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TPS22916 具有输出放电功能的 5.5V、2A、60mΩ、10nA 泄漏负载开关

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型号：STMPS2171MTR 编号：C2150330

封装：SO-8

STMPS2141、STMPS2151、STMPS2161、STMPS2171电源分配开关适用于可能遇到大容性负载和短路情况的应用。这些器件集成了用于电源分配的90 mΩ N沟道MOSFET高端电源开关。这些开关由逻辑使能输入控制

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型号：DPS1133FIA-13 编号：C3001680

封装：VQFN4040-17

品牌：DIODES(美台)

是一款适用于USB Power Delivery和其他热插拔应用的电源开关。通过模拟接口，可报告异常状态，并对电流限制、过压保护和输出电压斜坡等功能进行编程。实现了符合USB Power Delivery Specification Release 3.0、V1.0a要求的快速角色交换功能。该设备工作电压范围为4.5V至24V，具有快速短路响应时间，可确保系统的稳健性

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型号：AIC1519N-0GS8TR 编号：C211637

封装：SOP-8

品牌：AIC(沛亨半导体)

Dual USB High-Side Power Switch

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型号：STMPS2242MTR 编号：C501019

封装：SOIC-8

STMPS2242/2252/2262/2272电源分配开关适用于可能遇到大电容负载和短路情况的应用。这些器件集成了100 mΩ的MOSFET高端电源开关，适用于需要在单个封装中集成多个电源开关的电源分配系统。每个开关由独立的逻辑使能输入控制

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型号：VNN1NV04PTR-E 编号：C22444

封装：SOT-223

OMNIFET II全自动保护功率MOSFET

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型号：TPS2065DBVT 编号：C2680318

封装：SOT-23-5

TPS206x 电源分配开关适用于可能遇到大容性负载和短路情况的应用。该器件集成了 70 mΩ 的 N 沟道 MOSFET 功率开关，适用于需要在单个封装中集成多个功率开关的电源分配系统。每个开关由一个逻辑使能输入控制

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型号：SGM2523AXN6G/TR 编号：C5153396

封装：SOT-23-6

品牌：SGMICRO(圣邦微)

是一款具有全套保护功能的紧凑型电子保险丝（eFuse）。宽工作电压范围专为许多流行的直流总线而设计。提供±10%的电流限制精度，适用于广泛的系统保护应用。可编程软启动时间可在加电过程中控制输出电压的转换速率。可保护输入免受来自输出的意外短路和瞬态影响。采用绿色SOT-23-6封装，工作温度范围为-40°C至+125°C。

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型号：MP5035GJ-Z 编号：C2937430

封装：TSOT-23-6

品牌：MPS(芯源)

MP5035是一款保护器件，旨在保护输出端电路免受输入端瞬态影响。它还能保护输入端免受输出端短路和瞬态影响。启动期间，输出端的压摆率会限制浪涌电流

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型号：TPS2000CDGKR 编号：C2149904

封装：VSSOP-8-0.65mm

TPS2000C 低电平有效且具有输出放电和反向阻断功能的 2A 负载、4.5-5.5V、72mΩ USB 电源开关

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型号：VNL5090N3TR-E 编号：C2680403

封装：SOT-223-4

OMNIFET III全保护下桥臂驱动器

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型号：TPS2552DBVR-1 编号：C140331

封装：SOT-23-6

TPS2552-1 低电平有效且具有闭锁和反向阻断功能的 0.075-1.7A 可调节ILIMIT、2.5-6.5V、85mΩ USB 电源开关

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型号：IPS4260L 编号：C1556603

封装：HTSSOP-20-EP

IPS4260L是一款单片高速（最高开关频率达250 kHz）器件，可驱动四个独立的容性、阻性或感性负载，负载的一端连接到电源电压。各通道可并联以降低功耗。当连接到Vcc电源轨时，四个集成的续流二极管可钳位感性负载（即使电感值很大）产生的关断瞬态；结合连接到VCC或GND的合适外部瞬态电压抑制器（TVS），该集成电路也能实现快速衰减

