TI功率开关芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：SI1865DDL 编号：C5342384

封装：SOT-363

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

应用：电池组。电池供电的便携式设备。移动和无绳电话

数据手册

5+
￥0.9863
50+
￥0.7646
150+
￥0.6695
500+
￥0.5509
3000+
￥0.4981
6000+
￥0.4665

有货

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型号：TPGLF71301TCSP4 编号：C42449028

封装：CSP-4L(1x1)

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

是一款单通道负载开关，采用超低导通电阻MOSFET。专为具有超低静态电流和超低待机电流的负载开关应用而设计。该器件由外部逻辑引脚控制，可优化电池寿命和便携式设备的自主性。包含一个P沟道MOSFET，可在1.2V至5.5V的输入电压范围内工作，最大连续电流为2A。采用小型1 x 1mm CSP-4L封装。标准产品无铅且无卤。

5+
￥1.0074
50+
￥0.7856
150+
￥0.6906
500+
￥0.572

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型号：TPS27081ADDCR-TP 编号：C5380661

封装：SOT-23-6

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

极低的RDS(on) P沟道负载开关MOSFET；低外形、小尺寸封装；VIN范围1.8至8.0V；ON/OFF范围1.5至8.0V；电平转换MOSFET具有ESD保护；PIN对PIN完全兼容

数据手册

5+
￥1.1096
50+
￥0.8601
150+
￥0.7532
500+
￥0.6198
3000+
￥0.5604
6000+
￥0.5248

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型号：AP22814AW5-7 编号：C2680321

封装：SOT-25

品牌：DIODES(美台)

是单通道限流集成高端电源开关，针对通用串行总线 (USB) 和其他热插拔应用进行了优化。该系列设备符合 USB 标准，使能输入具有两种极性。该设备具有快速短路响应时间，可提高整体系统的稳健性，并具有集成输出放电功能，可确保对输出电压电容器进行完全可控的放电。它们为承受重电容负载和短路风险的应用提供了完整的保护解决方案，并提供反向电流阻断、过流、过温和短路保护，以及可控上升时间和欠压锁定功能

数据手册

5+
￥1.6646
50+
￥1.3053
150+
￥1.1514
500+
￥0.9592
3000+
￥0.8737

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型号：AP2281-3WG-7 编号：C128634

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

单一的转换速率控制的负荷开关

数据手册

5+
￥1.7941
50+
￥1.3949
150+
￥1.2239
500+
￥1.0104
3000+
￥0.9154

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型号：TC4427A (LX) 编号：C49246860

封装：SOP-8

品牌：LX(灵星芯微)

该电路主要功能是双路兼容TTL输入转换为双路大电流高压输出，输出有一定的驱动能力，两路通路相互独立，输入输出同相。

5+
￥1.8478
50+
￥1.4597
150+
￥1.2934
500+
￥1.0859
2500+
￥0.9935
4000+
￥0.9381

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型号：FDC6330L 编号：C112086

封装：TSOT-23-6

品牌：onsemi(安森美)

该器件特别适用于需要3V至20V输入和2.3A输出电流能力的便携式电子设备中的紧凑型电源管理。这款负载开关在一个小型SuperSOTTM 6封装中集成了一个小的N沟道功率MOSFET（Q1），用于驱动一个大的P沟道功率MOSFET（Q2）。

数据手册

5+
￥2.0793
50+
￥1.6281
150+
￥1.4348
500+
￥1.1297
3000+
￥1.0222
6000+
￥0.9578

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型号：SIP32408DNP-T1-GE4 编号：C145494

封装：UDFN-4-EP(1.2x1.6)

品牌：VISHAY(威世)

SiP32408 和 SiP32409 是设计用于1.1V至5.5V操作的 slew rate controlled 负载开关。这些设备保证在1.2V输入时具有低导通电阻。它们具有典型的2.5毫秒受控软启动 slew rate，限制了大电容负载设计中的浪涌电流，并最小化电源轨上的电压下降。SiP32408 和 SiP32409 具有低压控制逻辑接口（开/关接口），可以与低压控制信号接口而无需额外的电平转换电路。SiP32408 和 SiP32409 都具有极低的关断电流，并提供反向阻断以防止高电流流入电源。SiP32409 集成了输出放电电路，可实现快速关断。SiP32408 和 SiP32409 均采用1.2毫米 x 1.6毫米的TDFN4封装。

