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首页 > 热门关键词 > TI功率开关芯片
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BTS5016 - 1EKB是一款导通电阻为16 mΩ的单通道智能高端功率开关,采用PG - DSO - 14 - 47 EP露焊盘封装,具备保护功能和诊断功能。功率晶体管由带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6技术集成
数据手册
  • 1+

    ¥8.982 ¥14.97
  • 10+

    ¥6.89 ¥13.78
  • 30+

    ¥5.216 ¥13.04
  • 100+

    ¥4.908 ¥12.27
  • 500+

    ¥4.772 ¥11.93
  • 1000+

    ¥4.712 ¥11.78
  • 有货
  • N 沟道垂直功率 FET 采用电荷泵、接地参考的 CMOS 兼容输入和诊断反馈,通过 Smart SIPMOS 技术进行单片集成,提供嵌入式保护功能。
    • 1+

      ¥11.27
    • 10+

      ¥9.53
    • 30+

      ¥8.57
    • 100+

      ¥7.48
    • 500+

      ¥7
  • 有货
  • BTS3408G 是一款具有D-MOS输出级的双通道低侧开关,用于驱动电阻性、电容性和电感性负载。该设计基于英飞凌的智能功率技术(SPT),允许在同一单片电路上集成双极型、CMOS和功率D-MOS器件。BTS3408G 具有嵌入式保护功能,并专为汽车和工业应用而设计。它特别适用于驱动步进电机和线路。
    数据手册
    • 1+

      ¥11.3
    • 10+

      ¥9.4
    • 30+

      ¥8.22
    • 100+

      ¥7.01
    • 500+

      ¥6.46
    • 1000+

      ¥6.22
  • 有货
  • 支持模拟电流感应的双通道高侧驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥14.89
    • 10+

      ¥12.53
    • 30+

      ¥11.05
    • 100+

      ¥9.53
    • 500+

      ¥8.85
    • 1000+

      ¥8.55
  • 有货
  • 独立式USB PD控制器(具有VBUS短路保护)
    数据手册
    • 1+

      ¥15.32
    • 10+

      ¥12.89
    • 30+

      ¥11.37
    • 100+

      ¥9.81
    • 500+

      ¥9.11
    • 1000+

      ¥8.8
  • 有货
  • 支持模拟电流感应的双通道高侧驱动器,用于汽车应用
    数据手册
    • 1+

      ¥19.0647 ¥27.63
    • 10+

      ¥15.5229 ¥26.31
    • 30+

      ¥12.5048 ¥25.52
    • 100+

      ¥12.1177 ¥24.73
    • 500+

      ¥11.9364 ¥24.36
    • 1000+

      ¥11.858 ¥24.2
  • 有货
  • N 通道垂直功率 MOSFET,采用电荷泵、地参考 CMOS 兼容输入、诊断反馈和比例负载电流检测,通过 Smart SIPMOs 技术单片集成。提供嵌入式保护功能
    数据手册
    • 1+

      ¥30.38
    • 10+

      ¥26.13
    • 30+

      ¥23.6
    • 100+

      ¥21.05
    • 500+

      ¥19.87
    • 1000+

      ¥19.34
  • 有货
  • 欠压、过压和电源反向保护控制器
    数据手册
    • 1+

      ¥30.93
    • 10+

      ¥26.65
    • 30+

      ¥24.11
    • 100+

      ¥21.53
    • 500+

      ¥20.35
  • 有货
  • 支持模拟电流感应的四通道高侧驱动器,用于汽车应用
    数据手册
    • 1+

      ¥50.65
    • 10+

      ¥43.25
    • 30+

      ¥38.74
    • 100+

      ¥34.96
  • 有货
  • LP5308是一款电源开关器件,可为可能遇到大电流和输入过压情况的系统和负载提供全面保护。该器件包含一个导通电阻为135mΩ的MOSFET,可在3.0V至36V的输入电压范围内工作。当VIN上的电压高于过压阈值时,过压保护(OVP)功能会切断VIN和VOUT之间的连接
    • 5+

