TI功率开关芯片_厂家_价格_品牌_库存

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型号：VNQ5160KTR-E 编号：C2680353

封装：PowerSSO-24

支持模拟电流感应的四通道高侧驱动器，用于汽车应用

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型号：BTT6010-1ERA 编号：C534858

封装：TDSO-14

BTT6010 - 1ERA是一款导通电阻为10 mΩ的单通道智能高端功率开关，采用PG - TDSO - 14外露焊盘封装，具备保护功能和诊断功能。该功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6技术制造

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型号：LTC4357HMS8#PBF 编号：C688220

封装：MSOP-8

品牌：ADI(亚德诺)

是一款正高压理想二极管控制器，驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。在二极管或和大电流二极管应用中，可降低功耗、散热、电压损失和印刷电路板面积。能轻松实现电源“或”操作，以提高整个系统的可靠性。在二极管或应用中，控制MOSFET两端的正向压降，确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径而不产生振荡。如果电源发生故障或短路，快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。

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型号：TPRT9742CGJ5 编号：C23380926

封装：SOT-23-5

具备软启动功能，可限制插入时的浪涌电流；具备热关断功能，可防止高电流负载导致开关故障；具备欠压锁定 (UVLO) 功能，确保只有在存在有效输入电压时设备才会开启。根据 USB 电源要求，双端口的最大电流通常限制为 3.0A。低静态电流为 35uA，适用于便携式电池供电设备。

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型号：LPW5209B5F-21 编号：C517266

封装：SOT-23-5

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

LPW5209 是一款用于自供电和总线供电通用串行总线（USB）应用的集成电源开关。内置电荷泵用于驱动无寄生体二极管的 N 沟道 MOSFET，以消除开关断电时的任何反向电流。其低静态电流（30μA）和小封装（SOT23 - 5）特别适用于电池供电的便携式设备

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型号：SI1865DDL 编号：C5342384

封装：SOT-363

应用：电池组。电池供电的便携式设备。移动和无绳电话

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型号：TPGLF72101CSP4 编号：C42449029

封装：CSP-4L(1x1)

是单通道负载开关，带有超低导通电阻MOSFET。专为具有超低静态电流和超低待机电流的负载开关应用而设计。该器件由外部逻辑引脚控制，可优化电池寿命和便携式设备的自主性。

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型号：TPSGM2588CYN5G 编号：C23378019

封装：SOT-23-5

该产品可用于本地USB控制器。附加功能包括软启动，以限制插入时的浪涌电流；热关断功能，防止高电流负载导致开关故障；欠压锁定（UVLO），确保只有在存在有效输入电压时设备才会开启。根据USB电源要求，双端口的最大电流通常限制在3.0A。低静态电流为35uA，使该设备非常适合便携式电池供电设备。

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￥1.0611
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型号：TPS27081ADDCR-TP 编号：C5380661

封装：SOT-23-6

极低的RDS(on) P沟道负载开关MOSFET；低外形、小尺寸封装；VIN范围1.8至8.0V；ON/OFF范围1.5至8.0V；电平转换MOSFET具有ESD保护；PIN对PIN完全兼容

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￥1.1096
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型号：AW32901FCR 编号：C407920

封装：FCQFN-12(1.3x1.8)

品牌：AWINIC(艾为)

AW329xx 系列过压保护（OVP）负载开关具备浪涌保护功能，内部钳位电路可保护器件免受高达 120V 的浪涌电压影响。AW329xx 采用超低导通电阻（Rdson）的 n 沟道 FET 负载开关，典型值仅为 27mΩ。当输入电压超过过压保护阈值时，开关会迅速关断，以防止受保护的下游设备受损

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￥1.7548
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型号：AP2311SG-13 编号：C5359359

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

AP2301和AP2311是单通道限流集成高端功率开关，专为通用串行总线（USB）和其他热插拔应用而优化。该系列器件符合USB标准，使能输入具有两种极性可选。这些器件具有快速的短路响应时间，可提高整个系统的稳健性，并且集成了输出放电功能，以确保对输出电压电容进行完全可控的放电

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￥2.0169
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型号：SGM2578AADYG/TR 编号：C5151451

封装：WLCSP-4B-A(0.9x0.9)

