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单通道精密可调限流开关，适用于需要精密限流的应用，或在重载/短路时提供高达2.1A的连续负载电流。这些器件可通过外部电阻在75mA至2.36A（典型值）之间设置可编程的电流限制阈值。在高电流限制设置下，可实现±6%的电流限制精度。控制上升和下降时间，以最大程度减少关断期间的电流浪涌

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型号：BSP75NTA 编号：C172450

封装：SOT-223-4

BSP75N 是一款自保护型低侧 IntelliFET MOSFET。它具有单片过温、过流、过压（有源钳位）和 ESD 保护逻辑电平功能。它旨在用作通用开关

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型号：NCV8450ASTT3G 编号：C100028

封装：SOT-223

是一款全保护的高端智能分立器件，典型导通电阻为1.0Ω，典型内部电流限制为0.8A。该器件可以切换各种阻性、感性和容性负载。

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型号：BTS3410G 编号：C150926

封装：SOIC-8

智能SIPMOS技术中的N通道垂直功率FET

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型号：ZXMS81045SPQ-13 编号：C5201726

封装：SO-8-EP

ZXMS81045SPQ 是一款单通道高端功率开关，采用 SO - 8EP（E 型）外露散热片封装，集成了保护和诊断功能。该器件包含一个单片 N 沟道垂直功率 MOSFET，集成了温度和电流传感器以及电荷泵栅极电源，在关断状态下具有低静态电流。

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型号：IPS4260LTR 编号：C2149957

封装：HTSSOP-20-EP

IPS4260L是一款单片高速（最高开关频率达250 kHz）器件，可驱动四个独立的容性、阻性或感性负载，负载的一端连接到电源电压。各通道可并联以降低功耗。当连接到Vcc电源轨时，四个集成的续流二极管可钳位感性负载（即使电感值很大）产生的关断瞬态；结合连接到VCC或GND的合适外部瞬态电压抑制器（TVS），该集成电路也能实现快速衰减

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型号：ITS4141N 编号：C538473

封装：SOT-223-4

N 通道垂直功率 FET 带有电荷泵，接地参考的 CMOS 兼容输入，采用 Smart SIPMOS 技术单片集成，提供嵌入式保护功能。

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型号：VNLD5090TR-E 编号：C222209

封装：SO-8

OMNIFET III全保护下桥臂驱动器

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型号：VNQ500PEPTR-E 编号：C391236

封装：PowerSSO-12

VNQ500是一款采用VIPower M0 - 3技术设计的单片器件，用于驱动一侧接地的任何类型负载。有源电流限制与锁存式热关断功能相结合，可保护器件免受过载影响。

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型号：TPD2005F(EL,F) 编号：C386786

封装：SSOP-24-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

高侧电源开关阵列（8通道）适用于电机、电磁阀和灯驱动器TPD2005F 是一种用于垂直功率MOSFET输出的8通道高侧开关阵列。作为单片功率IC，它可以由CMOS或TTL逻辑电路（如MPU）直接驱动功率负载。它提供过流和过温保护功能。该高侧开关阵列集成了N沟道功率MOSFET（最大1.2 Ω）和8通道电荷泵。可以直接从微处理器驱动功率负载。内置过温和过流保护。8通道访问设计有助于节省空间。高工作电源电压：40 V。低导通电阻：最大1.2 Ω (VDD = 12 V, IO = 0.5 A（每通道）)。支持并行操作。低电源电流：最大5 mA (VDD = 40 V, VIN = 0 V)。采用SSOP-24封装（300 mil），带压纹带包装。

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型号：BTS716G 编号：C85135

封装：DSO-20

N通道垂直功率MOSFET，带有电荷泵、地参考CMOS兼容输入和诊断反馈，采用智能SIPMOs技术单片集成。提供嵌入式保护功能。

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型号：LTC4365CTS8#TRPBF 编号：C688315

封装：TSOT-23-8

品牌：ADI(亚德诺)

欠压、过压和电源反向保护控制器

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型号：VN808CM-E 编号：C1556555

封装：PowerSO-36

VN808CM - E和VN808CM - 32 - E是采用意法半导体（STMicroelectronics）VIPower M0 - 3技术设计的单片器件，旨在驱动一侧接地的任何类型负载。它可以使用3.3 V逻辑电源驱动。有源电流限制与热关断和自动重启功能相结合，可保护器件免受过载影响

