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高电流 PN 半桥驱动IC

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型号：AP22653W6-7 编号：C2158037

封装：SOT-26

AP22652、AP22653、AP22652A 和 AP22653A 是单通道、精度可调、具有电流限制功能的开关，专为需要精确电流限制的应用而优化，或用于在重载/短路期间提供高达 2.1A 的连续负载电流。这些器件可通过外部电阻将电流限制阈值设置在 125mA 至 2665mA（典型值）之间。在高电流限制设置下，可实现 ±10% 的电流限制精度

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型号：TPU3013S5 编号：C46472316

封装：SOT-23-5

这是一款低压单NMOSFET高端功率开关，针对自供电和总线供电的通用串行总线（USB）应用进行了优化。该开关配备电荷泵电路以驱动内部NMOSFET开关，其低导通电阻Rds(on)为40mΩ，满足USB电压降要求，并且设有标志输出，可向本地USB控制器指示故障情况

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型号：AP2171WG-7 编号：C110466

封装：SOT-25-5

AP2161和AP2171是集成式高端功率开关，专为通用串行总线（USB）和其他热插拔应用而优化。该系列器件符合USB 2.0标准，且使能输入有两种极性可选。

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型号：FDC6330L-TP 编号：C5310931

封装：SOT-23-6

特性：压降：Vdrop = 0.2V（Vin = 12V，IL = 2.0A；Vin = 5V，IL = 1.8A）。 RDS(ON)：56mΩ（典型值，VGS = -12V，ID = -2.0A）；90mΩ（典型值，VGS = -5.0V，ID = -1.8A）。先进的沟槽工艺技术。可通过外部R1、R2和C1调节开关转换速率。符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品。符合IEC 61249标准的绿色模塑料。应用：电池组。电池供电的便携式设备

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型号：BTT6200-4ESA 编号：C534876

封装：TSDSO-24

BTT6200 - 4ESA是一款200 mΩ四通道智能高端功率开关，采用PG - TSDSO - 24封装，具备保护功能和诊断功能。功率晶体管由带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6 HV技术集成

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型号：BTS441RG 编号：C5185777

封装：TO-263-4

采用电荷泵的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），具有接地参考的CMOS兼容输入，采用智能SIPMOS技术进行单片集成。具备嵌入式保护功能。绿色产品（符合RoHS标准）

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型号：LPW5209AB5F 编号：C387727

封装：SOT-23-5

品牌：LOWPOWER(微源半导体)

LPW5209是一款用于自供电和总线供电通用串行总线（USB）应用的集成电源开关。内置电荷泵用于驱动无寄生体二极管的N沟道MOSFET，以消除开关在断电时的任何反向电流。其低静态电流（μA）和小封装（SOT23 - 5）特别适用于电池供电的便携式设备

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型号：TPSI1869DH-T1-E3 编号：C5246384

封装：SOT-363

应用：电池组。电池供电的便携式设备。移动和无绳电话

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型号：AP22811AW5-7 编号：C3001660

封装：SOT-25

DIODES AP22811是一款单通道限流集成高端功率开关，针对通用串行总线（USB）和其他热插拔应用进行了优化。该系列器件符合USB标准，使能输入具有两种极性可选。该器件具有快速的短路响应时间，可提高整个系统的稳健性，并集成了输出放电功能，以确保对输出电压电容进行完全可控的放电

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型号：STMPS2151STR 编号：C135998

封装：SOT-23-5

品牌：ST(意法半导体)

STMPS2141、STMPS2151、STMPS2161、STMPS2171电源分配开关适用于可能遇到大容性负载和短路情况的应用。这些器件集成了用于电源分配的90 mΩ N沟道MOSFET高端电源开关。这些开关由逻辑使能输入控制

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型号：TPNTJD1155LT1G 编号：C5246385

封装：SOT-363

极低导通电阻 (RDS(on)) 的 P 沟道负载开关 MOSFET，采用低外形、小尺寸封装，输入电压范围为 1.8 至 8.0 V，开关控制电压范围为 1.5 至 8.0 V，电平转换 MOSFET 具备 ESD 保护功能。

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型号：STMPS2141STR 编号：C54624

封装：SOT-23-5

品牌：ST(意法半导体)

STMPS2141、STMPS2151、STMPS2161、STMPS2171电源分配开关适用于可能遇到大容性负载和短路情况的应用。这些器件集成了用于电源分配的90 mΩ N沟道MOSFET高端电源开关。这些开关由逻辑使能输入控制

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型号：SIP32510DT-T1-GE3 编号：C145264

封装：TSOT-23-6

品牌：VISHAY(威世)

SiP32510是一款压摆率可控的负载开关，设计用于1.2 V至5.5 V的工作电压。开关元件为n沟道器件，在较宽的输入电压范围内，典型导通电阻（RON）低至44 mΩ。

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型号：BTS7004-1EPP 编号：C534825

封装：TSDSO-14

该产品是智能高端功率开关，具备保护功能和诊断功能。

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型号：VND7NV04TR-E 编号：C155605

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：ST(意法半导体)

OMNIFET II：全自动保护功率MOSFET

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型号：SY6280AAAC 编号：C207620

封装：SOT-23-5

品牌：Silergy(矽力杰)

SY6280/ SY6280A是超低RDS(ON)开关，具有可编程电流限制功能，可保护电源免受过流和短路情况的影响。它们集成了过温保护和反向阻断功能。SY6280在关机时会自动对输出电容进行放电。

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型号：AP2151WG-7 编号：C110464

封装：SOT-25-5

AP2141和AP2151是集成式高端功率开关，针对通用串行总线（USB）和其他热插拔应用进行了优化。该系列器件符合USB 2.0标准，使能输入具有两种极性可选。它们具备电流和热限制、短路保护功能，以及可控上升时间和欠压锁定功能

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型号：AP2553W6-7 编号：C212302

封装：SOT-26

AP2552/53 和 AP2552A/53A 是单通道精密可调限流开关，针对需要精密限流的应用进行了优化，或可在重载/短路期间提供高达 2.1A 的连续负载电流。这些器件可通过外部电阻将限流阈值设置在 75mA 至 2.36A（典型值）之间。在高限流设置下，限流精度可达±6%

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型号：SIP32431DR3-T1GE3 编号：C141606

封装：SOT-363-6

品牌：VISHAY(威世)

SiP32431是一款超低泄漏和静态电流、具备反向阻断能力的压摆率可控高端开关。该开关采用低导通电阻的P沟道MOSFET，支持高达1 A的连续电流。SiP32431的输入电压范围为1.5 V至5.5 V

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型号：MX74502D23 编号：C41433189

封装：DFN-8L(2x3)

品牌：Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)

具有负载断开、OVP 和高栅极驱动功能的 3.2V 至 90V 工业 RPP 控制器，超低静态功耗EN=0V关断，静态功耗小于2uA，防止电压反接的耐负压90V能力

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型号：ITS4141N 编号：C538473

封装：SOT-223-4

N 通道垂直功率 FET 带有电荷泵，接地参考的 CMOS 兼容输入，采用 Smart SIPMOS 技术单片集成，提供嵌入式保护功能。

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￥5.63

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型号：BTS50085-1TMB 编号：C534799

封装：TO-220-7

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￥41.86
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￥36.02
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￥32.72

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型号：TP6063F-TDX 编号：C5156726

封装：SOT-23-5

品牌：晶扬电子

TP6063F-TD是一款超低导通电阻（RDS(ON)）开关，具备限流功能，可保护电源免受过流和短路情况的影响。

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￥0.6389
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￥0.5525
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型号：AP2141WG-7 编号：C500761

封装：SOT-25