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支持模拟电流感应的双通道高侧驱动器，用于汽车应用

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型号：IPS4260LTR 编号：C2149957

封装：HTSSOP-20-EP

IPS4260L是一款单片高速（最高开关频率达250 kHz）器件，可驱动四个独立的容性、阻性或感性负载，负载的一端连接到电源电压。各通道可并联以降低功耗。当连接到Vcc电源轨时，四个集成的续流二极管可钳位感性负载（即使电感值很大）产生的关断瞬态；结合连接到VCC或GND的合适外部瞬态电压抑制器（TVS），该集成电路也能实现快速衰减

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型号：VNL5050S5TR-E 编号：C2149847

封装：SO-8

OMNIFET III全保护下桥臂驱动器

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型号：ITS4141N 编号：C538473

封装：SOT-223-4

N 通道垂直功率 FET 带有电荷泵，接地参考的 CMOS 兼容输入，采用 Smart SIPMOS 技术单片集成，提供嵌入式保护功能。

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型号：BTS452RATMA1 编号：C7466796

封装：TO-252-5

N 沟道垂直功率 FET 采用电荷泵、接地参考的 CMOS 兼容输入和诊断反馈，通过 Smart SIPMOS 技术进行单片集成，提供嵌入式保护功能。

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型号：TPD2015FN,L1F(S 编号：C5353808

封装：SSOP-30-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TPD2015FN是一款带有MOSFET输出的高端开关阵列（8通道）。这是一款单片功率IC，可直接由CMOS、TTL逻辑电路（如MCU等）驱动，具备过流和过温保护功能。

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型号：VN750PTTR-E 编号：C2149771

封装：TO-252-5

VN750 - E 是一款采用 VIPower M0 - 3 技术设计的单片器件，用于驱动一侧接地的各类负载。VCC 引脚有源电压钳位功能可保护器件免受低能量尖峰影响。有源电流限制与热关断及自动重启功能相结合，有助于保护器件免受过载影响

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型号：BTS716G 编号：C85135

封装：DSO-20

N通道垂直功率MOSFET，带有电荷泵、地参考CMOS兼容输入和诊断反馈，采用智能SIPMOs技术单片集成。提供嵌入式保护功能。

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型号：LTC4359HDCB#TRPBF 编号：C688238

封装：DFN-6-EP(2x3)

具反向输入保护功能的理想二极管控制器

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型号：LTC4417IUF#TRPBF 编号：C688510

封装：QFN-24-EP(4x4)

连接三个有效电源之一到公共输出端，基于引脚分配定义优先级，V1 优先级最高，V3 最低。当电源电压在过压 (OV) 和欠压 (UV) 窗口内持续至少 256ms 时被定义为有效。若最高优先级有效输入超出 OV/UV 窗口，该通道立即断开，次高优先级有效输入连接到公共输出。两个或多个可级联以实现三个以上输入之间的切换。集成快速非重叠开关电路，防止反向和交叉传导，同时最小化输出下垂。栅极驱动器包括 6V 钳位以保护外部 MOSFET。受控输出斜坡功能可最小化启动浪涌电流。开漏 VALID 输出指示输入电源已在其 OV/UV 窗口内保持 256ms。

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型号：TPNTGD1100LT1G 编号：C5371024

封装：SOT-23-6

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

输入电压范围为1.8V至8V。逻辑电平控制范围为1.5V至8V。采用低轮廓、小尺寸的SOT23-6封装。输入开关具有2000V ESD保护。可调转换速率

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型号：TPS2553DRVR 编号：C138719

封装：WSON-6-EP(2x2)

TPS2553 高电平有效且具有反向阻断功能的 0.075-1.7A 可调节ILIMIT、2.5-6.5V、85mΩ USB 电源开关

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型号：AP2553AW6-7 编号：C441827

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

单通道精密可调限流开关，适用于需要精密限流的应用，或在重载/短路时提供高达2.1A的连续负载电流。这些器件可通过外部电阻在75mA至2.36A（典型值）之间设置可编程的电流限制阈值。在高电流限制设置下，可实现±6%的电流限制精度。控制上升和下降时间，以最大程度减少关断期间的电流浪涌

