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首页 > 热门关键词 > 功率开关芯片
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TPS2024 低电平有效的 2A 负载、2.7-5.5V、33mΩ USB 电源开关
数据手册
  • 1+

    ¥14.82
  • 10+

    ¥12.51
  • 30+

    ¥11.06
  • 100+

    ¥9.57
  • 有货
  • TPS2022 低电平有效的 1A 负载、2.7-5.5V、33mΩ USB 电源开关
    数据手册
    • 1+

      ¥14.93
    • 10+

      ¥12.68
    • 30+

      ¥11.26
  • 有货
  • N沟道垂直功率场效应晶体管(FET),带电荷泵,参考地CMOS兼容输入,采用智能SIPMoS技术单片集成。提供嵌入式保护功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥16.32
    • 10+

      ¥13.76
    • 30+

      ¥12.16
    • 100+

      ¥10.01
  • 有货
  • N 通道垂直功率 FET 带有电荷泵,具有接地参考的 CMOS 兼容输入,采用 Smart SIPMOS 技术单片集成,提供嵌入式保护功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥16.93
    • 10+

      ¥14.45
    • 30+

      ¥12.89
  • 有货
  • USB限流开关,采用引脚兼容封装,单通道USB限流开关,带有故障屏蔽
    数据手册
    • 1+

      ¥17.526 ¥19.05
    • 10+

      ¥14.9868 ¥16.29
    • 30+

      ¥13.478 ¥14.65
    • 100+

      ¥11.9508 ¥12.99
    • 500+

      ¥11.2516 ¥12.23
    • 1000+

      ¥10.9296 ¥11.88
  • 有货
  • TPS2011A 5.5V、0.6A、35mΩ 负载开关
    数据手册
    • 1+

      ¥19.62
    • 10+

      ¥16.79
    • 30+

      ¥15.02
    • 100+

      ¥13.2
  • 有货
  • TLE8108EM是一款采用PG-SSOP-24封装的8通道低端开关,具备嵌入式保护功能。它专门设计用作动力总成汽车应用的继电器驱动器。
    数据手册
    • 1+

      ¥20.85
    • 10+

      ¥17.82
    • 30+

      ¥16.02
  • 有货
  • TPS1HA08-Q1 具有可选择电流限制的 40V、8mΩ、汽车类单通道智能高侧开关
    数据手册
    • 1+

      ¥21.89
    • 10+

      ¥18.9
    • 30+

      ¥17.12
    • 100+

      ¥15.32
  • 有货
  • ZXGD3112N7是一款400V有源或门MOSFET控制器,旨在驱动极低导通电阻RDS(ON)的功率MOSFET,使其作为理想二极管工作。这可替代标准整流器,以降低正向压降并全面提高功率传输效率。ZXGD3112N7可用于最高±400V轨压的高端和低端电源装置(PSU)
    数据手册
    • 1+

      ¥23.1686 ¥25.46
    • 10+

      ¥17.7552 ¥21.92
    • 30+

      ¥14.0651 ¥19.81
    • 100+

      ¥12.5528 ¥17.68
    • 500+

      ¥11.857 ¥16.7
    • 1000+

      ¥11.5375 ¥16.25
  • 有货
  • 具有电流感应模拟反馈的高侧驱动器,用于汽车应用
    数据手册
    • 1+

      ¥25.398 ¥37.35
    • 10+

      ¥20.735 ¥35.75
    • 30+

      ¥16.6944 ¥34.78
    • 100+

      ¥16.3056 ¥33.97
  • 有货
  • N 沟道垂直功率 MOSFET,带电荷泵、地参考 CMOS 兼容输入和诊断反馈,采用智能 SIPMOS 技术单片集成。提供嵌入式保护功能
    数据手册
    • 1+

      ¥28.34
    • 10+

      ¥24.09
    • 30+

      ¥21.57
  • 有货
  • ITS4130Q - EP - D是一款130 mΩ四通道智能高端电源开关,具备集成保护功能和诊断反馈。它的四个通道每个都能承受超过500 mA的电流,在结温(Tj)为125°C时,典型导通电阻RDS(0N)低至205 mΩ,采用小型PG - TSDSO - 14外露焊盘封装,在实现高度灵活性的同时,对空间要求极低。热增强型PGTSDSO - 14封装的外露焊盘可通过导热过孔将器件产生的热量高效传导至印刷电路板(PCB)的内层
    数据手册
    • 1+

      ¥28.74
    • 10+

      ¥24.46
    • 30+

      ¥21.91
  • 有货
  • 该器件是一款 1 mΩ 单通道智能高端功率开关,采用 PG-HSOF-8 封装,具备保护功能和诊断功能。它具备反向导通功能,特别设计用于驱动大电流负载,适用于加热器、电热塞、风扇和泵等应用。
    • 1+

      ¥32.34
    • 10+

      ¥27.51
    • 30+

      ¥24.64
  • 有货
  • 是一款正高压理想二极管控制器,驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。在二极管或和大电流二极管应用中,可降低功耗、散热、电压损失和印刷电路板面积。能轻松实现电源“或”操作,以提高整个系统的可靠性。在二极管或应用中,控制MOSFET两端的正向压降,确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径而不产生振荡。如果电源发生故障或短路,快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。
    数据手册
    • 1+