品牌：SGMICRO(圣邦微)

是一款具有反向电流保护功能的单负载开关。该设备可在1V至5.5V单电源下工作，能够驱动高达2A的连续电流。该设备包含一个由ON引脚控制的30mΩ低Rₒₙ N沟道MOSFET。如果首次开启电源，会使用一个智能下拉电阻使ON引脚浮空，直到系统稳定。一旦ON引脚达到高电压（>V₁ₕ），下拉电阻断开，此时待机电流非常低，可降低功耗。小封装和低Rₒₙ使该设备非常适合空间受限、电池供电的应用。该设备支持宽输入电压范围，适用于不同的电压轨。上升时间用于避免浪涌电流。在禁用状态下，该设备提供快速输出放电功能。

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型号：IX4427NTR 编号：C5804604

封装：SOIC-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

双通道超高速功率开关驱动器，带上下电保护、欠压保护。

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￥2.696 ￥3.37
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型号：XC8110AA01MR-G 编号：C3235547

封装：SOT-25

品牌：TOREX(特瑞仕)

搭载理想二极管功能的负载开关(IEC 62368-1认证)

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型号：SGM2588AYN5G/TR 编号：C699907

封装：SOT-23-5

品牌：SGMICRO(圣邦微)

是一款集成的100mΩ（典型值）电源开关，适用于自供电和总线供电的通用串行总线（USB）应用。内部具有电流限制功能，并配备热关断保护，可防止设备和负载因过流而损坏。当管芯温度超过+150℃时，热关断功能会关闭输出MOSFET，并使nFAULT输出有效；直到管芯温度降至+130℃，输出MOSFET才会恢复工作。采用软启动电路，可在使用高容性负载的应用中最大限度地减少浪涌电流。在过流和热关断情况下，开漏nFAULT标志会在13ms消隐时间后拉低，以防止误报。采用绿色SOT-23-5封装，工作温度范围为-40℃至+85℃。

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型号：NCV8405ASTT1G 编号：C223559

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

NCV8405 是一款三端子保护低压侧智能分立器件。保护功能包括过电流、高温、ESD 和用于过电压保护的集成式漏极-门极箝位。此器件适用于严苛的汽车环境。

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型号：BTT6050-1ERA 编号：C534868

封装：TDSO-14

BTT6050 - 1ERA是一款导通电阻为50 mΩ的单通道智能高端功率开关，采用PG - TDSO - 14外露焊盘封装，具备保护功能和诊断功能。功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6技术集成

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型号：BTS7030-2EPA 编号：C534836

封装：TSDSO-14

BTS7030 - 2EPA是一款智能高端功率开关，具备保护功能和诊断功能。该器件采用SMART7技术集成。

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型号：BTS3046SDL 编号：C534754

封装：TO-252-3

BTS3046SDL是一款采用PG-TO252-3-11封装的单通道低端MOSFET功率开关，具备内置保护功能。该器件将N沟道垂直功率场效应晶体管与内置保护功能进行了单片集成。

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型号：VND10N06TR-E 编号：C2149912

封装：DPAK

OMNIFET：全自动保护功率MOSFET

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型号：VN7004CHTR 编号：C2150194

封装：OctaPAK-7

具有电流感应模拟反馈的高侧驱动器，用于汽车应用

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型号：VN5016AJTR-E 编号：C2680447

封装：PowerSSO-12

支持模拟电流感应的单通道高侧驱动器，用于汽车应用

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型号：VN820PTTR-E 编号：C2149886

封装：TO-252-5

VN820 - E是一款采用VIPower M0 - 3技术设计的单片器件。VN820 - E旨在驱动一侧接地的任何类型负载。有源VCC引脚电压钳位功能可保护器件免受低能量尖峰的影响

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型号：AUIPS7091GTR 编号：C440504

封装：SOIC-8

AUIPS7091(G)(S)PbF是一款五引脚智能功率开关（IPS），内置短路、过热、静电放电保护功能，具备电感负载处理能力和诊断反馈功能。输出电流限制在Ilim值。在热保护启动前，电流限制功能一直处于激活状态

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型号：VND5050JTR-E 编号：C194749

封装：PowerSSO-12