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BTT6030 - 2ERA是一款导通电阻为32 mΩ的双通道智能高端功率开关，采用PG - TDSO - 14外露焊盘封装，具备保护功能和诊断功能。功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6技术集成

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￥18.75
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型号：BSP75N 编号：C114056

封装：SOT-223-4

N 通道垂直功率 FET，采用智能功率技术，通过嵌入式保护功能实现全面保护。是一款采用智能功率技术 (SPT) 的单片功率开关，具有逻辑电平输入、漏极开路 DMOS 输出级和集成保护功能，专为汽车和工业应用中的各种电阻性和电感性负载（继电器、螺线管）而设计。

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型号：AOZ1360AIL 编号：C146821

封装：SOIC-8

品牌：AOS

28VProgrammableCurrent-LimitedLoadSwitch

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￥6.4
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型号：BTT6050-2ERA 编号：C3232306

封装：SOIC-14-EP

BTT6050 - 2ERA是一款导通电阻为50 mΩ的双通道智能高端功率开关，采用PG - TDSO - 14露焊盘封装，具备保护功能和诊断功能。功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6 HV技术集成

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型号：SY6288CAAC 编号：C111830

封装：SOT-23-5

品牌：Silergy(矽力杰)

是一款超低 RDS(0.5) 开关，具有限流功能，可保护电源免受过流和短路影响。

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￥0.9285
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￥0.533985 ￥0.5505
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型号：TPNTJD1155LT1G 编号：C5246385

封装：SOT-363

极低导通电阻 (RDS(on)) 的 P 沟道负载开关 MOSFET，采用低外形、小尺寸封装，输入电压范围为 1.8 至 8.0 V，开关控制电压范围为 1.5 至 8.0 V，电平转换 MOSFET 具备 ESD 保护功能。

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型号：SY6283ADRC 编号：C412142

封装：DFN-4(1.2x1.6)

品牌：Silergy(矽力杰)

SY6283和SY6283A是具有超低导通电阻（RDS(ON)）的开关，具备限流功能，可保护电源免受过流和短路情况的影响。

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型号：VND14NV04TR-E 编号：C2649436

封装：DPAK

OMNIFET II：全自动保护功率MOSFET

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型号：BTN8982TA 编号：C74175

封装：TO-263-7

高电流 PN 半桥驱动IC

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型号：FDC6331L-TP 编号：C5371027

封装：SOT-23-6

特性：2.8A。 RDS(ON)=45mΩ @ VGS=4.5V(典型值)。 RDS(ON)=50mΩ @ VGS=2.5V(典型值)。 RDS(ON)=80mΩ @ VGS=1.8V(典型值)。与FDC6331L引脚完全兼容。应用：电池组。电池供电的便携式设备

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￥1.6027
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型号：ZXMS6004FFTA 编号：C95063

封装：SOT-23F

品牌：DIODES(美台)

DIODES™ ZXMS6004FF是一款具有逻辑电平输入的自保护低端IntelliFET® MOSFET。它集成了过温、过流、过压（有源钳位）和ESD保护逻辑电平功能。ZXMS6004FF非常适合作为由3驱动的通用开关

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￥2.78
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型号：BSP75N 编号：C5375305

封装：SOT-223

品牌：Slkor(萨科微)

自保护低端MOSFET。具备单片过热、过流、过压（有源钳位）和静电放电保护的逻辑电平功能

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型号：VNS1NV04DPTR-E 编号：C503069

封装：SO-8

OMNIFET II：全自动保护功率MOSFET

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￥5.82
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型号：BTS5215L 编号：C386329

封装：DSO-12

采用电荷泵、接地参考且与CMOS兼容的输入以及诊断反馈的N沟道垂直功率MOSFET，通过智能SIPMOs技术进行单片集成。具备嵌入式保护功能。

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型号：SY6280AAAC 编号：C207620

封装：SOT-23-5

品牌：Silergy(矽力杰)