      ¥32.82
    • 10+

      ¥28.28
    • 50+

      ¥25.58
  • 有货
    • 1+

      ¥32.95
    • 10+

      ¥27.92
    • 30+

      ¥24.93
  • 有货
    • 1+

      ¥34.7
    • 10+

      ¥29.6
    • 30+

      ¥26.49
  • 有货
  • 是一款正高压理想二极管控制器,驱动外部N沟道MOSFET以取代肖特基二极管。在二极管或和大电流二极管应用中,可降低功耗、散热、电压损失和印刷电路板面积。能轻松实现电源“或”操作,以提高整个系统的可靠性。在二极管或应用中,控制MOSFET两端的正向压降,确保电流从一条路径平稳转移到另一条路径而不产生振荡。如果电源发生故障或短路,快速关断可最大程度减少反向电流瞬变。
    数据手册
    • 1+

      ¥35.1296 ¥39.92
    • 10+

      ¥30.536 ¥34.7
    • 30+

      ¥26.3824 ¥29.98
    • 100+

      ¥24.0328 ¥27.31
  • 有货
  • 确定了优先级的双通道 PowerPath 控制器
    数据手册
    • 1+

      ¥42.74
    • 10+

      ¥36.93
    • 30+

      ¥33.39
    • 100+

      ¥27.9956 ¥30.43
  • 有货
  • 创建接近理想的二极管,使用外部 N 沟道 MOSFET。取代高功率肖特基二极管和相关散热器,节省功率和电路板面积。理想二极管功能允许低损耗功率 OR 操作和电源保持应用。调节 MOSFET 两端的正向压降,确保在二极管 OR 应用中实现平滑的电流转移
    数据手册
    • 1+

      ¥44.0544 ¥45.89
    • 10+

      ¥42.9504 ¥44.74
    • 30+

      ¥42.2112 ¥43.97
    • 100+

      ¥41.472 ¥43.2
  • 有货
    • 1+

      ¥69.25
    • 10+

      ¥67.1
    • 14+

      ¥64.416 ¥67.1
  • 有货
    • 1+

      ¥72.25
    • 10+

      ¥65.49
    • 30+

      ¥63.03
  • 有货
  • TMI6263是一款高性价比的单P沟道MOSFET负载开关,具有超低的导通电阻RDS(ON),专为自供电和总线供电的通用串行总线(USB)应用而优化。其输入电压范围为2.5V至5.5V,非常适合3V和5V系统。内置P沟道MOSFET,具备真正的关断功能,可消除开关两端的任何反向电流
    • 5+

      ¥0.5836
    • 50+

      ¥0.4636
    • 150+

      ¥0.4036
    • 500+

      ¥0.3586
    • 3000+

      ¥0.3226
    • 6000+

      ¥0.3046
  • 有货
  • KP311A 是一款非隔离型、高集成度且低成本的PWM 功率开关,适用于降压型和升降压型电路。 KP311A 采用高压单晶圆工艺,在同一片晶圆上集成有 500V 高压 MOSFET 和采用开关式峰值电流模式控制的控制器。在全电压输入的范围内可以保证高精度的 5V 默认输出。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6144
    • 50+

      ¥0.48
    • 150+

      ¥0.4128
    • 500+

      ¥0.3624
    • 3000+

      ¥0.3338
    • 6000+

      ¥0.3136
  • 订货
  • AW3512/AW35122是一款带有输出压摆率控制功能的负载开关。该器件集成了一个导通电阻为66mΩ(典型值)的P沟道MOSFET,可在1.2V至5.5V的宽输入电压范围内工作。AW3512/AW35122具备输出压摆率控制功能,可在开启时限制浪涌电流,以保护下游设备
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6227
    • 50+

      ¥0.4931
    • 150+

      ¥0.4283
    • 500+

      ¥0.3797
  • 有货
  • ETA7017/A 是一款具备受控导通功能的小型、低导通电阻(RDSON)开关。该器件包含一个 PMOS,可在 1.4V 至 5.5V 的输入电压范围内工作。此开关由一个外部逻辑引脚控制,该引脚为高电平有效使能端
    • 5+

      ¥0.624
    • 50+

      ¥0.4933
    • 150+

      ¥0.4279
    • 500+

      ¥0.3789
  • 有货
  • LPW5202是一系列负载开关,可为可能遇到大电流情况的系统和负载提供全面保护。这些产品采用节省空间的5引脚SOT23封装。
    • 5+

      ¥0.6504
    • 50+

      ¥0.511
    • 150+

      ¥0.4413
    • 500+

      ¥0.389
  • 有货
  • AP21410 和 AP21510 是针对通用串行总线 (USB) 及其他热插拔应用优化的集成高侧电源开关。该系列器件符合 USB 2.0 标准,并提供正负两种使能输入极性。它们提供了电流限制、热限制和短路保护功能,以及受控上升时间和欠压锁定功能。所有器件均采用 U-DFN2018-6 封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥0.79653 ¥1.8965
    • 10+

      ¥0.481664 ¥1.5052
    • 30+

      ¥0.294272 ¥1.3376
    • 100+

      ¥0.248226 ¥1.1283
    • 500+

      ¥0.227744 ¥1.0352
    • 1000+

      ¥0.215424 ¥0.9792
  • 有货
  • LPW5202 是一系列负载开关,可为可能遇到大电流情况的系统和负载提供全面保护。该器件包含一个 70mΩ 的限流 P 沟道 MOSFET,可在 2.4V 至 6V 的输入电压范围内工作。电流限制可以是固定的,也可以使用外部电阻进行设置
    • 5+

      ¥0.9079
    • 50+

      ¥0.7037
    • 150+

      ¥0.6163
    • 500+

      ¥0.5071
  • 有货
  • TPS2553 高电平有效且具有反向阻断功能的 0.075-1.7A 可调节ILIMIT、2.5-6.5V、85mΩ USB 电源开关
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9294
    • 50+

      ¥0.9099
    • 250+

      ¥0.8697
  • 有货
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