系列器件符合USB标准，使能输入具有两种极性可选。该器件具有快速的短路响应时间，可提高整个系统的稳健性，并且集成了输出放电功能，以确保对输出电压电容进行完全可控的放电

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5+
￥0.7091
50+
￥0.5573
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￥0.4813
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￥0.4244

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型号：SY6288T 编号：C22393316

封装：SOT-23-5

品牌：Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)

SY6288T是一款高性价比的单P沟道MOSFET负载开关，具有超低的导通电阻RDS(ON)，专为自供电和总线供电的通用串行总线应用而优化。其输入电压范围为2.5V至5.5V，非常适合3.3V和5V系统。内置P沟道MOSFET，具备真正的关断功能，可消除开关两端的任何反向电流

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￥0.8019
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￥0.5499
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￥0.4869

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型号：AP2337SA-7 编号：C150497

封装：SOT-23

品牌：DIODES(美台)

AP2337 是单通道限流集成高端功率开关，专为热插拔应用优化。该器件具有快速的短路响应时间，可提高整个系统的稳健性，并为承受重容性负载和可能发生短路的应用提供完整的保护解决方案。它具备反向电流阻断、过流、过温和短路保护功能，以及可控上升时间和欠压锁定功能

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5+
￥0.83502 ￥0.9278
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￥0.67806 ￥0.7534
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￥0.59958 ￥0.6662
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￥0.54072 ￥0.6008
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￥0.49365 ￥0.5485
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￥0.47007 ￥0.5223

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型号：DZDH0401DW-7 编号：C3235552

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

旨在驱动配置为理想二极管的 P 沟道增强型 MOSFET。该器件用作差分放大器和 PMOS 控制器，当 V_IN > V_OUT 时可将正向电流损耗降至最低，当 V_IN < V_OUT 时可提供高隔离度。电路比较 IN 和 OUT 之间的电压。如果压差大于 ~34 mV（典型值），V_BIAS 将下降，PMOS 将导通；如果压差小于 ~34 mV，V_BIAS 将上升，PMOS 将关断，使 IN 与 OUT 隔离。

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￥0.921
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￥0.7363
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￥0.6439
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￥0.5747

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型号：AP2171MPG-13 编号：C2680347

封装：MSOP-8-EP

品牌：DIODES(美台)

AP2161和AP2171是集成式高端功率开关，专为通用串行总线（USB）和其他热插拔应用而优化。该系列器件符合USB 2.0标准，且使能输入有两种极性可选。

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5+
￥0.998544 ￥1.4064
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￥0.87898 ￥1.238
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￥0.827718 ￥1.1658
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￥0.763747 ￥1.0757
2500+
￥0.735276 ￥1.0356
5000+
￥0.718236 ￥1.0116

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型号：AP2141FMG-7 编号：C2149872

封装：DFN2018-6-EP

品牌：DIODES(美台)

AP2141和AP2151是集成式高端功率开关，针对通用串行总线（USB）和其他热插拔应用进行了优化。该系列器件符合USB 2.0标准，使能输入具有两种极性可选。它们具备电流和热限制、短路保护功能，以及可控上升时间和欠压锁定功能

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5+
￥1.124739 ￥1.1361
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￥0.880299 ￥0.9891
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￥0.73154 ￥0.926
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￥0.669446 ￥0.8474
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￥0.641796 ￥0.8124
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￥0.625206 ￥0.7914

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型号：SY6287CABC 编号：C3013652

封装：SOT-23-6

品牌：Silergy(矽力杰)

SY6287C是一款超低导通电阻（RDS(ON)）的电源分配开关，具备限流功能，可保护电源免受过流和短路情况的影响。它集成了过温保护和反向阻断功能。

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5+
￥1.345
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￥1.0486
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￥0.9216
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￥0.740304 ￥0.7632
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￥0.671822 ￥0.6926
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￥0.630791 ￥0.6503

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型号：FDC6331L 编号：C11137

封装：SuperSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

该器件特别适用于便携式电子设备的紧凑型电源管理，此类设备需要2.5V至8V的输入电压和2.8A的输出电流能力。

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￥1.1792
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￥0.9737
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￥0.931
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￥0.9053

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型号：AP22818AKAWT-7 编号：C3236319

封装：TSOT-25

品牌：DIODES(美台)

DIODES AP22816/17/18 是一款单通道、限流型集成高端电源开关，专为通用串行总线（USB）及其他热插拔应用而优化。该系列器件符合 USB 标准，使能输入具有两种极性可选。该器件具有快速的短路响应时间，可增强整个系统的稳健性，还集成了输出放电功能，以确保对输出电压电容进行完全可控的放电

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￥1.4939
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￥1.1601
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