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IC 是 2/4 通道高边隔离/保护开关，内置限流和诊断功能。输入电源范围为 3V 至 15V，输出最高可承受 26V 电压。

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￥36.28
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￥29.5754 ￥34.39

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型号：LT4321HUF#TRPBF 编号：C672475

封装：QFN-16-EP(4x4)

是一款双理想二极管桥控制器，使以太网供电 (PoE) 受电设备 (PD) 能够从 RJ-45 数据对、备用对或两者接收任一电压极性的功率。该控制器和八个 N 沟道 MOSFET 取代了无源 PoE 整流桥中的八个二极管，简化了热设计并增加了输出功率。内部电荷泵允许使用全 NMOS 桥，消除了更大且更昂贵的 PMOS 开关。该控制器适用于 2 对和 4 对应用。高阻抗输入感测引脚可防止未使用对上的反向电流。如果电源出现故障或短路，快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。与分立理想桥解决方案不同，该控制器可在瞬变期间运行，而不会使未供电对上的 MOSFET 导通。

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型号：LTC4412ES6#WTRMPBF 编号：C3236178

封装：TSOT-23-6

LTC4412控制一个外部P沟道MOSFET，以实现近乎理想的二极管功能，用于电源切换或负载共享。这使得多个电源能够高效“或”操作，从而延长电池使用寿命并降低自身发热。导通时，MOSFET两端的压降通常为20mV

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型号：LTC4416IMS-1#TRPBF 编号：C688499

封装：MSOP-10

用于大 PFET 的 36V、低损耗、双通道、PowerPath 控制器

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型号：LTC4357IDCB#TRPBF 编号：C688222

封装：DFN-6-EP(2x3)

是一款正高压理想二极管控制器，驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。在二极管或和大电流二极管应用中，可降低功耗、散热、电压损失和印刷电路板面积。能轻松实现电源“或”操作，以提高整个系统的可靠性。在二极管或应用中，控制MOSFET两端的正向压降，确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径而不产生振荡。如果电源发生故障或短路，快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。

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￥41.526 ￥46.14
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型号：MAX16141ADF/V+T 编号：C23785669

封装：TQFN-16-EP(4x4)

MAX16141/MAX16141A理想二极管控制器可为系统提供针对各种系统故障的保护，如反向电流、反向电压、过流、输入过压/欠压和过热情况。3.5V至36V的宽工作电压范围，加上5μA（典型值）的关断电流，使MAX16141/MAX16141A非常适合汽车应用。集成的电荷泵将背对背外部nFET的栅极驱动至比源极连接电压高9V（典型值），从而最大限度地降低源极和负载之间的功率损耗。快速响应比较器使MAX16141/MAX16141A能够在输入电压降至输出电压以下1μs（最大值）内阻断反向电流。RS和OUT之间的外部电流检测电阻提供过载监测功能。两个输入引脚OVSET和UVSET通过简单的电阻分压器提供设定点，以防止输入过压和欠压事件。启动期间，MAX16141/MAX16141A监测外部nFET两端的电压降（VIN - VOUT）和负载电流，以检测过流故障，确保VOUT大于0.9×VIN。启动事件完成后，MAX16141/MAX16141A即可对系统故障进行保护。在正常运行期间，一些系统会经历电源电压骤降或短暂的电源中断。为确保系统从这些中断中平稳恢复，MAX16141/MAX16141A包含一个辅助电源输入（VCC），以使关键电路保持工作。当主输入电源恢复时，MAX16141/MAX16141A以快速模式（70μs，最大值）启用栅极，为输出电容充电。两款器件均具有通过逻辑输入启用的低功耗模式。在低功耗模式下，器件允许有限的电流从源极流向负载。对于MAX16141，使用低电平有效逻辑输入SLEEP启用低功耗模式。对于MAX16141A，使用高电平有效逻辑输入（SLEEP）激活低功耗模式。其他特性包括一个内部开关，该开关在关断模式下将监测与UVSET和OVSET电阻网络隔离，有助于最大限度地降低系统功率损耗。MAX16141/MAX16141A采用4mm x 4mm x 0.75mm、16引脚TQFN封装，工作温度范围为汽车级的 -40℃至 +125℃。

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型号：LTC4359CS8#TRPBF 编号：C688237

封装：SO-8

具反向输入保护功能的理想二极管控制器

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￥49.644 ￥55.16
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型号：LT4320IMSE#TRPBF 编号：C672465