      ¥0.628
    • 50+

      ¥0.4969
    • 150+

      ¥0.4314
    • 500+

      ¥0.3822
    • 3000+

      ¥0.3429
    • 6000+

      ¥0.3233
  • 有货
  • 应用:电池组。电池供电的便携式设备。移动和无绳电话
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9572
    • 50+

      ¥0.8359
    • 150+

      ¥0.7839
    • 500+

      ¥0.7191
    • 3000+

      ¥0.6902
    • 6000+

      ¥0.6728
  • 有货
  • 该产品可用于本地 USB 控制器。其他特性包括软启动,以限制插入时的浪涌电流;热关断功能,防止高电流负载导致开关灾难性故障;欠压锁定 (UVLO),确保只有在存在有效输入电压时设备才开启。根据 USB 电源要求,双端口的最大电流通常限制在 3.0A。低静态电流为 35uA,使该设备非常适合便携式电池供电设备。
    • 5+

      ¥0.97394 ¥1.0252
    • 50+

      ¥0.763325 ¥0.8035
    • 150+

      ¥0.67298 ¥0.7084
    • 500+

      ¥0.56031 ¥0.5898
    • 3000+

      ¥0.51015 ¥0.537
    • 6000+

      ¥0.48013 ¥0.5054
  • 有货
  • 双通道超高速功率开关驱动器,带上下电保护、欠压保护。
    • 1+

      ¥2.568 ¥3.21
    • 10+

      ¥2.056 ¥2.57
    • 30+

      ¥1.792 ¥2.24
    • 100+

      ¥1.536 ¥1.92
    • 500+

      ¥1.384 ¥1.73
    • 1000+

      ¥1.304 ¥1.63
  • 有货
  • usb power distribution switch
    数据手册
    • 1+

      ¥4.75
    • 10+

      ¥3.9
    • 30+

      ¥3.47
    • 100+

      ¥3.05
    • 500+

      ¥2.71
    • 1000+

      ¥2.58
  • 有货
  • 过压保护交流开关
    数据手册
    • 1+

      ¥4.81
    • 10+

      ¥3.86
    • 30+

      ¥3.38
    • 100+

      ¥2.91
    • 500+

      ¥2.63
    • 1000+

      ¥2.49
  • 有货
  • 具有MultiSense模拟反馈的高侧驱动器,用于汽车应用
    数据手册
    • 1+

      ¥5.52
    • 10+

      ¥4.44
    • 30+

      ¥3.9
    • 100+

      ¥3.37
    • 500+

      ¥3.05
    • 1000+

      ¥2.88
  • 有货
  • 1.2 A电流受限高侧电源开关,支持热关断
    数据手册
    • 1+

      ¥6.1
    • 10+

      ¥5.01
    • 30+

      ¥4.41
    • 100+

      ¥3.74
    • 500+

      ¥3.44
    • 1000+

      ¥3.3
  • 有货
  • 支持模拟电流感应的单通道高侧驱动器,用于汽车应用
    数据手册
    • 1+

      ¥8.94
    • 10+

      ¥8.71
    • 30+

      ¥8.56
    • 100+

      ¥8.4
  • 有货
  • TBD62064AFAG 是一款四通道 DMOS 晶体管阵列。其每个输出端都内置了用于切换感性负载的钳位二极管。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.34
    • 10+