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型号：AP22652W6-7 编号：C2158038

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

AP22652、AP22653、AP22652A 和 AP22653A 是单通道精密可调限流开关，针对需要精密限流的应用进行了优化，或可在重载/短路期间提供高达 2.1A 的连续负载电流。这些器件可通过外部电阻设置 125mA 至 2665mA（典型值）的可编程限流阈值。在高限流设置下，限流精度可达 ±10%

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型号：TPS22996DRLR 编号：C34640248

封装：SOT-583

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型号：TPS2113ADRBR 编号：C354512

封装：SON-8(3x3)

TPS2113A 具有自动切换和状态输出功能的 2.8V 至 5.5V、84mΩ、1.25A 电源多路复用器

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型号：BTS3410G 编号：C150926

封装：SOIC-8

智能SIPMOS技术中的N通道垂直功率FET

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型号：ZXMS81045SPQ-13 编号：C5201726

封装：SO-8-EP

品牌：DIODES(美台)

ZXMS81045SPQ 是一款单通道高端功率开关，采用 SO - 8EP（E 型）外露散热片封装，集成了保护和诊断功能。该器件包含一个单片 N 沟道垂直功率 MOSFET，集成了温度和电流传感器以及电荷泵栅极电源，在关断状态下具有低静态电流。

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型号：VN5160STR-E 编号：C155580

封装：SOIC-8

单通道高侧驱动器，用于汽车应用

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型号：TPS4H000AQPWPRQ1 编号：C2680315

封装：HTSSOP-20-EP

TPS4H000-Q1 具有可调节电流限制的 40V、1Ω、4 通道汽车类智能高侧开关

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型号：VNLD5090TR-E 编号：C222209

封装：SO-8

OMNIFET III全保护下桥臂驱动器

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型号：TPS2113APWR 编号：C130052

封装：TSSOP-8

TPS2113A 具有自动切换和状态输出功能的 2.8V 至 5.5V、84mΩ、1.25A 电源多路复用器

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型号：VNQ500PEPTR-E 编号：C391236

封装：PowerSSO-12

VNQ500是一款采用VIPower M0 - 3技术设计的单片器件，用于驱动一侧接地的任何类型负载。有源电流限制与锁存式热关断功能相结合，可保护器件免受过载影响。

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型号：TPD2005F(EL,F) 编号：C386786

封装：SSOP-24-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

高侧电源开关阵列（8通道）适用于电机、电磁阀和灯驱动器TPD2005F 是一种用于垂直功率MOSFET输出的8通道高侧开关阵列。作为单片功率IC，它可以由CMOS或TTL逻辑电路（如MPU）直接驱动功率负载。它提供过流和过温保护功能。该高侧开关阵列集成了N沟道功率MOSFET（最大1.2 Ω）和8通道电荷泵。可以直接从微处理器驱动功率负载。内置过温和过流保护。8通道访问设计有助于节省空间。高工作电源电压：40 V。低导通电阻：最大1.2 Ω (VDD = 12 V, IO = 0.5 A（每通道）)。支持并行操作。低电源电流：最大5 mA (VDD = 40 V, VIN = 0 V)。采用SSOP-24封装（300 mil），带压纹带包装。

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型号：LTC4365CTS8#TRPBF 编号：C688315

封装：TSOT-23-8

欠压、过压和电源反向保护控制器

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型号：DRV103U/2K5 编号：C1879940

封装：SOIC-8

DRV103 8V 至 32V PWM 低侧驱动器 (1.5A/3A)，适用于螺线管、线圈、阀、加热器和灯

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型号：LTC4357HMS8#PBF 编号：C688220

封装：MSOP-8