封装：MSOP-12-EP-0.65mm

LT4320/LT4320-1是理想的二极管电桥控制器，可驱动四个N沟道MOSFET，支持典型从直流到600Hz的电压整流。通过最大化可用电压并降低功耗，理想二极管电桥简化了电源设计并降低了电源成本，尤其适用于低电压应用。理想二极管电桥还消除了热设计问题和昂贵的散热器，并大幅减少了印刷电路板面积。LT4320的内部电荷泵支持全NMOS设计，从而消除了更大且更昂贵的PMOS开关。如果电源发生故障或短路，快速关断可将反向电流瞬变降至最低。LT4320设计用于典型直流至60Hz的电压整流，而LT4320-1则设计用于典型直流至600Hz的电压整流。根据MOSFET尺寸和工作负载电流，也可以实现更高的工作频率。

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型号：MAX4831ELT+T 编号：C2155818

封装：UDFN-6(1x1.5)

50mA/100mA限流开关，带有空载标记，μDFN封装

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型号：L9352B-TR-LF 编号：C2150375

封装：PowerSO-36

4通道气门驱动器

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型号：L9822EPD013TR 编号：C2680329

封装：SOIC-20-EP-11mm

八通道串行电磁阀驱动器

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型号：LTC4372HMS8#PBF 编号：C3231452

封装：MSOP-8

正向高压理想二极管控制器驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。控制MOSFET两端的正向压降，以确保即使在轻负载下也能实现电流传输或从一条路径到另一条路径的电流转移。5µA的工作电流可为间歇性负载应用或始终开启的备用电源实现高效率。如果电源发生故障或短路，快速关断可将反向电流瞬变降至最低。控制背对背N沟道MOSFET以实现浪涌电流控制和负载切换。SHDN引脚可使MOSFET保持关断状态，并将静态电流降至3.5µA。具有UV引脚用于欠压监测，而UVOUT引脚提供迟滞调整和状态信息。在欠压期间，背对背MOSFET会被切断，静态电流降至0.5µA。

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型号：ITS42008SBDAUMA1 编号：C2150061

封装：BSSOP-36-EP-11mm

品牌：Infineon(英飞凌)

ITS42008-SB-D是一款受保护的200mΩ智能八通道高端NMOS功率开关，采用PG-DSO-36功率封装，具备电荷泵、CMOS或与电源成比例的兼容输入，以及指示器件过温的恒流诊断反馈功能。

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￥95.5696 ￥103.88
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￥61.9992 ￥86.11

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型号：VNI8200XPTR 编号：C2149987

封装：PowerSSO-36

八通道高侧智能功率固态继电器，具有串行/并行可选片上接口

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型号：MAX14913AKN+ 编号：C3227930

封装：QFN-56(8x8)

八通道、高速、高边开关/推挽式驱动器,24V驱动器，支持200kHz开关频率，提高工厂产量

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￥133.4736 ￥193.44
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￥121.9023 ￥176.67

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型号：KYMNT32 编号：C3029309

封装：DFNWB-6-EP(2x2)

品牌：KY(韩景元)

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￥0.1542
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￥0.1507
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型号：KYMNT33 编号：C3029310

封装：DFNWB-6-EP(2x2)

品牌：KY(韩景元)

特性：超低集电极到发射极饱和电压。高直流电流增益。小封装DFNWB2×2-6L-1。应用：充电电路。便携式设备中的其他电源管理

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型号：AW35122FDR 编号：C5125911

封装：FCDFN-4L(1x1)

品牌：AWINIC(艾为)

AW3512/AW35122是一款带有输出压摆率控制功能的负载开关。该器件集成了一个导通电阻为66mΩ（典型值）的P沟道MOSFET，可在1.2V至5.5V的宽输入电压范围内工作。AW3512/AW35122具备输出压摆率控制功能，可在开启时限制浪涌电流，以保护下游设备

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￥0.5876
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￥0.3932

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型号：AW33901FCR 编号：C506184

封装：FCQFN-9(1.2x1.2)

品牌：AWINIC(艾为)

具有超低30mΩ（典型值）R_dson的nFET负载开关。当输入电压超过过压保护（OVP）阈值时，开关会快速关闭，以防止受保护的下游设备损坏。IN引脚能够承受高达32V_DC的故障电压。默认OVP阈值为5.95V、6.2V、6.8V、9.98V和10.5V，可通过外部OVLO引脚将OVP阈值从4V调整到20V。该器件具有开漏输出ACOK，当V_IN_UVLO < V_IN_OVLO且开关开启时，ACOK将被拉低以指示良好的电源输入，否则处于高阻抗模式（HiZ）。