      ¥7.84
    • 30+

      ¥6.9
    • 100+

      ¥5.93
    • 500+

      ¥5.49
    • 1000+

      ¥5.3
  • 有货
  • 支持模拟电流感应的单通道高侧驱动器,用于汽车应用
    数据手册
    • 1+

      ¥9.35
    • 10+

      ¥7.8384 ¥8.52
    • 30+

      ¥6.56 ¥8
    • 100+

      ¥6.1254 ¥7.47
    • 500+

      ¥5.9286 ¥7.23
    • 1000+

      ¥5.8466 ¥7.13
  • 有货
  • OMNIFET II:全自动保护功率MOSFET
    数据手册
    • 1+

      ¥10.83
    • 10+

      ¥9.18
    • 30+

      ¥8.27
    • 100+

      ¥7.24
    • 500+

      ¥6.78
  • 有货
  • 具有MultiSense模拟反馈的高侧驱动器,用于汽车应用
    数据手册
    • 1+

      ¥12.3437 ¥23.29
    • 10+

      ¥9.5374 ¥22.18
    • 30+

      ¥7.1016 ¥21.52
    • 100+

      ¥6.8805 ¥20.85
    • 500+

      ¥6.7782 ¥20.54
    • 1000+

      ¥6.732 ¥20.4
  • 有货
  • VN820 - E是一款采用VIPower M0 - 3技术设计的单片器件。VN820 - E旨在驱动一侧接地的任何类型负载。有源VCC引脚电压钳位功能可保护器件免受低能量尖峰的影响
    数据手册
    • 1+

      ¥14.13
    • 10+

      ¥11.96
    • 30+

      ¥10.6
    • 100+

      ¥9.21
    • 500+

      ¥8.58
    • 1000+

      ¥8.3
  • 有货
  • VN750 - E 是一款采用 VIPower M0 - 3 技术设计的单片器件,用于驱动一侧接地的各类负载。VCC 引脚有源电压钳位功能可保护器件免受低能量尖峰影响。有源电流限制与热关断及自动重启功能相结合,有助于保护器件免受过载影响
    数据手册
    • 1+

      ¥15.52
    • 10+

      ¥12.75
    • 30+

      ¥11.01
    • 100+

      ¥9.23
    • 500+

      ¥8.43
    • 1000+

      ¥8.09
  • 有货
  • N 通道垂直功率 FET,带有电荷泵,接地参考的 CMOS 兼容输入,采用 Smart SIPMOS 技术单片集成,提供嵌入式保护功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥15.92
    • 10+

      ¥13.51
    • 30+

      ¥12.01
    • 100+

      ¥10.46
    • 500+

      ¥9.76
    • 1000+

      ¥9.46
  • 有货
  • VNQ500是一款采用VIPower M0 - 3技术设计的单片器件,用于驱动一侧接地的任何类型负载。有源电流限制与锁存式热关断功能相结合,可保护器件免受过载影响。
    数据手册
    • 1+

      ¥16.43
    • 10+

      ¥14.11
    • 30+

      ¥12.66
    • 100+

      ¥11.17
    • 500+

      ¥10.5
  • 有货
  • 带有反偏保护的过压保护器、设计独特的过压保护器,为两路电源提供反偏保护
    • 1+

      ¥16.7442 ¥19.47
    • 10+

      ¥14.405 ¥16.75
    • 30+

      ¥13.0118 ¥15.13
    • 100+

      ¥11.6014 ¥13.49
    • 500+

      ¥10.9478 ¥12.73
    • 1000+

      ¥10.6554 ¥12.39
  • 有货
  • BTT6010 - 1ERA是一款导通电阻为10 mΩ的单通道智能高端功率开关,采用PG - TDSO - 14外露焊盘封装,具备保护功能和诊断功能。该功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6技术制造
    数据手册
    • 1+

      ¥20.19
    • 10+

      ¥17.3
    • 30+

      ¥15.5
    • 100+

      ¥13.65
    • 500+

      ¥12.81
    • 1000+

      ¥12.45
  • 有货
  • 高侧开关控制器(带智能熔断保护),适用于12 V、 24 V、以及48 V汽车应用
    • 1+

      ¥22.73
    • 10+

      ¥19.4
    • 30+

      ¥17.42
    • 100+

      ¥15.42
    • 500+

      ¥14.49
    • 1000+

      ¥14.08
  • 有货
  • BTT6100 - 2ERA是一款导通电阻为100 mΩ的双通道智能高端功率开关,采用PG - TDSO - 14外露焊盘封装,具备保护功能和诊断功能。功率晶体管由带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6 HV技术集成
    数据手册
    • 1+

      ¥27.25
    • 10+

      ¥25.3
    • 30+

      ¥24.07
    • 100+

      ¥22.82
    • 500+

      ¥22.25
    • 1000+

      ¥22
  • 有货
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