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型号：TPS22967DSGR 编号：C132001

封装：WSON-8-EP(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

TPS22967 具有可调节上升时间和可调节输出放电功能的 5.5V、4A、22mΩ 负载开关

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￥1.82
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型号：SY6288DAAC 编号：C83700

封装：SOT-23-5

品牌：Silergy(矽力杰)

SY6288 是一款具有限流功能的超低RDS(ON)开关，可保护电源免受过流和短路状况的影响。它支持2.5V至5.5V的供电电压，并具备过温关断和自动重试、反向阻断（无体二极管）、关断时自动输出放电、内置软启动、0.4毫秒上升时间、符合RoHS标准以及无卤素结构等特点。该器件还提供两种使能极性和三种电流水平。工作温度范围为-40°C至85°C。

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型号：AP2162MPG-13 编号：C2149828

封装：MSOP-8-EP

品牌：DIODES(美台)

AP2162和AP2172是集成式高端功率开关，专为通用串行总线（USB）及其他热插拔应用而优化。该系列器件符合USB 2.0标准，且使能输入具有两种极性可选。

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型号：TCK106AF,LF 编号：C2653753

封装：SOT-25(SC-74A)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TCK106AF、TCK107AF 和 TCK108AF 是用于通用电源管理的负载开关 IC，具备压摆率控制驱动器，特点是开关导通电阻低，输入电压工作范围宽，为 1.1 至 5.5 V。在 VIN = 5.0 V、lOUT = -0.5 A 的条件下，开关导通电阻典型值仅为 63 mΩ，输出电流可达 1.0 A。TCK107AF 和 TCK108AF 具备输出自动放电功能

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型号：TPS22918TDBVTQ1 编号：C134020

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

TPS22918-Q1 具有可调节上升时间和可调节输出放电功能的单通道、5.5V、2A、52mΩ 汽车负载开关

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型号：TPS22924CYZPRB 编号：C2150005

封装：DSBGA-6(0.9x1.4)

品牌：TI(德州仪器)

TPS22924C 具有输出放电功能和 800μs 上升时间（在 3.6V 时）的 3.6V、2A、18.3mΩ 负载开关

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型号：NCV380LMUAJAATBG 编号：C892948

封装：UDFN-6-EP(2x2)

品牌：onsemi(安森美)

NCP380是一款专为可能遇到重容性负载和短路的应用设计的高端电源分配开关。该器件包括一个集成的55 mΩ（DFN封装）P沟道MOSFET。当输出负载超过电流限制阈值或存在短路时，该器件通过切换到恒流调节模式来将输出电流限制在所需水平。电流限制阈值可以通过外部电阻在500 mA至2.1 A之间进行用户调整，也可以内部固定。内部反向电压检测比较器会在输出电压高于输入电压时禁用电源开关，以保护开关输入侧的设备。在过流、反向电压或过温条件下，FLAG逻辑输出会置低。开关由逻辑使能输入控制，可以是高电平有效或低电平有效。

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￥2.53 ￥2.75
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型号：TPS22925CNYPHR 编号：C1880316

封装：DSBGA-6

品牌：TI(德州仪器)

TPS22925 具有输出放电功能的 3.6V、3A、9.2mΩ 负载开关

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型号：TPS22991ICRAAR 编号：C49454445

封装：UQFN-4(0.8x0.9)

品牌：TI(德州仪器)

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型号：ULN2003BPWR 编号：C2865148

封装：TSSOP-16

品牌：TI(德州仪器)

ULN2003B是一款高电压、高电流达灵顿晶体管阵列。这个器件包含7个高压输出型NPN达灵顿晶体管对，这些晶体管具有针对电感负载开关的共阴极钳位二极管。单个达灵顿对的集电极电流额定值为500mA。将达灵顿对并联可以提供更高的电流。ULN2003B的每个达灵顿对具有一个2.7kΩ基极串联电阻器，可直接用于晶体管逻辑(TTL)或互补金属氧化物半导体(CMOS)器件。

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型号：AP22804ASN-7 编号：C2150344

封装：DFN2020-6-EP

品牌：DIODES(美台)

AP22804/AP22814 是一款单通道限流集成高端功率开关，专为通用串行总线（USB）和其他热插拔应用而优化。该系列器件符合 USB 标准，使能输入具有两种极性可选。该器件具有快速的短路响应时间，可提高整个系统的稳健性，并集成了输出放电功能，以确保对输出电压电容进行完全可控的放电

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型号：TPS22953DSQR 编号：C2680343

封装：WSON-10-EP(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

TPS22953 具有可调节上升时间和电压监控功能的 5.7V、5A、14mΩ 负载开关

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型号：TPS22902BYFPR 编号：C2680380

封装：DSBGA-4(0.8x0.8)

品牌：TI(德州仪器)

TPS22902 具有输出放电功能的 3.6V、0.5A、78mΩ、22nA 泄漏负载开关

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型号：TPS2001DDBVT 编号：C2149876

封装：SOT-23-5

品牌：TI(德州仪器)

TPS2001D 高电平有效、具有输出放电功能和反向阻断的 2A 负载、4.5V 至 5.5V、72mΩ USB 电源开关

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型号：BTS3205N 编号：C534768

封装：SOT-223-4

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS3205N是一款采用PG - SOT - 223 - 4封装的单通道低端功率开关，具备内置保护功能。该器件为单片集成器件，由一个N沟道功率MOSFET晶体管和额外的保护电路组成。该器件能够切换各种阻性、感性和容性负载，不过会受到单脉冲雪崩能量（EAS）和最大电流能力的限制

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型号：TPS22967DSGT 编号：C2150040

封装：WSON-8-EP(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

TPS22967 具有可调节上升时间和可调节输出放电功能的 5.5V、4A、22mΩ 负载开关

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型号：ULN2003ANSR 编号：C2869104

封装：SO-16-208mil

品牌：TI(德州仪器)

ULx200xA 器件为高电压、大电流达林顿晶体管阵列。每款器件均由 7 个 NPN 达林顿对组成，这些达林顿对具有高压输出，带有用于开关感性负载的共阴极钳位二极管。单个达林顿对的集电极电流额定值为 500mA。

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型号：BSP75NTA 编号：C172450

封装：SOT-223-4

品牌：DIODES(美台)

BSP75N 是一款自保护型低侧 IntelliFET MOSFET。它具有单片过温、过流、过压（有源钳位）和 ESD 保护逻辑电平功能。它旨在用作通用开关

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单价：
￥2.89263 / 个

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型号：TPS22996HQDYCRQ1 编号：C43131299

封装：SOT-583

品牌：TI(德州仪器)

是一款开通受控的双通道负载开关。此器件包含两个可在0.6V至5.5V输入电压范围内运行的N沟道MOSFET，并且每通道可支持最大4A的持续电流。每个开关可由一个导通/关断输入（ON1和ON2）独立控制，此输入可与低压控制信号直接连接。当结温高于阈值时，该器件能够热失断，从而关闭开关

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型号：TCK106AG,LF 编号：C2149807

封装：WCSPD-4(0.79x0.79)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TCK106AG、TCK107AG 和 TCK108AG 是用于通用电源管理的负载开关 IC，具备压摆率控制驱动器，具有低导通电阻和 1.1 至 5.5 V 的宽输入电压工作范围。在 5.0 V、-0.5 A 条件下，典型导通电阻仅为 34 mΩ，输出电流可达 1.0 A。TCK107AG 和 TCK108AG 具备输出自动放电功能

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