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5+
￥0.7025
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￥0.686
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￥0.6751
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￥0.6641

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型号：WS3220C9-9/TR 编号：C2941893

封装：CSP-9L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS3220的特点是内置低导通电阻（RON）高压开关，绝对最大输入范围为35V直流。内置过压保护（OVP）功能，当输入电压超过固定的过压保护阈值（6.2V / 6.8V / 10.5V / 14.0V）时，会关闭内部开关。关断状态下的开关可断开输入引脚与输出引脚的连接，保护输出免受输入高压影响

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￥1.032 ￥2.4
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￥0.6963 ￥2.11
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￥0.4554 ￥1.98
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￥0.4186 ￥1.82
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￥0.4025 ￥1.75
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￥0.3933 ￥1.71

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型号：TPS22910AYZVR 编号：C205966

封装：DSBGA-4

品牌：TI(德州仪器)

TPS22910A 使能端低电平有效的 5.5V、2A、60mΩ 负载开关

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￥1.17
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￥1.14
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￥1.12

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型号：FT838NB1-RT 编号：C190118

封装：SOP-8

品牌：FMD(辉芒微)

能满足能源之星2.0和5级能效；批量输出电压精度电流精度5%；保护功能齐全、可靠性好。EN55022 ClassB emi要求。FT838NB是做适配器、充电器的首选IC

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￥0.945
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￥0.837
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￥0.7023

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型号：WS3210C68-9/TR 编号：C239828

封装：CSP-9L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WS3210C68具备低导通电阻（RON）的内部高压开关，其输入范围的绝对最大值为30V。内部输入钳位电路能够分流超过80V的浪涌电压，保护下游组件并增强系统的稳健性。WS3210C68具有过压保护（OVP）功能，若输入电压超过固定的过压保护阈值，内部开关将关闭

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￥1.2669
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￥1.1064
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￥1.0376
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￥0.9517
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￥0.9135
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￥0.8906

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型号：SY6288F1ABC 编号：C2875458

封装：SOT-23-6

品牌：Silergy(矽力杰)

SY6288F1/F2是一款超低导通电阻（RDS(ON)）、3A的低损耗功率分配开关，具备限流功能，可保护电源免受过流和短路情况的影响。它集成了过温保护和反向阻断功能。

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￥1.4456
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￥1.1331
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￥0.9992
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￥0.8321
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￥0.7577
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￥0.713

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型号：AP22814AM8-13 编号：C2150350

封装：MSOP-8

品牌：DIODES(美台)

是单通道限流集成高端电源开关，针对通用串行总线（USB）和其他热插拔应用进行了优化。该系列器件符合USB标准，使能输入具有两种极性。该器件具有快速短路响应时间，可提高整体系统的稳健性，并具有集成输出放电功能，确保对输出电压电容器进行完全可控的放电。它们为承受重电容负载和短路可能的应用提供了完整的保护解决方案，并提供反向电流阻断、过流、过温和短路保护，以及可控的上升时间和欠压锁定功能。开漏标志输出具有6ms的消抖能力，可防止误报过流，且无需任何外部组件。有标准绿色SOT25、MSOP-8和U-DFN2020-6封装，带有外露焊盘以提高热性能，并且符合RoHS标准。

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￥1.54
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￥1.5
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￥1.48

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型号：AP22653AFDZ-7 编号：C5370049

封装：WDFN2020-6

品牌：DIODES(美台)

AP22652、AP22653、AP22652A 和 AP22653A 是单通道、精度可调、具有电流限制功能的开关，专为需要精确电流限制的应用而优化，或用于在重载/短路期间提供高达 2.1A 的连续负载电流。这些器件可通过外部电阻将电流限制阈值设置在 125mA 至 2665mA（典型值）之间。在高电流限制设置下，可实现 ±10% 的电流限制精度

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￥1.8942
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￥1.5072
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￥1.3413

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型号：TCK106AF,LF 编号：C2653753

封装：SOT-25(SC-74A)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TCK106AF、TCK107AF 和 TCK108AF 是用于通用电源管理的负载开关 IC，具备压摆率控制驱动器，特点是开关导通电阻低，输入电压工作范围宽，为 1.1 至 5.5 V。在 VIN = 5.0 V、lOUT = -0.5 A 的条件下，开关导通电阻典型值仅为 63 mΩ，输出电流可达 1.0 A。TCK107AF 和 TCK108AF 具备输出自动放电功能

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￥2.0215
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￥1.5749
150+
￥1.3835

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型号：ACS108-8SA-TR 编号：C154528

封装：TO-92