数据手册

1+
￥2.35
10+
￥1.98
30+
￥1.8
100+
￥1.61
500+
￥1.5
1000+
￥1.45

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型号：SGM2578AADYG/TR 编号：C5151451

封装：WLCSP-4B-A(0.9x0.9)

品牌：SGMICRO(圣邦微)

是一款具有反向电流保护功能的单负载开关。该设备可在1V至5.5V单电源下工作，能够驱动高达2A的连续电流。该设备包含一个由ON引脚控制的30mΩ低Rₒₙ N沟道MOSFET。如果首次开启电源，会使用一个智能下拉电阻使ON引脚浮空，直到系统稳定。一旦ON引脚达到高电压（>V₁ₕ），下拉电阻断开，此时待机电流非常低，可降低功耗。小封装和低Rₒₙ使该设备非常适合空间受限、电池供电的应用。该设备支持宽输入电压范围，适用于不同的电压轨。上升时间用于避免浪涌电流。在禁用状态下，该设备提供快速输出放电功能。

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5+
￥2.43
50+
￥1.82
150+
￥1.55
500+
￥1.23

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型号：SIP32409DNP-T1-GE4 编号：C145277

封装：UDFN-5-EP(1.2x1.6)

品牌：VISHAY(威世)

SiP32408 和 SiP32409 是压摆率可控的负载开关，适用于 1.1 V 至 5.5 V 的工作电压。这些器件可确保在 1.2 V 输入时具有较低的导通电阻。它们具备典型 2.5 ms 的可控软启动压摆率，可限制大容性负载设计中的浪涌电流，并将电源轨上产生的电压降降至最低

数据手册

1+
￥3.36
10+
￥2.68
30+
￥2.33
100+
￥1.99
500+
￥1.79
1000+
￥1.69

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型号：SGM2588AYN5G/TR 编号：C699907

封装：SOT-23-5

品牌：SGMICRO(圣邦微)

是一款集成的100mΩ（典型值）电源开关，适用于自供电和总线供电的通用串行总线（USB）应用。内部具有电流限制功能，并配备热关断保护，可防止设备和负载因过流而损坏。当管芯温度超过+150℃时，热关断功能会关闭输出MOSFET，并使nFAULT输出有效；直到管芯温度降至+130℃，输出MOSFET才会恢复工作。采用软启动电路，可在使用高容性负载的应用中最大限度地减少浪涌电流。在过流和热关断情况下，开漏nFAULT标志会在13ms消隐时间后拉低，以防止误报。采用绿色SOT-23-5封装，工作温度范围为-40℃至+85℃。

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￥3.44
10+
￥2.57
30+
￥2.2
100+
￥1.73

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型号：ZXMS6005DN8-13 编号：C2150232

封装：SOIC-8

品牌：DIODES(美台)

ZXMS6005DN8是一款双路自保护低侧智能场效应晶体管（IntelliFET）MOSFET，具有逻辑电平输入。它集成了过温、过流、过压（有源钳位）和静电放电（ESD）保护的逻辑电平功能。ZXMS6005DN8非常适合作为由3驱动的通用开关

1+
￥4.96
10+
￥4.44
30+
￥4.15
100+
￥3.82
500+
￥3.68
1000+
￥3.61

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型号：MP5035GJ-Z 编号：C2937430

封装：TSOT-23-6

品牌：MPS(芯源)

MP5035是一款保护器件，旨在保护输出端电路免受输入端瞬态影响。它还能保护输入端免受输出端短路和瞬态影响。启动期间，输出端的压摆率会限制浪涌电流

1+
￥5.6528
50+
￥5.5709
100+
￥4.2601
500+
￥3.6047

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型号：BTS7080-2EPA 编号：C534840

封装：TSDSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS7080-2EPA是一款智能高端功率开关，具备保护功能和诊断功能。该器件采用SMART7技术集成。

