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封装：SOT-23-5

该电源分配开关适用于需要精确限流或遇到大电容负载和短路的应用场景。电源开关的上升和下降时间受到控制，以最大限度地减少开启/关闭期间的电流浪涌。该器件在输出负载超过电流限制阈值时，通过使用恒流模式将输出电流限制在安全水平。该器件采用SOT23-5封装，工作温度范围为-40°C至85°C。

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型号：FP6861J-1S6 编号：C42411201

封装：SOT-23-6

品牌：FITIPOWER(天钰)

工作电压：2.7V to 6V；输出电流：0.17A~3.76A；

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型号：RS2604YTDB8 编号：C48945868

封装：UDFN-8(2x3)

品牌：RUNIC(润石)

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型号：TPS2001EDGKR 编号：C36388350

封装：VSSOP-8

品牌：TI(德州仪器)

适用于可能遇到大电容负载和短路的应用，如 USB。为需要 1.5A 或 2A 负载的应用提供固定电流限制阈值，在不同封装中提供高或低使能极性选项。当输出负载超过电流限制阈值时，通过恒流模式将输出电流限制在安全水平，在所有条件下提供可预测的故障电流。快速过载响应时间减轻了 2.7V-5.5V 电源在输出短路时提供稳压电源的负担。控制电源开关的上升和下降时间，以最大限度地减少开启和关闭期间的电流浪涌。

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型号：DZDH0401DW-7 编号：C3235552

封装：SOT-363

品牌：DIODES(美台)

旨在驱动配置为理想二极管的 P 沟道增强型 MOSFET。该器件用作差分放大器和 PMOS 控制器，当 V_IN > V_OUT 时可将正向电流损耗降至最低，当 V_IN < V_OUT 时可提供高隔离度。电路比较 IN 和 OUT 之间的电压。如果压差大于 ~34 mV（典型值），V_BIAS 将下降，PMOS 将导通；如果压差小于 ~34 mV，V_BIAS 将上升，PMOS 将关断，使 IN 与 OUT 隔离。

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型号：AW33901FCR 编号：C506184

封装：FCQFN-9(1.2x1.2)

品牌：AWINIC(艾为)

具有超低30mΩ（典型值）R_dson的nFET负载开关。当输入电压超过过压保护（OVP）阈值时，开关会快速关闭，以防止受保护的下游设备损坏。IN引脚能够承受高达32V_DC的故障电压。默认OVP阈值为5.95V、6.2V、6.8V、9.98V和10.5V，可通过外部OVLO引脚将OVP阈值从4V调整到20V。该器件具有开漏输出ACOK，当V_IN_UVLO < V_IN_OVLO且开关开启时，ACOK将被拉低以指示良好的电源输入，否则处于高阻抗模式（HiZ）。

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型号：RS2581XTDB14 编号：C50202010

封装：DFN-14(2x3)

品牌：RUNIC(润石)

工业电子，汽车电子，消费电子

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型号：TPS2552DDBVR 编号：C2149853

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

TPS2552D 低电平有效且具有闭锁和反向阻断功能的 0.075-1.7A 可调节低电平有效、反向阻断并提供多种包装的 ILIMIT 2.5-6.5V 85mΩ USB 电源开关

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型号：TPS22810TDBVRQ1 编号：C2877634

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

TPS22810-Q1 具有可调节上升时间和可调节输出放电功能的汽车类、单通道、18V、2A、79mΩ 负载开关

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型号：DIO7005HCST5 编号：C2990565

封装：SOT-23-5

品牌：DIOO(帝奥微)

DIO7005功率分配开关适用于需要精确限流，或会遇到大电容负载和短路情况的应用场景。该功率开关的上升和下降时间受到控制，以最大程度减少开关过程中的电流浪涌。DIO7005A/B/C/D/E分别提供350mA/700mA/1A/1.5A/2A五种电流等级

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型号：RS2588DYF5 编号：C42459547

封装：SOT-23-5

品牌：RUNIC(润石)

RS2588 是一款集成式功率开关，导通电阻为 70mΩ/54mΩ（典型值，RS2588A/B/C 为 70mΩ，RS2588D 为 54mΩ），适用于自供电和总线供电的通用串行总线（USB）应用。RS2588 内置限流功能，并具备热关断功能，可保护器件和负载免受过流损坏。如果管芯温度超过 150°C，热关断功能会关闭输出 MOSFET 并置位标志引脚输出，直至管芯温度降至 130°C