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型号：BTS5200-4EKA 编号：C534815

封装：DSO-14-EP

BTS5200-4EKA是一个200 mΩ四通道智能高端功率开关，采用PG-DSO-14-48-EP、裸露焊盘封装，具备保护功能和诊断功能。功率晶体管由带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件集成于Smart6技术。

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型号：AP2162ASG-13 编号：C2150444

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

AP2162A和AP2172A是双通道限流集成高端功率开关，针对通用串行总线（USB）和其他热插拔应用进行了优化。该系列器件符合USB标准，使能输入具有双极性可选。这些器件具有快速的短路响应时间，可提高整个系统的稳健性，并集成了输出放电功能，以确保输出电压电容完全可控放电

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型号：BSP76 E6433 编号：C501506

封装：SOT-223

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型号：ZXMS6005DGTA 编号：C174045

封装：SOT-223-3

品牌：DIODES(美台)

ZXMS6005DG是一款具有逻辑电平输入的自保护低端智能场效应晶体管（IntelliFETTM MOSFET）。它集成了过温、过流、过压（有源钳位）和静电放电（ESD）保护的逻辑电平功能。ZXMS6005DG非常适合作为由3驱动的通用开关

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型号：BTS70802EPAXUMA1 编号：C3232436

封装：TSSOP-14-EP-150mil

BTS7080 - 2EPA是一款智能高端功率开关，具备保护功能和诊断功能。该器件采用SMART7技术集成。

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型号：VND7050AJTR 编号：C443997

封装：PowerSSO-16

具有MultiSense模拟反馈的双通道高侧驱动器

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型号：VN5E160STR-E 编号：C2149863

封装：SO-8

单通道高侧驱动器，用于汽车应用

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型号：BSP752R 编号：C112644

封装：SO-8

PG-DSO-8封装的N沟道垂直功率场效应晶体管，具备电荷泵、接地参考CMOS兼容输入和诊断反馈功能，采用Smart SIPMOs°技术进行单片集成。

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型号：VNS3NV04DPTR-E 编号：C146561

封装：SO-8

OMNIFET II全自动保护功率MOSFET

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型号：E-L9826TR 编号：C155567

封装：SOIC-20-300mil

用于电阻和电感负载的八通道低侧驱动器，具有串行/并行输入控制、输出保护和诊断

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型号：BSP752TXUMA1 编号：C112637

封装：SO-8

N 通道垂直功率 FET 带有电荷泵，接地参考 CMOS 兼容输入，采用智能 SIPMOS 技术单片集成。提供嵌入式保护功能。

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型号：TPS12110AQDGXRQ1 编号：C17666597

封装：VSSOP-19

TPS1211-Q1 具有保护和诊断功能的汽车用 3.5V 至 40V 高侧驱动器

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型号：TPS25833QWRHBTQ1 编号：C2156061

封装：VQFN-32-EP(5x5)

TPS25833-Q1 具有电缆补偿和热折返功能的 USB Type-C、DCP 充电端口转换器

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型号：BTS441TG 编号：C534782

封装：TO-263-5

采用电荷泵的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），具有接地参考、CMOS兼容输入，采用智能SIPMOS技术进行单片集成，具备嵌入式保护功能

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型号：TPS274C65ASRHAR 编号：C19267652

封装：VQFN-40-EP(6x6)

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型号：LTC4417CUF#TRPBF 编号：C688503

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：ADI(亚德诺)

连接三个有效电源之一到公共输出端，基于引脚分配定义优先级，V1 优先级最高，V3 最低。当电源电压在过压 (OV) 和欠压 (UV) 窗口内持续至少 256ms 时被定义为有效。若最高优先级有效输入超出 OV/UV 窗口，该通道立即断开，次高优先级有效输入连接到公共输出。两个或多个可级联以实现三个以上输入之间的切换。集成快速非重叠开关电路，防止反向和交叉传导，同时最小化输出下垂。栅极驱动器包括 6V 钳位以保护外部 MOSFET。受控输出斜坡功能可最小化启动浪涌电流。开漏 VALID 输出指示输入电源已在其 OV/UV 窗口内保持 256ms。

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型号：TPS2065CDBVR 编号：C353882

封装：SOT-23-5