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1+
￥6.11
10+
￥4.97
30+
￥4.4
100+
￥3.65
500+
￥3.31
1000+
￥3.13

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型号：NCP45521IMNTWG-H 编号：C223558

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP4552x系列负载开关通过软启动实现浪涌电流限制，为高效电源域切换提供了节省元件和空间的解决方案。除了具备超低导通电阻的集成控制功能外，这些器件还通过故障保护和电源正常信号提供系统保护和监控功能。这种经济高效的解决方案非常适合需要小尺寸、低功耗的电源管理和热插拔应用。

数据手册

1+
￥7.71
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￥6.31
30+
￥5.55
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￥4.68
500+
￥4.29
1000+
￥4.12

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型号：VN7004CHTR 编号：C2150194

封装：OctaPAK-7

品牌：ST(意法半导体)

具有电流感应模拟反馈的高侧驱动器，用于汽车应用

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1+
￥8.15
10+
￥7.42
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￥6.96
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￥6.49
500+
￥6.28

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型号：FPF2004 编号：C463263

封装：SC-70-5

品牌：onsemi(安森美)

FPF2000 至 FPF2007 是一系列负载开关，可为可能遇到大电流情况的系统和负载提供全面保护。这些器件包含一个 0.7 Ω 限流 P 沟道 MOSFET，可在 1.8 - 5.5 V 的输入电压范围内工作。开关控制通过一个逻辑输入（ON）实现，该输入能够直接与低压控制信号接口。每个器件都包含热关断保护功能，当持续过流情况导致过热时，会关闭开关以防止器件损坏。当开关电流达到限流值时，器件将以恒流模式工作，以防止过大电流造成损坏。对于 FPF2000 - FPF2002 和 FPF2004 - FPF2006，如果恒流情况在 10ms 后仍然存在，这些器件将关闭开关并将故障信号引脚（FLAGB）拉低。FPF2000、FPF2001、FPF2004 和 FPF2005 具有自动重启功能，如果 ON 引脚仍然有效，将在 80 ms 后再次打开开关。FPF2002 和 FPF2006 没有此自动重启功能，因此开关将保持关闭状态，直到 ON 引脚进行一次开关操作。对于 FPF2003 和 FPF2007，限流情况将立即将故障信号引脚拉低，并且器件将保持在恒流模式，直到开关电流降至限流值以下。对于 FPF2000 至 FPF2003，最小限流值为 50 mA，而 FPF2004 至 FPF2007 的最小限流值为 100 mA。这些器件采用节省空间的 5 引脚 SC - 70 封装。FPF2000 - FPF2007 是限流开关，可保护可能因大电流应用而损坏或中断的系统和负载。每个器件的核心是一个 0.7 Ω 的 P 沟道 MOSFET 和一个控制器，该控制器能够在 1.8 - 5.5 V 的宽输入工作范围内工作。控制器通过限流、欠压锁定和热关断功能防止系统故障。限流值预设为 50 mA 或 100 mA。

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1+
￥8.97
10+
￥7.34
30+
￥6.45
100+
￥5.44
500+
￥4.99
1000+
￥4.79

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型号：ITS4200S-ME-P 编号：C538478

封装：SOT-223-4

品牌：Infineon(英飞凌)

ITS4200S-ME-P 是一种带电荷泵和CMOS兼容输入的受保护单通道智能高侧NMOS电源开关，采用SOT-223-4封装。该器件采用智能技术单片集成。

数据手册

1+
￥13.33
10+
￥11.22
30+
￥9.89
100+
￥8.54
500+
￥7.92

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型号：L4978D013TR 编号：C424083

封装：SO-16-300mil

品牌：ST(意法半导体)

L4978是一款降压型单片式功率开关稳压器，可在3.3V至50V（通过简单的外部分压器选择）的电压下提供2A电流。该器件采用BCD混合技术实现，使用内部功率D - MOS晶体管（典型导通电阻Rdson为0.25Ω），以实现极高的效率和高开关速度。可实现高达300KHz的开关频率（必须注意封装的最大功耗）

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