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型号：AP22814AM8-13 编号：C2150350

封装：MSOP-8

品牌：DIODES(美台)

是单通道限流集成高端电源开关，针对通用串行总线（USB）和其他热插拔应用进行了优化。该系列器件符合USB标准，使能输入具有两种极性。该器件具有快速短路响应时间，可提高整体系统的稳健性，并具有集成输出放电功能，确保对输出电压电容器进行完全可控的放电。它们为承受重电容负载和短路可能的应用提供了完整的保护解决方案，并提供反向电流阻断、过流、过温和短路保护，以及可控的上升时间和欠压锁定功能。开漏标志输出具有6ms的消抖能力，可防止误报过流，且无需任何外部组件。有标准绿色SOT25、MSOP-8和U-DFN2020-6封装，带有外露焊盘以提高热性能，并且符合RoHS标准。

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型号：AP22652AFDZ-7 编号：C6465516

封装：WDFN2020-6

品牌：DIODES(美台)

AP22652、AP22653、AP22652A 和 AP22653A 是单通道、精度可调、具有电流限制功能的开关，专为需要精确电流限制的应用而优化，或用于在重载/短路期间提供高达 2.1A 的连续负载电流。这些器件可通过外部电阻将电流限制阈值设置在 125mA 至 2665mA（典型值）之间。在高电流限制设置下，可实现 ±10% 的电流限制精度

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型号：TPS22971YZPR 编号：C2149844

封装：DSBGA-8

品牌：TI(德州仪器)

TPS22971 具有可调节上升时间、电源正常指示和输出放电功能的 3.6V、3A、6.7mΩ 负载开关

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型号：TPS2552DBVT 编号：C354513

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

TPS2552 低电平有效且具有反向阻断功能的 0.075-1.7A 可调节ILIMIT、2.5-6.5V、85mΩ USB 电源开关

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型号：SY6281AAC 编号：C2844078

封装：SOT-23-5

品牌：Silergy(矽力杰)

开发超低Rds(on)开关，具有可编程限流功能，可保护电源免受过流和短路影响。集成过温保护，关机时可对输出电容放电。关机时若输出电压高于输入电压，可阻止电流从输出流向输入。

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型号：SIP32401ADNP-T1GE4 编号：C727397

封装：TDFN-4-EP(1.2x1.6)

品牌：VISHAY(威世)

SiP32401A和SiP32402A是压摆率可控的负载开关，适用于1.1 V至5.5 V的工作电压。这些器件可确保在1.2 V输入时具有较低的导通电阻。它们具有典型值为2.5 ms的可控软启动压摆率，可限制容性重负载设计中的浪涌电流，并将电源轨上的电压降降至最低

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型号：NCT3521U 编号：C249427

封装：SOT-23-5

品牌：NUVOTON(新唐)

NCT3521电源开关是一款集成式80mΩ电源开关IC，专为高端负载开关应用而设计。NCT3521电源开关的输入电压范围为3.0至5.5V，非常适合3V和5V系统。NCT3521电源开关还具备欠压锁定功能，当输入电压出现欠压情况时，会将开关关闭

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型号：TCK108AF,LF 编号：C17565758

封装：SC-74A(SOT-753)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TCK106AF、TCK107AF和TCK108AF是用于通用电源管理的负载开关IC，带有压摆率控制驱动器，具有低开关导通电阻和1.1至5.5 V的宽输入电压工作范围。在V(IN) = 5.0 V、I(OUT) = -0.5 A的条件下，开关导通电阻典型值仅为63 mΩ，输出电流可达1.0 A。TCK107AF和TCK108AF具备输出自动放电功能

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型号：NCP380LSN05AAT1G 编号：C603709

封装：TSOP-5

品牌：onsemi(安森美)

NCP380是一款高端功率分配开关，专为可能遇到大容性负载和短路情况的应用而设计。该器件集成了一个55 mΩ（DFN封装）的P沟道MOSFET。当输出负载超过电流限制阈值或出现短路时，该器件会切换到恒流调节模式，将输出电流限制在所需水平

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型号：TPS2049DR 编号：C544742

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

TPS2049 低电平有效的 0.1A 负载、2.7-5.5V、400mΩ USB 电源开关

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型号：ACS108-6SA 编号：C500650

封装：TO-92

品牌：ST(意法半导体)