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型号：AP22653W6-7 编号：C2158037

封装：SOT-26

AP22652、AP22653、AP22652A 和 AP22653A 是单通道、精度可调、具有电流限制功能的开关，专为需要精确电流限制的应用而优化，或用于在重载/短路期间提供高达 2.1A 的连续负载电流。这些器件可通过外部电阻将电流限制阈值设置在 125mA 至 2665mA（典型值）之间。在高电流限制设置下，可实现 ±10% 的电流限制精度

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型号：AP22652W6-7 编号：C2158038

封装：SOT-26

AP22652、AP22653、AP22652A 和 AP22653A 是单通道精密可调限流开关，针对需要精密限流的应用进行了优化，或可在重载/短路期间提供高达 2.1A 的连续负载电流。这些器件可通过外部电阻设置 125mA 至 2665mA（典型值）的可编程限流阈值。在高限流设置下，限流精度可达 ±10%

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型号：FDC6326L-TP 编号：C5310929

封装：SOT-23-6

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

应用：电池组。电池供电的便携式设备。移动和无绳电话

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型号：FDC6326L 编号：C890874

封装：TSOT-23-6

该设备特别适用于需要3V至20V输入和1.8A输出电流能力的便携式电子设备中的紧凑型电源管理。此负载开关在一个小巧的SuperSOT-6封装中集成了一个小N沟道功率MOSFET（Q1），用来驱动一个大P沟道功率MOSFET（Q2）。

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型号：VND7050AJTR 编号：C443997

封装：PowerSSO-16

具有MultiSense模拟反馈的双通道高侧驱动器

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型号：NCP4545IMNTWG 编号：C154786

封装：QFN-18-EP(3x3)

NCP4545 负载开关提供了一种减少组件和面积的解决方案，通过软启动限制涌流来实现高效的电源域切换。它设计为在一个单一设备中集成了控制和驱动功能以及高性能低导通电阻的功率MOSFET。这种成本效益高的解决方案非常适合需要在小尺寸内实现低功耗的电源管理和热插拔应用。

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型号：ADP196ACBZ-R7 编号：C459925

封装：WLCSP-6(1x1.4)

品牌：ADI(亚德诺)

5V、3A逻辑控制的高端电源开关

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型号：VNLD5160TR-E 编号：C377942

封装：SO-8

OMNIFET III全保护下桥臂驱动器

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型号：NCV8452STT1G 编号：C477982

封装：SOT-223

NCV8452 是一款完全保护的高压侧驱动器，可用于开关各种负载，如灯泡、电磁阀和其他致动器。该器件可以通过有源电流限制和高温关断针对过载情况进行内部保护。

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型号：VN5160STR-E 编号：C155580

封装：SOIC-8

单通道高侧驱动器，用于汽车应用

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型号：BTT6050-1EKA 编号：C534867

封装：DSO-14-EP

BTT6050 - 1EKA是一款导通电阻为50 mΩ的单通道智能高端功率开关，采用PG - DSO - 14 - 47 EP露焊盘封装，具备保护功能和诊断功能。该功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。此器件采用Smart6技术集成

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型号：BTS3408G 编号：C534770

封装：DSO-8

BTS3408G 是一款具有D-MOS输出级的双通道低侧开关，用于驱动电阻性、电容性和电感性负载。该设计基于英飞凌的智能功率技术（SPT），允许在同一单片电路上集成双极型、CMOS和功率D-MOS器件。BTS3408G 具有嵌入式保护功能，并专为汽车和工业应用而设计。它特别适用于驱动步进电机和线路。

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型号：BTS7040-2EPA 编号：C534839

封装：TSDSO-14

BTS7040-2EPA 是一种智能高侧电源开关，提供保护功能和诊断。该设备采用SMART7技术集成。它适用于电阻性、电感性和电容性负载，可以替代机电继电器、保险丝和分立电路。其驱动能力适用于3.5 A负载和高浪涌电流负载，如P27W+R5W灯或等效电子负载（例如LED模块）。该开关具有高侧配置，并嵌入了保护和诊断功能，包括绝对温度限制和动态温度限制、带有智能重启控制的过流保护、欠压关断以及通过外部元件实现的过压保护。诊断功能包括比例负载电流检测、在开和关状态下检测开路负载、以及对地和电池短路检测。该设备符合汽车应用标准，满足AEC-Q100 1级标准。

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￥4.0824 ￥14.58

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型号：BTS723GW 编号：C67625

封装：SOIC-14