SY6280/ SY6280A是超低RDS(ON)开关，具有可编程电流限制功能，可保护电源免受过流和短路情况的影响。它们集成了过温保护和反向阻断功能。SY6280在关机时会自动对输出电容进行放电。

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型号：TP6063F-TDX 编号：C5156726

封装：SOT-23-5

品牌：晶扬电子

TP6063F-TD是一款超低导通电阻（RDS(ON)）开关，具备限流功能，可保护电源免受过流和短路情况的影响。

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型号：FDC6324L-TP 编号：C5310930

封装：SOT-23-6

应用：电池组。电池供电的便携式设备。移动和无绳电话

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￥2.0483
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型号：STMPS2151STR 编号：C135998

封装：SOT-23-5

STMPS2141、STMPS2151、STMPS2161、STMPS2171电源分配开关适用于可能遇到大容性负载和短路情况的应用。这些器件集成了用于电源分配的90 mΩ N沟道MOSFET高端电源开关。这些开关由逻辑使能输入控制

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￥2.69
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型号：MX74502D23 编号：C41433189

封装：DFN-8L(2x3)

品牌：Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)

具有负载断开、OVP 和高栅极驱动功能的 3.2V 至 90V 工业 RPP 控制器，超低静态功耗EN=0V关断，静态功耗小于2uA，防止电压反接的耐负压90V能力

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￥5.15
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￥2.99
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￥2.5

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型号：BSP452 编号：C58074

封装：SOT-223

采用电荷泵的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），具有接地参考的CMOS兼容输入，采用智能SIPMOS技术进行单片集成。通过嵌入式保护功能实现全面保护。

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￥8.84
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￥7.27
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￥4.8

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型号：BTS4141N 编号：C151527

封装：SOT-223

采用电荷泵的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），具有接地参考的CMOS兼容输入，采用智能SIPMoS技术进行单片集成。具备嵌入式保护功能。

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型号：TPU3013S5 编号：C46472316

封装：SOT-23-5

这是一款低压单NMOSFET高端功率开关，针对自供电和总线供电的通用串行总线（USB）应用进行了优化。该开关配备电荷泵电路以驱动内部NMOSFET开关，其低导通电阻Rds(on)为40mΩ，满足USB电压降要求，并且设有标志输出，可向本地USB控制器指示故障情况

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型号：SIP32431DR3-T1GE3 编号：C141606

封装：SOT-363-6

品牌：VISHAY(威世)

SiP32431是一款超低泄漏和静态电流、具备反向阻断能力的压摆率可控高端开关。该开关采用低导通电阻的P沟道MOSFET，支持高达1 A的连续电流。SiP32431的输入电压范围为1.5 V至5.5 V

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￥3.29
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￥2.59
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￥2.29
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￥1.92
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￥1.48

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型号：VND7NV04TR-E 编号：C155605

封装：TO-252-2(DPAK)

OMNIFET II：全自动保护功率MOSFET

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￥7.88
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￥4.94
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型号：NCP45521IMNTWG-H 编号：C223558

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP4552x系列负载开关通过软启动实现浪涌电流限制，为高效电源域切换提供了节省元件和空间的解决方案。除了具备超低导通电阻的集成控制功能外，这些器件还通过故障保护和电源正常信号提供系统保护和监控功能。这种经济高效的解决方案非常适合需要小尺寸、低功耗的电源管理和热插拔应用。

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￥7.89
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￥6.55
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￥5.81
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￥4.97
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￥4.6
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￥4.43

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型号：BTS7020-2EPA 编号：C534835

封装：TSDSO-14

BTS7020-2EPA是一款智能高端功率开关，具备保护功能和诊断功能。该器件采用SMART7技术集成。

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￥8.37
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￥6.85
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型号：BTT6200-4ESA 编号：C534876

封装：TSDSO-24

BTT6200 - 4ESA是一款200 mΩ四通道智能高端功率开关，采用PG - TSDSO - 24封装，具备保护功能和诊断功能。功率晶体管由带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6 HV技术集成

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￥10.34
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￥10.01

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型号：FDC6330L-TP 编号：C5310931

封装：SOT-23-6