过压保护交流开关

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型号：AP2151SG-13 编号：C2150038

封装：SOP-8

品牌：DIODES(美台)

AP2141和AP2151是集成式高端功率开关，针对通用串行总线（USB）和其他热插拔应用进行了优化。该系列器件符合USB 2.0标准，使能输入具有两种极性可选。它们具备电流和热限制、短路保护功能，以及可控上升时间和欠压锁定功能

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型号：NCP398FCCT1G 编号：C603712

封装：WLCSP-4(0.8x0.8)

品牌：onsemi(安森美)

NCP398是一种过电压保护器件。它在VCONN直接从VBUS电源获取的应用中保护VCONN免受过电压的影响。在上电时，集成的功率MOSFET会自动控制以减少浪涌电流。该IC持续监测欠压、过压和热事件。在发生过电压的情况下，一个非常高速的比较器会瞬间断开功率MOSFET。该部件通过EN引脚使能。此引脚上的高电平允许强制关闭内部开关，并大幅降低NCP398核心的电流消耗。

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型号：TPS22999YCHR 编号：C35714972

封装：DSBGA-8(0.7x1.4)

品牌：TI(德州仪器)

TPS22999 是一款单通道负载开关，旨在实现快速导通时间和较低的浪涌电流。该器件包含一个可在 0.1V 至 VBIAS-1.0V 输入电压范围内运行的 N 沟道 MOSFET，并可支持高达 1.5A 的连续电流。该开关由使能引脚 (EN) 控制，该引脚能够直接连接低电压 GPIO 信号 (VIH = 0.8V)。

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型号：SY6821ADQC 编号：C6571993

封装：DFN1.5x1.5-6

品牌：Silergy(矽力杰)

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型号：AP7312-1828W6-7 编号：C5125494

封装：SOT-26

品牌：DIODES(美台)

AP7312 是一款输出电流为 150mA 的双路固定输出电压低压差线性稳压器。AP7312 包含了调整管、误差放大器、带隙基准、限流和热关断电路，可在故障条件下保护 IC 不受损坏。AP7312 有两个使能引脚（EN1 和 EN2），当施加逻辑高电平时，可分别独立开启相应通道

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型号：ACS108-6SA-TR 编号：C154525

封装：TO-92

品牌：ST(意法半导体)

过压保护交流开关

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型号：BD82034FVJ-GE2 编号：C2994792

封装：TSSOP-B8J

品牌：ROHM(罗姆)

BD82034FVJ是一款单通道高端开关IC，采用了具有低导通电阻和低电源电流的N沟道功率MOSFET，适用于通用串行总线（USB）电源线。该IC内置过流检测电路、热关断电路、欠压锁定和软启动电路。

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型号：MIC94083YFT-TR 编号：C128442

封装：MLF-4

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC94080/1/2/3/4/5 是一系列高端负载开关，设计用于在 1.7V 至 5.5V 的输入电压下工作。负载开关的导通元件是一个内部 67mΩ RDSON P 沟道 MOSFET，使该器件能够支持高达 2A 的连续电流。此外，该负载开关支持 1.5V 逻辑电平控制和关断功能，采用 0.85mm x 0.85mm 的 4 引脚 Thin MLF 超小型封装。MIC94080 和 MIC94081 具有快速开启特性。MIC94082 和 MIC94083 提供 800µs 的压摆率控制软启动开启，而 MIC94084 和 MIC94085 提供 120µs 的压摆率控制软启动开启。软启动功能可防止浪涌电流事件拉低输入电源电压。MIC94081、MIC94083 和 MIC94085 具有有源负载放电电路，当开关禁用时，该电路会接入一个 250Ω 的负载，以自动对容性负载进行放电。使能输入上的有源下拉功能使 MIC94080/1/2/3/4/5 默认处于关断状态，直到使能引脚被拉高至 1.25V 以上。内部电平转换电路允许低电压逻辑信号切换更高的电源电压。使能电压最高可达 5.5V，且不受输入电压的限制。MIC94080/1/2/3/4/5 的工作电压范围使其非常适合锂离子和镍氢/镍镉/碱性电池供电的系统，以及非电池供电的应用。这些器件具有低静态电流和低关断电流，可最大限度延长电池使用寿命。

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